@inproceedings{CTT100833081, author = {渡辺正裕 and 執行直之 and 星井拓也 and 古川和由 and 角嶋邦之 and 佐藤克己 and 末代知子 and 更屋拓哉 and 高倉俊彦 and 伊藤一夫 and 福井宗利 and 鈴木慎一 and 竹内 潔 and 宗田伊里也 and 若林 整 and 中島 昭 and 西澤伸一 and 筒井一生 and 平本俊郎 and 大橋弘通 and 岩井洋}, title = {トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション}, booktitle = {電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報}, year = 2019, } @inproceedings{CTT100673055, author = {劉 璞誠 and 中島 昭 and Kuniyuki KAKUSHIMA and T. Makino and M. Ogura and 西澤伸一 and HIROSHI IWAI and 大橋弘通}, title = {A study on mobility of 2D hole gas in AlGaN/GaN heterostructure with piezo- and spontaneous polarizationn}, booktitle = {}, year = 2014, } @inproceedings{CTT100673181, author = {Hiroaki Yonezawa and Rei Kayanuma and 中島 昭 and 西澤伸一 and 大橋弘通 and KAZUO TSUTSUI and Kuniyuki KAKUSHIMA and Hitoshi Wakabayashi and HIROSHI IWAI}, title = {AlGaN/GaN-based p-channel HFETs with wide-operating temperature}, booktitle = {}, year = 2014, } @inproceedings{CTT100673182, author = {Kazuma Terayama and 中島 昭 and 西澤伸一 and 大橋弘通 and Kuniyuki KAKUSHIMA and Hitoshi Wakabayashi and KAZUO TSUTSUI and HIROSHI IWAI}, title = {Caluculation of ultimate on-resistance in GaN lateral HFETs using device simulation}, booktitle = {}, year = 2014, } @inproceedings{CTT100673377, author = {中島 昭 and Hiroaki Yonezawa and KAZUO TSUTSUI and Kuniyuki KAKUSHIMA and 西澤伸一 and 大橋弘通 and Hitoshi Wakabayashi and HIROSHI IWAI}, title = {One-chip operation of GaN-based P-channel and N-channel Heterojunction Field Effect Transistors}, booktitle = {}, year = 2014, } @inproceedings{CTT100674044, author = {Yoon Minjae and 寺山一真 and 中島 昭 and 西澤伸一 and 大橋弘通 and 角嶋邦之 and 若林整 and 筒井一生 and 岩井洋}, title = {デバイスシミュレーションによるAlGaN/GaN系FinFETsにおけるスケーリング則の検証}, booktitle = {}, year = 2014, } @inproceedings{CTT100674051, author = {寺山一真 and 中島 昭 and 西澤伸一 and 大橋弘通 and 角嶋邦之 and 若林整 and 筒井一生 and 岩井洋}, title = {デバイスシミュレーションによる横型GaNパワーデバイスの極限オン抵抗の試算}, booktitle = {}, year = 2014, } @inproceedings{CTT100674052, author = {米澤宏昭 and 萱沼怜 and 中島 昭 and 西澤伸一 and 大橋弘通 and 筒井一生 and 角嶋邦之 and 若林整 and 岩井洋}, title = {広い温度範囲で動作するAlGaN/GaN系Pチャネル型HFET}, booktitle = {}, year = 2014, } @inproceedings{CTT100673474, author = {岡本真里 and 松川佳弘 and 角嶋邦之 and 片岡好則 and 西山彰 and 杉井信之 and 若林整 and 筒井一生 and 名取研二 and 大橋弘通 and 岩井洋 and 齋藤渉}, title = {TiB2電極の熱処理によるAlGaN/GaNへのコンタクト特性の変化}, booktitle = {}, year = 2014, } @inproceedings{CTT100661653, author = {米澤宏昭 and 中島 昭 and 西澤 伸一 and 大橋 弘通 and 筒井一生 and 角嶋邦之 and 若林整 and 岩井洋}, title = {AlGaN/GaN系pチャンネルHFETの製作}, booktitle = {}, year = 2013, }