論文

• Y. Mukunoki, K. Konno, T. Horiguchi, A. Nishizawa, M. Kuzumoto, M. Hagiwara, H. Akagi. An Improved Compact Model for a Silicon-Carbide MOSFET and Its Application to Accurate Circuit Simulation, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 33, No. 11, pp. 9834-9842, Nov. 2018.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 松尾翼, 昆野賢太郎, 葛本昌樹, 萩原誠, 赤木泰文, 椋木康滋, 堀口剛司, 中武浩. SiC-MOSFETデバイスモデルによる高周波漏洩電流の解析, 平成30年電気学会全国大会, 4-112, pp. 181-182, Mar. 2018.
• 松尾翼, 昆野賢太郎, 葛本昌樹, 萩原誠, 赤木泰文, 椋木康滋, 堀口剛司, 中山靖. 双方向絶縁形DC-DCコンバータにおけるSiC-MOSFETのソフトスイッチング特性解析, 平成29年電気学会産業応用部門大会, 1-134, pp. I-585-I-586, Aug. 2017.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]