国際会議発表 (査読なし・不明)

• Ryo Ikoma, Takamasa Kawanago, Yukio Kawano. Heavily-doped SOI with SAM-Based Gate Dielectrics in Application to TMDC FET, 232nd ECS Meeting, Oct. 2017.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 居駒遼, 川那子高暢, 河野行雄. 剥離転写法による高濃度ドープSOI基板を用いたTMDC-FETの作製, 第７８回応用物理学会秋季学術講演, Sept. 2017.
• 川那⼦⾼暢, 居駒遼, Du Wanjing, ⼩⽥俊理. ⾃⼰組織化単分⼦膜を⽤いたadhesion lithographyによるMoS2 FETの作製, 第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017.
• 河野行雄, 居駒遼, 川那子高暢, 小田俊理. ジデシルホスホン酸(C12H25-PA)をゲート絶縁膜の用いたMoS2 FETの作製, 第７７回応用物理学会秋季学術講演, Sept. 2016.

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