論文

• Tsuyoshi Yamagami, Taiga Kasai, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama. Bismuth Intercalation at the Graphene/Cu(111) Interface with [2012] Long-Range Ordering, Journal of the Physical Society of Japan, Vol. 91, No. 4, p. 043601(5pages), Mar. 2022.
• J. Sone, T. Yamagami, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Si growth at graphene surfaces on 6H-SiC(0001) substrates, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 55, p. 035502 (5pages), Apr. 2016.
• T. Yamagami, J. Sone, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Surfactant role of Ag atoms in the growth of Si layers on Si(111)√3x√3-Ag substrates, Applied Physics Letters, Vol. 105, pp. 151603(1)-(4), Sept. 2014.
• J. Sone, T. Yamagami, Y. Aoki, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Epitaxial growth of silicene on ultra-thin Ag(111) films, New Journal of Physics, Vol. 16, p. 095004 (15 pages), Aug. 2014.

国際会議発表 (査読有り)

• Taiga Kasai, Tsuyoshi Yamagami, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama. STM observation of Bi-intercalated graphene/Bi/Cu(111), The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS9), Nov. 2021.
• T. Yamagami, S. Yotsutani, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Characterization of Mono- and multilayer hexagonal Boron Nitride on Cu (111) substrate, 12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC-19), Oct. 2019.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• T. Kasai, T. Yamagami, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Bi Intercalation at the Graphene/Cu(111) Interface, The 22nd International Vacuum Congress, Sept. 2022.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 笠井大雅, 山上剛史, 中辻寛, 平山博之. Biをインターカレートさせたグラフェン/Bi[2012]/Cu(111)のSTM観測, 日本物理学会2021年秋季大会, Sept. 2021.
• 山上剛史, 中辻寛, 平山博之. ビスマス原子を吸着させたグラフェン/Cu(111)表面における原子構造・電子状態, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2021.
• 山上剛史, 四ツ谷壮一郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. Cu(111)上に成長させたh-BN膜における成長様式・電子状態の層数依存性, 日本物理学会2019年秋季大会, Sept. 2019.
• 山上剛史, 高木優香, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. アンモニアボラン分子蒸着による銅表面上での六方晶窒化ホウ素の合成, 日本物理学会2017年秋季大会, Sept. 2017.

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