論文

• Masahiro Watanabe, Tatsuya Ishikawa, Masaki Matsuda, THORU KANAZAWA, MASAHIRO ASADA. Room Temperature Negative Differential Resistance of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode grown on Si(100) substrate using Nanoarea Local Epitaxy, 44th 2002 Electronic Materials Conference, 44th 2002 Electronic Materials Conference, Z5, Vol. Z5, pp. 54-55, June 2002.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 諸澤篤志, 金澤徹, 藤井諒, 和田宇史, 渡辺正裕, 浅田雅洋. ナノ領域成長によるSi(100)基板上CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性, 第66回応用物理学会学術講演会, 9a-W-7, 3, 1215, Sept. 2005.
• 金澤徹, 諸澤篤志, 藤井諒, 和田宇史, 渡辺正裕, 浅田雅洋. Si(100)基板上CaF₂/CdF₂/CaF₂量子井戸構造の成長温度依存性, 第66回応用物理学会学術講演会, 9a-W-5, 3, 1214, Sept. 2005.
• 松田克己, 金澤徹, 渡辺正裕, 浅田雅洋. CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオード微分負性抵抗特性の量子井戸厚依存性, 第63回応用物理学会学術講演会, 25p-P9-11, 3, 1203, Sept. 2002.
• 金澤徹, 松田克己, 石川達也, 金澤徹, 渡辺正裕, 浅田雅洋. Si(100)基板上CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオードの作製と評価, 第49回応用物理学会関係連合講演会, 27p-YH-3, 3, 1374, Mar. 2002.

その他の論文・著書など

• 渡辺正裕, 田村信平, 金澤徹, 自念圭輔, 浅田雅洋. ローカルエピタキシー法によるCoSi₂/CaF₂三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性, 電子情報通信学会（電子デバイス研究会）, ED2004-227, SDM2004-222, 7-10, Jan. 2005.
• 渡辺正裕, 金澤徹, 自念圭輔, 浅田雅洋. Si(100)基板上に形成されたCdF₂/CaF₂超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性, 電子情報通信学会（電子デバイス研究会）, ED2003-231, SDM2003-217, 25-28, Feb. 2004.
• 渡辺正裕, 松田克己, 藤岡裕智, 金澤徹, 浅田雅洋. ローカルエピタキシー法により形成されたシリコン基板上CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性の構造依存性, 電子情報通信学会（電子デバイス研究会）, ED2002-287, SDM2002-250, 33-38, Feb. 2003.
• 渡辺正裕, 石川達也, 松田克己, 金澤徹, 浅田雅洋. ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオード, 電子情報通信学会（電子デバイス研究会）, ED2001-242, SDM2001-245, 65-70, Jan. 2002.

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