国際会議発表 (査読なし・不明)

• 宋 禛漢, Kazuki Matsumoto, Kuniyuki KAKUSHIMA, Yoshinori Kataoka, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, HIROSHI IWAI. Reduction of the resistivities of Ni Silicide formed by the reaction of Si nanowire and Ni thin films, J. Song, K. Matsumoto, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Reduction of the resistivities of Ni Silicide formed by the reaction of Si nanowire and Ni thin films”, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan, 2014.
• Hiroki Hasegawa, Y. Wu, 宋 禛漢, Kuniyuki KAKUSHIMA, Yoshinori Kataoka, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, HIROSHI IWAI. The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, 2014.
• 宋 禛漢, Kazuki Matsumoto, Kuniyuki KAKUSHIMA, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, HIROSHI IWAI. Resistivity of Ni silicide nanowires and its dependence on Ni film thickness used for the formation, ECS 224nd Meeting, ECS Transactions, Vol. 58, No. 7, pp. 87-91, Oct. 2013.
• 宋 禛漢, 小山将央, Kazuki Matsumoto, Kuniyuki KAKUSHIMA, 中塚理, 大毛利健治, KAZUO TSUTSUI, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI. Atomically flat Ni-silicide/Si interface using NiSi2 sputtering, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology (WIMNACT 37), 2013.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 長谷川明紀, 呉研, 宋 禛漢, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋. Mg/Si極薄膜積層の熱処理を用いて作製したMg2Siの赤外線吸収特性評価, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 宋 禛漢, 松本一輝, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. Niシリサイドナノワイヤ抵抗率のNi膜厚依存性, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.
• 長谷川明紀, 呉研, 宋 禛漢, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋. 低バンドギャップ、バンドオフセットを持つ半導体シリサイド/Si接合によるトンネルFET特性向上, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.

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