論文

• T. Honda, A. Inoue, M. Mori, T. Shirasawa, N. Mochida, K. Saotome, T. Sakaguchi, A. Ohtomo, M. Kawasaki, H. Koinuma, F. Koyama, K. Iga. GaN growth on ozonized sapphire(0001) substrates by MOVPE, J. Crystal Growth, Vol. 195, No. 1-4, pp. 319-322, Dec. 1998.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読有り)

• T. Sakaguchi, T. Shirasawa, N. Mochida, A. Inoue, MaS. Iwata, T. Honda, F. Koyama, K. Iga. Highly reflective AlN/GaN and ZrO2/SiO2 multilayer distributed Bragg reflectors for InGaN/GaN surface emitting lasers, IEEE Lasers and Electro-Optics Society 1998 Annual Meeting, LEOS'98, TuC4, Dec. 1998.
• A. Inoue, T. Sakaguchi, Y. Moriguchi, T. Miyamoto, M. Iwata, F. Koyama, K.Iga. InGaN selective MOCVD growth and polycrystalline formation on SiO2-patterned sapphire substrate, 2nd Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes, ISBLLED'98, Sept. 1998.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 岩田雅年, 坂口孝浩, 井上彰, 森口雄一郎, 内田 慶彦, 小山二三夫, 伊賀健一. InGaN量子井戸構造におけるAlGaNバリア層の検討, 第46回春季応用物理学会, 28p-N-15, Mar. 1999.

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