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大野 裕三 研究業績一覧 (13件)
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論文
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A. Tsukazaki,
S. Akasaka,
K. Nakahara,
Y. Ohno,
H. Ohno,
D. Maryenko,
A. Ohtomo,
M. Kawasaki.
Observation of the fractional quantum Hall effect in an oxide,
Nature Materials,
Nature Publishing Group,
Vol. 9,
No. 11,
pp. 889-893,
Oct. 2010.
公式リンク
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A. Tsukazaki,
A. Ohtomo,
D. Chiba,
Y. Ohno,
H. Ohno,
M. Kawasaki.
Low-temperature field-effect and magnetotransport properties in a ZnO based heterostructure with atomic-layer-deposited gate dielectric,
Applied Physics Letters,
Vol. 93,
No. 24,
241905-1-3,
Dec. 2008.
公式リンク
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A. Tsukazaki,
A. Ohtomo,
T. Kita,
Y. Ohno,
H. Ohno,
M. Kawasaki.
Quantum Hall effect in polar oxide heterostructures,
Science,
Vol. 315,
No. 5817,
pp. 1388-1391,
Mar. 2007.
公式リンク
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J. Nishii,
F. M. Hossain,
S. Takagi,
T. Aita,
K. Saikusa,
Y. Ohmaki,
I. Ohkubo,
S. Kishimoto,
A. Ohtomo,
T. Fukumura,
F. Matsukura,
Y. Ohno,
H. Koinuma,
H. Ohno,
M. Kawasaki.
High mobility thin film transistors with transparent ZnO channels,
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters,
Vol. 42,
No. 4A,
pp. L347-L349,
Apr. 2003.
公式リンク
国際会議発表 (査読有り)
国際会議発表 (査読なし・不明)
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A. Tsukazaki,
S. Akasaka,
K. Nakahara,
A. Kamisawa,
Y. Ohno,
H. Ohno,
A. Ohtomo,
M. Kawasaki.
Fractional quantum Hall effect in MgZnO/ZnO heterostructures,
The 2010 WPI-AIMR Annual Workshop,
Mar. 2010.
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A. Tsukazaki,
A. Ohtomo,
S. Akasaka,
K. Nakahara,
Y. Ohno,
H. Ohno,
M. Kawasaki.
The fractional quantum Hall effect in MgZnO/ZnO based haterostructures,
16th International Workshop on Oxide Electronics,
Oct. 2009.
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A. Ohtomo,
A. Tsukazaki,
T. Kita,
Y. Ohno,
H. Ohno,
M. Kawasaki.
Quantum Hall effect in polar oxide heterostructures,
DFG-Kolloquium “Quantum Hall System”,
June 2007.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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塚崎 敦,
赤坂 俊輔,
中原 健,
神澤 公,
大野 裕三,
大野 英男,
大友 明,
川崎雅司.
2DEG移動度100,000 cm2V-1s-1を越えるMgZnO/ZnO界面の実現,
2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2009.
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A. Ohtomo,
A. Tsukazaki,
T. Kita,
Y. Ohno,
H. Ohno,
K. Nakahara,
H. Yuji,
K. Tamura,
S. Akasaka,
H. Takasu,
M. Kawasaki.
Quantum Hall effect in ZnO,
WPI & IFCAM Joint Workshop "Challenge of Interdisciplinary Materials Science to Technological Innovation of the 21st Century",
Feb. 2008.
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鈴木 健二,
Yasushi Nagamune,
大野 裕三,
Takeshi Noda,
Hiroyuki Sakaki,
荒川 泰彦.
Temperature Dependence Negative Drift Mobility by Direct Observation of Carrier in Quantum Well,
The 57th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics,
Sept. 1996.
その他の論文・著書など
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塚崎 敦,
大友 明,
北 智洋,
大野 裕三,
大野 英男,
川崎 雅司.
ZnO/MgZnO界面における量子ホール効果,
固体物理,
Vol. 42,
No. 9,
pp. 559-567,
Sept. 2007.
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大友 明,
塚崎 敦,
北 智洋,
大野 裕三,
大野 英男,
川崎雅司.
ZnOの量子ホール効果,
応用電子物性分科会誌,
Vol. 13,
No. 2,
p. 73-78,
June 2007.
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