国内会議発表 (査読なし・不明)

• 国崎 愛子, 長谷川 淳一, 岩崎 孝之, 野口 宗隆, 古橋 壮之, 渡邊 寛, 中田 修平, 小寺 哲夫, 波多野 睦子. 界面準位密度を考慮したSiC-MOSFET伝達特性モデルの構築, 第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016.
• 長谷川淳一, 須藤建瑠, 岩崎孝之, 小寺哲夫, 古橋壮之, 野口宗隆, 中田修平, 西村正, 波多野睦子. DLTS法による窒化後酸化SiC-MOSFETの界面準位評価, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2014.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]