論文

• Masato Maitani, Keita Tanaka, Hirokazu Satou, Takayoshi OSHIMA, A. Ohtomo, Yuji Wada. Hetero-epitaxial growth control of single-crystalline anatase TiO₂ nanosheets predominantly exposing the {001} facet on oriented crystalline substrates, CrystEngComm, The Royal Society of Chemistry, June 2017.  公式リンク  
  
• Masato Maitani, Takuya Yamada, Hisanori Mashiko, Kohei Yoshimatsu, Takayoshi OSHIMA, A. Ohtomo, Yuji Wada. Microwave Effects on Co-Pi Co-catalysts Deposited on α-Fe₂O₃ for Application to Photocatalytic Oxygen Evolution, ACS Applied Materials & Interfaces, Mar. 2017.  公式リンク  
  
• Mai Hattori, Takayoshi OSHIMA, Ryo Wakabayashi, K. Yoshimatsu, Kohei Sasaki, Takekazu Masui, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, A. Ohtomo. Epitaxial growth and electric properties of γ-Al₂O₃ (110) films on β- Ga₂O₃ (010) substrates, Japanese Journal of Applied Physics, IOP publishing, Vol. 55, No. 12, 1202B6, Oct. 2016.  公式リンク  
  
• T. Oshima, R. Wakabayashi, M. Hattori, Akihiro Hashiguchi, Naoto Kawano, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu. Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga₂O₃, Japanese Journal of Applied Physics, The Japan Society of Applied Physics, Vol. 55, No. 1202B7, Oct. 2016.  公式リンク  
  
• K. Yoshimatsu, Hirokazu Okabe, T. Oshima, S. Ueda, A. Ohtomo. Strain-induced metal-insulator transition in t_2g electron system of perovskite titanate Sm_0.5Ca_0.5TiO₃ filmss, Physics Review B, American Physical Society, Vol. 93, 19, 195159, May 2016.  公式リンク  
  
• H. Mashiko, K. Yoshimatsu, T. Oshima, A. Ohtomo. Fabrication and Characterization of Semiconductor Photoelectrodes with Orientation-Controlled α-Fe₂O₃ Thin Films, The Journal of Physical Chemistry C, ACS Publications, Vol. 120, No. 5, pp. 2747–2752, Jan. 2016.  公式リンク  
  
• K. Yoshimatsu, M. Niwa, H. Mashiko, T. Oshima, A. Ohtomo. Reversible superconductor-insulator transition in LiTi₂O₄ induced by Li-ion electrochemical reaction, Scientific Reports, Macmillan Publishers Limited, Vol. 5, 16325, Nov. 2015.  公式リンク  
  
• R. Wakabayashi, T. Oshima, M. Hattori, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Oxygen-radical-assisted pulsed-laser deposition of β-Ga₂O₃ and β-(Al_xGa_1−x)₂O₃ films, Journal of Crystal Growth, Elsevier, Vol. 424, pp. 77-79, May 2015.
• Takayoshi Oshima, Keitarou Matsuyama, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo. Conducting Si-doped γ-Ga₂O₃ epitaxial films grown by pulsed-laser deposition, Journal of Crystal Growth, Elsevier, Volume 421, Page 23-26, Apr. 2015.  公式リンク  
  
• T. Oshima, M. Niwa, K. Yokoyama, A. Ohtomo. Pulsed-laser deposition of superconducting LiTi₂O₄ ultrathin films, Journal of Crystal Growth, Elsevier, Volume 419, Page 153-157, Mar. 2015.
• K. Yoshimatsu, K. Nogami, K. Watarai, K. Horiba, H. Kumigashira, O. Sakata, T. Oshima, A. Ohtomo. Synthesis and magnetic properties of double-perovskite oxide La₂MnFeO₆ thin films, Physics Review B, American Physical Society, Vol. 91, 5, 054421, Feb. 2015.  公式リンク  
  
• Kohei Yoshimatsu, Takayuki Suzuki, Nobuo Tsuchimine, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, Takayoshi Oshima, Akira Ohtomo. Direct growth of metallic TiH₂ thin films by pulsed laser deposition, Applied Physics Express, Vol. 8, No. 3, Feb. 2015.  公式リンク  
  
• T. Oshima, M. Niwa, A. Mukai, T. Nagami, T. Suyama, A. Ohtomo. Epitaxial growth of wide-band-gap ZnGa₂O₄ films by mist chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Elsevier, Volume 386, Page 190-193, Jan. 2014.  公式リンク  
  
• T. Oshima, K. Kaminaga, H. Mashiko, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Ohtomo. β-Ga₂O₃ single crystal as a photoelectrode for water splitting, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 52, 111102-1-4, Nov. 2013.  公式リンク  
  
• K. Nogami, K. Yoshimatsu, H. Mashiko, E. Sakai, H. Kumigashira, O. Sakata, T. Oshima, A. Ohtomo. Epitaxial synthesis and electronic properties of double-perovskite Sr₂TiRuO₆ films, Applied Physics Express, The Japan Society of Applied Physics, Volume 6, Number 10, 105502-1-4, Sept. 2013.  公式リンク  
  
• T. Oshima, K. Kaminaga, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, S. Fujita, A. Ohtomo. Formation of semi-insulating layers on semiconducting β-Ga₂O₃ single crystals by thermal oxidation, Japanese Journal of Applied Physics, The Japan Society of Applied Physics, Volume 52, Number 5, 051101-1-5, Apr. 2013.  公式リンク  
  
• A. Ohtomo, S. Chakraverty, H. Mashiko, T. Oshima, M. Kawasaki. Spontaneous atomic ordering and magnetism in epitaxially stabilized double perovskites, Journal of Materials Research, Materials Research Society, Volume 28, pp. 689-695, Jan. 2013.  公式リンク  
  
• H. Mashiko, T. Oshima, A. Ohtomo. Epitaxial structures of band-gap-engineered α-(Cr_xFe_1-x)₂O₃ (0 ≤x≤1) films grown on C-plane sapphire, Japanese Journal of Applied Physics, The Japan Society of Applied Physics, Vol. 51, 11PG11-1-5, Nov. 2012.  公式リンク  
  
• T. Oshima, T. Nakazono, A. Mukai, A. Ohtomo. Epitaxial growth of γ-Ga₂O₃ films by mist chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Elsevier, Volume 359, Page 60-63, Sept. 2012.  公式リンク  
  
• H. Mashiko, T. Oshima, A. Ohtomo. Band-gap narrowing in α-(Cr_xFe_1-x)₂O₃ solid-solution films, Applied Physics Letters, American Institute of Physics, Vol. 99, 241904-1-3, Dec. 2011.  公式リンク  
  
• Takeya Okuno, Takayoshi Oshima, Sam-Dong Lee, Shizuo Fujita. Growth of SnO2 crystalline thin films by mist chemical vapour deposition method, Physica Status Solidi (c), Vol. 8, pp. 540-542, Feb. 2011.
• Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Shizuo Fujita. UV-B sensor based on a SnO2 thin film, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 48, 120207, Dec. 2009.
• Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Naoki Arai, Yasushi Kobayashi, Shizuo Fujita. β-Al_2rGa_2-2rO₃ thin film growth by molecular beam epitaxy, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 48, 0702002, June 2009.
• Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Naoki Arai, Yasushi Kobayashi, Shizuo Fujita. Wet etching of β-Ga₂O₃-based sensor, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 48, 040208, Apr. 2009.
• Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Naoki Arai, Norihito Suzuki, Yasushi Kobayashi, Harumichi Hino, Shizuo Fujita. Flame detection by a β-Ga₂O₃-based sensor, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 48, 011605, Jan. 2009.
• Shigeo Ohira, Naoki Arai, Takayoshi Oshima, Shizuo Fujita. Atomically controlled surfaces with step and terrace of β-Ga₂O₃ single crystal substrates for thin film growth, Appl. Surf. Sci., Vol. 254, pp. 7838-7842, Sept. 2008.
• Takayoshi Oshima, Shizuo Fujita. Properties of Ga₂O₃-based (In_xGa_1-x)₂O₃ alloy thin films grown by molecular beam epitaxy, Phys. Status Solidi C, Vol. 5, pp. 3113-3115, July 2008.
• Takayoshi Oshima, Naoki Arai, Norihito Suzuki, Shigeo Ohira, Shizuo Fujita. Surface morphology of homoepitaxial β-Ga₂O₃ thin films grown by molecular beam epitaxy, Thin Solid Films, Vol. 516, pp. 5768-5771, July 2008.
• Takayoshi Oshima, Takeya OKuno, Naoki Arai, Norihito Suzuki, Shigeo Ohira, Shizuo Fujita. Vertical solar-blind deep-ultraviolet Schottky photodetectors based on β-Ga₂O₃ substrates, Appl. Phys. Express, Vol. 1, 011202, Jan. 2008.
• Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Shizuo Fujita. Ga₂O₃ thin film growth on c-plane sapphire substrates by molecular beam epitaxy for deep-ultraviolet photodetectors, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, pp. 7217-7220, Nov. 2007.
• Lv Jianguo, Shizuo Fujita, Toshiyuki Kawaharamura, Hiroyuki Nishinaka, Yudai Kamada, Takayoshi Oshima. Carrier concentration dependence of band gap shift in n -type ZnO:Al films, Journal of Applied Physics, Vol. 101, 083705, Apr. 2007.
• Lv Jianguo, Toshiyuki Kawaharamura, Hiroyuki Nishinaka, Yudai Kamada, Takayoshi Oshima, Shizuo Fujita. ZnO-based thin films synthesized by atmospheric pressure mist chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Vol. 299, 1, Feb. 2007.
• Lv Jianguo, Shizuo Fujita, Toshiyuki Kawaharamura, Hiroyuki Nishinaka, Yudai Kamada, Takayoshi Oshima. Carrier concentration induced band-gap shift in Al-doped Zn_1-xMg_xO thin films, Applied Physics Letters, Vol. 89, 26, Dec. 2006.
• Takayoshi Oshima, Shizuo Fujita. (111)-oriented Zn₃N₂ growth on a-plane sapphire substrates by molecular beam epitaxy, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 45, pp. 8653-8655, Nov. 2006.

国際会議発表 (査読有り)

• A. Ohtomo, M. Irino, K. Ohashi, T. Oshima. Graphoepitaxy of ZnO: novel selection rule of domain formation on nanopatterned glass surface, 2014 Materials Research Society Fall Meeting, Dec. 2014.  公式リンク  
  
• T. Oshima. Optical applications of wide-band-gap gallium oxide, 23rd Congress and General Assembly of the International Union of Crystallography, Aug. 2014.  公式リンク  
  
• T. Oshima, K. Kaminaga, H. Mashiko, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Ohtomo. β-Ga₂O₃ photoeledtrode for water splitting, The 41th International Symposium on Compound Semiconductor, May 2014.  公式リンク  
  
• T. Oshima, M. Niwa, A. Mukai, T. Nagami, T. Suyama, A. Ohtomo. Epitaxial growth of wide-band-gap ZnGa₂O₄ films, The 41th International Symposium on Compound Semiconductor, May 2014.  公式リンク  
  
• A. Mukai, T. Oshima, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Ohtomo. Doping control in device-grade β-Ga₂O₃ homoepitaxial films grown by pulsed-laser deposition, 2013 Materials Research Society Fall Meeting, Dec. 2013.  公式リンク  
  
• Takayoshi OSHIMA. Gallium Oxide related materials as Novel Wide-Band-Gap, International Device Physics Young Scientist Symposium 2013, Mar. 2013.
• A. Ohtomo, S. Chakraverty, H. Mashiko, T. Oshima, M. Kawasaki. Spontaneous atomic ordering and magnetism in epitaxially stabilized double-perovskites, 2012 Materials Research Society Spring Meeting, MRS Proceedings, Cambridge University Press, Volume 1454, pp. 3-13, May 2012.  公式リンク  
  
• Shizuo Fujita, Takumi Ikenoue, Naoki Kameyama, Takayoshi Oshima. Ultraviolet Photodetectors with Novel Oxide Thin Films, 52nd Electronic Materials Conference, June 2010.
• Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Shizuo Fujita. UV-B sensing with tin dioxide semiconductors, 37th International Symposium on Compound Semiconductors, TuD1-2, May 2010.
• Takeya Okuno, Takayoshi Oshima, Sam-Dong Lee, Shizuo Fujita. Characteristics of high quality SnO2 thin films grown by novel mist chemical vapor deposition method., 37th International Symposium on COmpound Semiconductor, TuP93, May 2010.
• Shizuo Fujita, Kentaro Kaneko, Takayoshi Oshima. Wide bandgap oxide semiconductors for novel functions and applications, 216th Electrochemical Society Meeting, 2340, Oct. 2009.
• Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Naoki Arai, Yasushi Kobayashi, Shizuo Fujita. β-Al_2rO<subGa_2-2rO₃ thin film growth by molecular beam epitaxy, 36th International Symposum on Compound Semiconductors, 7.5, Aug. 2009.
• Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Naoki Arai, Satoshi Takeda, Yasushi Kobayashi, Harumichi Hino, Shizuo Fujita. Solar-blind photodetector based on β-Ga₂O₃ and its application to a flame sensor, 6th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics, 16a-O004, Apr. 2009.
• Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Naoki Arai, Yasushi Kobayashi, Shizuo Fujita. Patterning of β-Ga₂O₃ for device fabrication, 6th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics, 16p-P167, Apr. 2009.
• Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Naoki Arai, Norihito Suzuki, Shigeo Ohira, Shizuo Fujita. Potentially high breakdown field in β-Ga₂O₃ semiconductors, IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference 2008, TuB I-3, Oct. 2008.
• Shizuo Fujita, Takayoshi Oshima, Daisuke Shinohara, Takeya Okuno. Wide band gap gallium oxide semiconductros with deep ultraviolet optical functions, International Conference on Electronic Materials 2008, A1-S3.4, July 2008.
• Takayoshi Oshima, Naoki Arai, Norihito Suzuki, Shigeo Ohira, Shizuo Fujita. Deep UV detectors with a novel Ga₂O₃ semiconductor, 50th Electronic Materials Conference, Q5, June 2008.
• Takayoshi Oshima, Norihito Suzuki, Naoki Arai, SHigeo Ohira, Shizuo Fujita. Properties of wide bandgap β-Ga₂O₃ semiconductros grown by molecular beam epitaxy, 34th International Symposium on Compound Semiconductors, MoC P44, Oct. 2007.
• Daisuke Shinohara, Hiroyuki Nishinaka, Takayoshi Oshima, Shizuo Fujita. Epitaxial growth of wide bandgap semiconductor: α-Ga₂O₃ thin film on α-AlGa₂O₃ by ultrasonic spray chemical vapor deposition, 14th International Workshop on Oxide Electronics, PII-54, Oct. 2007.
• Takayoshi Oshima, Naoki Arai, Shigeo Ohira, Shizuo Fujita. Homoepitaxial step-flow growth of β-Ga₂O₃ thin films by molecular beam epitaxy, 14th International Workshop on Oxide Electronics, PII-20, Oct. 2007.
• Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Shizuo Fujita. MBE growth and characterization of Ga₂O₃ and (InGa)₂O₃films with ultraviolet optical functions, 49th Electronic Materials Conference, AA4, June 2007.
• Takayoshi Oshima, Naoki Arai, Norihito Suzuki, Shigeo Ohira, Shizuo Fujita. Properties of homoepitaxial-grown β-Ga₂O₃ by molecular beam epitaxy, 5th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics, P43, May 2007.
• Takayoshi Oshima, Shizuo Fujita. MBE growth and characterization of Ga₂O₃ and (InGa)₂O₃ films for ultraviolet applications, 211th Electrochemical Society Meeting, E5 769, May 2007.

国内会議発表 (査読有り)

• 大島 孝仁. 酸化ガリウムの研究とエレクトロニクスへの応用, 佐賀大学グリーンエレクトロニクス研究所セミナー, Oct. 2015.  公式リンク  
  
• T. Oshima, K. Kaminaga, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, S. Fujita, A. Ohtomo. Semi-insulation behavior in conducting β-Ga₂O₃ single crytal surfaces by thermal oxidation, 32nd Electronic materials Symposium, July 2013.  公式リンク  
  
• 大島孝仁, 奥野剛也, 藤田静雄. SnO2薄膜を用いたUV-B検出器, 第6回薄膜材料デバイス研究会, 3P52, Nov. 2009.
• 大島 孝仁, 奥野 剛也, 新井 直樹, 竹田 聡, 小林 恭, 樋野 治道, 藤田 静雄. β-Ga₂O₃based sensor for flame detection, 第28回電子材料シンポジウム, J4, July 2009.
• 大島孝仁, 奥野剛也, 新井直樹, 竹田聡, 小林恭, 樋野治道, 藤田静雄. 酸化ガリウムを用いた殺菌ランプ監視用深紫外光検出システムの実用化, 平成20年度VBL研究助成成果報告会, June 2009.
• 大島 孝仁, 新井 直樹, 鈴木 悟仁, 大平 重男, 藤田 静雄. Schottky barrier diode based on β-Ga₂O₃, 第27回電子材料シンポジウム, J7, July 2008.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• T. Oshima, R. Wakabayashi, M. Hattori, Akihiro Hashiguchi, Naoto Kawano, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu. ITO ohmic contacts for β-Ga₂O₃, German-Japanese Gallium Oxide Technical Meeting 2016, Sept. 2016.  公式リンク  
  
• R. Wakabayashi, T. Oshima, M. Hattori, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Strong Fermi-Level Pinning at Metal/β-Ga₂O₃ (̅201) Interface, The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nov. 2015.  公式リンク  
  
• Takayoshi Oshima, Keitarou Matsuyama, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo. N-type doping of γ-Ga₂O₃ epitaxial film, The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nov. 2015.  公式リンク  
  
• M. Hattori, R. Wakabayashi, T. Oshima, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Evaluation of Band Offset at β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/β-Ga₂O₃ Heterointerface, The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nov. 2015.  公式リンク  
  
• M. Hattori, T. Oshima, R. Wakabayashi, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Epitaxial Relationship and Capacitance-Voltage Characteristicsof γ-Al₂O₃ Films Grown on (010) β-Ga₂O₃ Substrates, The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nov. 2015.  公式リンク  
  
• R. Wakabayashi, T. Oshima, M. Hattori, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Growth and Electric Properties of Conductive β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ Films, The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nov. 2015.  公式リンク  
  
• Takuto Soma, K. Yoshimatsu, T. Oshima, A. Ohtomo. Metallization of WO₃ epitaxial films using Li-ion electrochemical intercalation, The 9th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-9), Oct. 2015.  公式リンク  
  
• Masato Maitani, Takuya Yamada, Hisanori Mashiko, Kohei Yoshimatsu, Takayoshi OSHIMA, Shuntaro Tsubaki, EIICHI SUZUKI, A. Ohtomo, Yuji Wada. Growth control of CoPi co-catalysts on Fe₂O₃ by microwave interfacial heating, The First International Symposium on Recent Progress of Energy and Environmental Photocatalysis, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• H. Mashiko, K. Yoshimatsu, T. Oshima, A. Ohtomo. Fabrication and Characterization of Semiconductor-Photoelectrodes Based on Earth-Abundant Fe₂O₃ with Various Crystalline Orientations, The 3rd International Education Forum on Environment and Energy Science, Dec. 2014.  公式リンク  
  
• K. Yoshimatsu, K. Nogami, K. Watarai, H. Mashiko, E. Sakai, H. Kumigashira, O. Sakata, T. Oshima, A. Ohtomo. Synthesis and spectroscopic study on double-perovskite oxide thin films, 2014 Energy Materials Nanotechnology Open Access week, Sept. 2014.  公式リンク  
  
• K. Ohashi, M. Irino, T. Oshima, A. Ohtomo. Epitaxial structure of ZnO on patterned glass substrates, The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics, June 2014.  公式リンク  
  
• T. Suzuki, K. Yoshimatsu, N. Tsuchimine, T. Oshima, K. Horiba, H. Kumigashira, A. Ohtomo. Layer-by-layer growth of titanium hydride on metal-oxide substrates, The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics, June 2014.  公式リンク  
  
• M. Niwa, A. Mukai, T. Oshima, T. Nagami, T. Suyama, A. Ohtomo. Epitaxial growth of ZnGa₂O₄ films by mist chemical vapor deposition, The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics, June 2014.  公式リンク  
  
• H. Mashiko, T. Oshima, A. Ohtomo. Enhanced visible-light water photolysis in iron oxide-based epitaxial photoanodes with staggered band alignment, Energy Materials Nanotechnology Spring Meeting 2014, Feb. 2014.  公式リンク  
  
• H. Mashiko, T. Oshima, K. Yoshimatsu, E. Sakai, H. Kumigashira, J. T. Song, T. Iwasaki, M. Hatano, A. Ohtomo. A systematic study of (Cr_xFe_1-x)₂O₃ solid-solution photoelectrodes for visible-light-driven water splitting, The Second International Education Forum on Environment and Energy Science, Dec. 2013.  公式リンク  
  
• T. Oshima, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Ohtomo. β-Al_2XGa_2-2XO₃ thin films for β-Ga₂O₃ hetero-device applications, 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Sept. 2013.  公式リンク  
  
• T. Kudoh, T. Oshima, A. Ohtomo. Nano-scale patterning of glass surface with block copolymer self-assembly, 5th Multidisciplinary International Student Workshop (MISW2013), Aug. 2013.  公式リンク  
  
• K. Nogami, H. Mashiko, K. Yoshimatsu, E. Sakai, H. Kumigashira, O. Sakata, T. Oshima, A. Ohtomo. Epitaxial synthesis and electronic properties of double-perovskite Sr₂TiRuO₆, The Seventh International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-7), June 2013.  公式リンク  
  
• H. Mashiko, T. Oshima, K. Yoshimatsu, E. Sakai, H. Kumigashira, A. Ohtomo. Modulation of electronic structure in α-(Cr_XFe_1-X)₂O₃ solid solution for improving visible-light photocatalytic activity, The Seventh International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-7), June 2013.  公式リンク  
  
• A. Mukai, T. Oshima, T. Nagami, K. Fukuda, T. Suyama, A. Ohtomo. Cathodoluminescence properties of β-Al_2xGa_2-2xO₃, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, May 2013.  公式リンク  
  
• H. Mashiko, T. Oshima, E. Sakai, H. Kumigashira, A. Ohtomo. Band-gap narrowing in α-Cr₂O₃-Fe₂O₃ solid solution films, 2013 Materials Research Society Spring Meeting, Apr. 2013.  公式リンク  
  
• T. Oshima, T. Nakazono, A. Mukai, A. Ohtomo. Mist chemical vapor deposition of γ-phase Ga₂O₃ thin films, 39th International Symposium on Compound Semiconductors, Aug. 2012.
• A. Ohtomo, S. Chakraverty, H. Mashiko, T. Oshima, M. Kawasaki. Design and synthesis of ubiquitous-elements-based novel magnetic oxides, The 6th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-6), June 2012.  公式リンク  
  

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 大島孝仁, 若林諒, 服部真依, 橋口 明広, 河野 直士, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明. β-Ga₂O₃用ITOオーミック電極, 第77回応用物理学会春季学術講演会, Sept. 2016.  公式リンク  
  
• 今別府秀行, 大島孝仁, 服部真依, 中谷 道人, 須山 敏尚, 吉松 公平, 大友 明. 立方晶Mg_x Zn_1−x O 混晶薄膜および超格子構造の深紫外CL 発光特性, 第77回応用物理学会春季学術講演会, Sept. 2016.  公式リンク  
  
• 工藤徹也, 大島孝仁, 吉松 公平, 大友 明. グラフォエピタキシャルZnO薄膜におけるホール移動度の向上, 第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016.  公式リンク  
  
• 山田拓也, 米谷真人, 増子尚徳, 吉松公平, 大島孝仁, 大友明, 椿俊太郎, 鈴木榮一, 和田雄二. Co-Pi所触媒粒子形成過程へのマイクロ波効果による光触媒能の向上, 第9回日本電磁波エネルギー応用学会シンポジウム, Nov. 2015.  公式リンク  
  
• 中村 研太郎, 増子尚徳, 吉松公平, 大島孝仁, 大友 明. 界面終端面を制御した金属酸化物ヘテロ接合の可視光水分解特性, 第5回CSJ化学フェスタ, Oct. 2015.  公式リンク  
  
• 岡部 宏和, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明. ペロブスカイト型Ti 酸化物の金属- 絶縁体転移における格子歪みの効, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• 服部 真依, 大島 孝仁, 若林 諒, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明. β-Ga₂O₃上γ-Al₂O₃膜のエピタキシャル構造と容量電圧特性評価, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• 若林 諒, 大島 孝仁, 服部 真依, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明. 金属/β-Ga₂O₃ (̅201)界面における強いフェルミ準位ピンニング効果, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• 工藤 徹也, 大島 孝仁, 大橋 一輝, 吉松 公平, 大友 明. ZnO グラフォエピタキシャル薄膜の電気特性評価, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• 黒川 輝, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明. Ti₂O₃ エピタキシャル薄膜の合成と異方性伝導, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• 大橋 一輝, 工藤 徹也, 大島 孝仁, 吉松 公平, 大友 明. ガラス上の3 次元高配向薄膜成長に向けたナノスケール周期微細構造の, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• 若林 諒, 大島 孝仁, 服部 真依, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明. 酸素ラジカル支援パルスレーザ堆積法による酸化ガリウム系混晶薄膜の成長, 第34回電子材料シンポジウム, July 2015.  公式リンク  
  
• 大島 孝仁, 服部 真依, 若林 諒, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 堀場 弘司, 組頭 広志, 吉松 公平, 大友 明. β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/β-Ga₂O₃ヘテロ接合におけるタイプI型バンドラインナップ, 第34回電子材料シンポジウム, July 2015.  公式リンク  
  
• 服部 真依, 若林 諒, 大島 孝仁, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 堀場 弘司, 組頭 広志, 吉松 公平, 大友 明. β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/β-Ga₂O₃/ヘテロ接合のバンドオフセット評価, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.  公式リンク  
  
• 若林 諒, 服部 真依, 大島 孝仁, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明. 酸素ラジカル支援PLD法による酸化ガリウム系混晶薄膜の成長, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.  公式リンク  
  
• 相馬 拓人, 吉松 公平, 丹羽 三冬, 大島 孝仁, 大友 明. 電気化学的Li挿入によるWO₃エピタキシャル薄膜の金属化, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.  公式リンク  
  
• 増子 尚徳, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明. 配向を制御したα-Fe₂O₃薄膜のインピーダンス測定評価, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.  公式リンク  
  
• 岡部宏和, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明. Ca_xSm_1-xTiO₃エピタキシャル薄膜の作製と電気特性評価, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.  公式リンク  
  
• 渡会 啓介, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明. ダブルペロブスカイト型Sr₂CoRuO₆の薄膜成長と物性, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.  公式リンク  
  
• 渡会 啓介, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明. ダブルペロブスカイト型Sr₂CoRuO₆の薄膜合成と物性, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015.  公式リンク  
  
• R. Wakabayashi, M. Hattori, T. Oshima, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Oxygen-radical-assisted pulsed-laser deposition of β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ alloy films, The 1st E-MRS/MRS-J Bilateral Symposia -Materials Frontier for Transparent Advanced Electronic, Dec. 2014.  公式リンク  
  
• 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明. TiO_x薄膜の合成と物性, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2014.  公式リンク  
  
• 増子 尚徳, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明. 配向を制御したα-Fe₂O₃薄膜の半導体光電極特性, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2014.  公式リンク  
  
• 向井 章, 大島 孝仁, 吉松 公平, 藤井 俊輔, 須山 敏尚, 大友 明. LaGaO₃エピタキシャル薄膜の成長と深紫外カソードルミネッセンス特性評価, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2014.  公式リンク  
  
• 大橋 一輝, 入野 将昂, 大島 孝仁, 吉松 公平, 大友 明. 高機能薄膜のグラフォエピタキシーに向けたガラス基板のナノパターニング, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2014.  公式リンク  
  
• 渡会 啓介, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明. ダブルペロブスカイト型La₂TiFeO₆の薄膜成長と物性, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2014.  公式リンク  
  
• 松山 慶太朗, 大島 孝仁, 吉松 公平, 大友 明. 伝導性γ相酸化ガリウム薄膜の作製, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2014.  公式リンク  
  
• 丹羽 三冬, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明. Li脱挿入によるLiTi₂O₄超伝導-絶縁状態間の可逆的スイッチング, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2014.  公式リンク  
  
• 中村 研太郎, 増子 尚徳, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明. LaFeO₃/SrTiO₃ヘテロ構造の半導体光電極特性, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2014.
• 大島孝仁. 博士課程時代の過ごし方, Apr. 2014.
• 入野 将昂, 大島 孝仁, 大友 明. ZnOグラフォエピタキシャル薄膜の成長機構, 第61回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2014.  公式リンク  
  
• 鈴木 崇之, 土嶺 信男, 大島 孝仁, 吉松 公平, 大友 明. パルスレーザ堆積法を用いたTiH₂薄膜の作製, 第61回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2014.  公式リンク  
  
• 野上 顕悟, 吉松 公平, 渡会 啓介, 大島 孝仁, 大友 明. ダブルペロブスカイト型La₂MnFeO₆の薄膜成長と磁化特性, 第61回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2014.  公式リンク  
  
• 大島 孝仁. Ga系ワイドギャップ酸化物半導体のエピタキシャル成長, 日本学術振興会産学協力研究委員会 透明酸化物光・電子材料第166委員会, Jan. 2014.  公式リンク  
  
• 大島孝仁. 酸化鉄クロム混晶による新規可視光応答材料の検討, 徳山科学技術財団第16回研究成果報告会, Dec. 2013.
• 大島 孝仁, 中園 敦巳, 丹羽 三冬, 向井 章, 大友 明. ワイドギャップガリウム系酸化物薄膜のエピタキシャル成長と物性, TIESテクニカルミーティング, Oct. 2013.
• 大島 孝仁, 神永 健一, 増子 尚徳, 向井 章, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 大友 明. β-Ga₂O₃単結晶光電極の特性評価, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2013.  公式リンク  
  
• 向井 章, 大島 孝仁, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 大友 明. PLD法による(201)面β-Ga₂O₃ホモエピタキシャル成長の温度依存性, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2013.  公式リンク  
  
• 丹羽 三冬, 向井 章, 大島 孝仁, 長見 知史, 須山 敏尚, 大友 明. ミストCVD法によるZnGa₂O₄薄膜のエピタキシャル成長, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2013.  公式リンク  
  
• 入野 将昂, 大島 孝仁, 大友 明. ZnOのグラフォエピタキシーに向けたガラス基板表面の加工と初期成長観察, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2013.  公式リンク  
  
• 大島 孝仁, 増子 尚徳, 野上 顕悟, 吉松 公平, 坂井 延寿, 組頭 広志, 坂田 修身, 大友 明. 遷移金属酸化物の電子構造制御による光エネルギー変換材料への展開, ISSPセミナー（Polar oxides for energy conversion）, June 2013.  公式リンク  
  
• T. Oshima, K. Kaminaga, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, S. Fujita, A. Ohtomo. Semi-insulation of conducting β-Ga₂O₃ single crystal surfaces by thermal oxidation, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, May 2013.  公式リンク  
  
• 向井 章, 大島 孝仁, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 大友 明. β-Ga₂O₃ (201)基板上のAl_2xGa_2-2xO₃薄膜の成長制御, 第60回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013.  公式リンク  
  
• 横山 耕祐, 大島 孝仁, 大友 明. LiTi₂O₄薄膜における超伝導特性の膜厚依存性, Mar. 2013.  公式リンク  
  
• 野上 顕悟, 増子 尚徳, 坂井 延寿, 組頭 広志, 大島 孝仁, 大友 明. ダブルペロブスカイト型Sr₂TiRuO₆の薄膜成長と物性, 第60回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013.  公式リンク  
  
• 増子 尚徳, 宋 浚太, 岩崎 孝之, 波多野 睦子, 大島 孝仁, 大友 明. α-(Cr_xFe_1-x)₂O₃薄膜の半導体光電極評価, 60回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013.  公式リンク  
  
• 大島 孝仁, 神永 健一, 向井 章, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 藤田 静雄, 大友 明. 熱酸化によるβ-Ga₂O₃単結晶表面の半絶縁層形成, 第60回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013.  公式リンク  
  
• 増子 尚徳, 坂井 延寿, 組頭 広志, 大島 孝仁, 大友 明. 遷移金属酸化物混晶におけるバンドギャップ狭帯化の起源, 第73回秋季応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.  公式リンク  
  
• 横山 耕祐, 丹羽 三冬, 大島 孝仁, 大友 明. パルスレーザ堆積法によるLiTi₂O₄ 薄膜のエピタキシャル成長, 第73回秋季応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.  公式リンク  
  
• 向井 章, 大島 孝仁, 大友 明. カソードルミネッセンス法によるAl_2xGa_2-2xO₃薄膜の発光特性評価, 第73回応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.  公式リンク  
  
• 大島 孝仁, 中園 敦巳, 向井 章, 大友 明. ミストCVD法によるγ型Ga₂O₃のエピタキシャル安定化, 第31回電子材料シンポジウム, July 2012.  公式リンク  
  
• 藤田 静雄, 東脇 正高, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 増井 建和, 山腰 茂伸, 大島 孝仁, 大友明. ワイドギャップ半導体酸化ガリウムの基本特性と応用, 日本学術振興会・透明酸化物光・電子材料第166委員会第55回研究会, Apr. 2012.  公式リンク  
  
• 藤田 静雄, 東脇 正高, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 増井 建和, 山脇 茂伸, 大島 孝仁, 大友 明. 酸化ガリウム半導体の機能とデバイス応用, 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第78回研究会, Mar. 2012.
• 野田 淳, 増子 尚徳, 大島 孝仁, 大友 明. α-(V_1-xCr_x)₂O₃薄膜の作製と光学特性評価, 第59回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2012.  公式リンク  
  
• 向井 章, 中園 敦巳, 大島 孝仁, 大友明. Ga₂O₃の結晶多形とヘテロエピ構造：β-Ga₂O₃/(0001)α-Al₂O₃, 春季第59回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2012.  公式リンク  
  
• 横山 耕祐, 大島 孝仁, 大友 明. パルスレーザ堆積法によるLiNbO₃のホモエピタキシャル成長, 2011年第72回応用物理学会学術講演会, Sept. 2011.  公式リンク  
  
• 向井 章, 大島 孝仁, 大友 明. PLD 法によるAl_2xGa_2-2xO₃薄膜の作製と光学的特性, 第30回電子材料シンポジウム, July 2011.  公式リンク  
  
• 増子 尚徳, 大島 孝仁, 大友 明. (Cr_xFe_1-x)₂O₃薄膜の作製と光学的特性, 第30回電子材料シンポジウム, July 2011.  公式リンク  
  
• 増子 尚徳, 大島孝仁, 大友 明. (Fe_1-XCr_x)₂O₃薄膜の作製と光学特性評価, 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011.  公式リンク  
  
• 向井 章, 大島孝仁, 大友明. Al_2XGa_2-2XO₃コンポジションスプレッド薄膜のPLD成長と光学特性評価, 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011.  公式リンク  
  
• 奥野剛也, 大島孝仁, 藤田静雄. ミストCVD法によるSnO2薄膜の作製, 2010春季第57回応用物理学会関係連合講演会, 19p-TM-3, Mar. 2010.
• 竹田聡, 新井直樹, 小林恭, 樋野治道, 大島孝仁, 藤田静雄. Ga₂O₃紫外線センサの作製と連続監視システムへの応用, 2010年春季第57回応用物理学会関係連合講演会, 19p-TM-1, Mar. 2010.
• 大島 孝仁, 奥野 剛也, 新井 直樹, 竹田 聡, 小林 恭, 樋野 治道, 藤田 静雄. ワイドギャップ酸化物半導体β-Ga₂O₃を用いた炎センサ, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, 9p-J-1, Sept. 2009.
• 大島孝仁, 奥野剛也, 新井直樹, 竹田聡, 小林恭, 樋野治道, 藤田静雄. β-Ga₂O₃基板を用いて作製した炎センサ, 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会, 31p-ZK16, Mar. 2009.
• 大島孝仁, 奥野剛也, 新井直樹, 小林恭, 藤田静雄. 分子線エピタキシー法によるβ-Al_2rGa_2-2rO₃薄膜の作製, 2009年春季第56回応用物理学関連連合講演会, 31p-ZK-17, Mar. 2009.
• 大島孝仁, 藤田静雄. 酸化ガリウムを利用した半導体炎検知器, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門第21回研究会, 17, Sept. 2008.
• 大島孝仁, 奥野剛也, 新井直樹, 鈴木悟仁, 大平重男, 藤田静雄. β-Ga₂O₃基板を用いて作製したショットキーダイオードの破壊特性, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会, 3a-ZR-7, Sept. 2008.
• 篠原大輔, 西中浩之, 大島孝仁, 騎馬啓嗣, 鎌田雄大, 川原村敏幸, 藤田静雄. ミストCVD法によるsapphire基板上α-Ga₂O₃ 薄膜の成長, 2008年春季第55回応用物理学会関係連合講演会, 28a-W-2, Mar. 2008.
• 大島孝仁, 奥野剛也, 藤田静雄, 新井直樹, 鈴木悟仁, 大平重男. β-Ga₂O₃ 基板を利用した深紫外光検出器, 2008年春季第55回応用物理学会関係連合講演会, 28p-ZC-12, Mar. 2008.
• 大島孝仁, 藤田静雄, 新井直樹, 鈴木悟仁, 大平重男. 分子線エピタキシー法によるβ-Ga₂O₃ 基板上へのβ-Ga₂O₃ ステップフロー成長, 2008年春季第55回応用物理学会関係連合講演会, 28a-W-1, Mar. 2008.
• 大島孝仁, 藤田静雄. MBEによる(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜の成長, 2007年春季第54回応用物理学会関連連合講演会, 29p-SQ-10, Mar. 2007.
• 大島孝仁, 藤田静雄. MBEによる窒化亜鉛(Zn3N2)薄膜の成長, 2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会, 29a-P2-12, Aug. 2006.
• 大島孝仁, 山下裕泰, 坂井俊, 藤田静雄. MBEによる酸化銅薄膜の成長とp型伝導性, 2005年春季第52回応用物理学会関連連合講演会, 1a-ZN-8, Mar. 2005.

その他の論文・著書など

• 藤田 静雄, 大島 孝仁, 金子 健太郎. 酸化ガリウム半導体の表面制御と高品質単結晶薄膜の作製, 表面科学, Vol. 31, No. 12, pp. 643-650, Dec. 2010.
• 藤田 静雄, 大島 孝仁, 金子 健太郎. ワイドバンドギャップ酸化ガリウム半導体, 応用物理, Vol. 78, No. 12, pp. 1150-1154, Dec. 2009.

特許など

• 大島孝仁, 大友明, 佐々木　公平. 電気化学反応装置. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 株式会社タムラ製作所. 2013/04/16. 特願2013-085494. 2014/10/30. 特開2014-205899. 2014.
• 大友明, 大島孝仁, 藤田　静雄, 東脇　正高, 佐々木　公平. Ga2O3系HEMT. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 株式会社タムラ製作所, 国立大学法人京都大学, 独立行政法人情報通信研究機構. 2012/09/07. 特願2013-532669. 2015/03/23. 特開（再表）2013/035841. 2015.

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