酒井義雄研究業績一覧 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

酒井義雄研究業績一覧 (6件)

伊藤隆司, 酒井義雄. GaAs-MIS-FET, 応用物理, 応用物理学会, Vol. 43, No. 10, pp. 1042-1045, Oct. 1974.
伊藤隆司, 酒井義雄. GaAs-MIS-FET, 応用物理, 応用物理学会, Vol. 43, No. 10, pp. 1042-1045, Oct. 1974.
Takashi Ito, Yoshio Sakai. The GaAs Inversion-Type MIS Transistors, Solid-State Electronics, Solid-State Electronics, Vol. 17, pp. 751-759, July 1974.
伊藤隆司, 酒井義雄. GaAｓ-絶縁膜界面における変性層トラップ密度と充放電特性, 電気学会論文誌, Vol. 94-C, No. 6, pp. 113-120, June 1974.
寺尾博, 伊藤隆司, 酒井義雄. InAs-MIS構造の界面特性と電界効果トランジスタへの応用, 電気学会論文誌, 電気学会, Vol. 94-C, No. 4, pp. 9-16, Apr. 1974.
伊藤隆司, 酒井義雄. GaAs表面への絶縁層の生成と界面特性, 電気学会論文誌, Vol. 93-A, No. 2, pp. 11-18, Feb. 1973.