国際会議発表 (査読なし・不明)

• K. Terayama, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Ohasi, K. Kakushima, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai. Calculation of ultimate on-resistance in GaN lateral HFETs using device simulation, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics: WIMNACT 39, Feb. 2014.
• Minjae Yoon, K. Terayama, A. Nakajima, S. Nichizawa, H. Ohasi, K. Kakushima, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai. Investigation into scaling law in AlGaN/GaN Fin field effect transistors by device simulation, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics: WIMNACT 39, Feb. 2014.
• Kazuma Terayama, 中島 昭, 西澤伸一, 大橋弘通, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, HIROSHI IWAI. Caluculation of ultimate on-resistance in GaN lateral HFETs using device simulation, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, 2014.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 寺山一真, 中島 昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋. デバイスシミュレーションによる横型GaNパワーデバイスの極限オン抵抗の試算, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• Yoon Minjae, 寺山一真, 中島 昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋. デバイスシミュレーションによるAlGaN/GaN系FinFETsにおけるスケーリング則の検証, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 武井優典, 神谷真行, 寺山一真, 米澤宏昭, 齋藤 渉, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 岩井洋. AlGaN/GaN系HEMTにおけるコンタクト特性のAlGaN層厚依存性, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.
• 神谷真行, 寺山一真, 武井優典, 齋藤 渉, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 筒井一生, 岩井洋. AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入による２次元電子ガス濃度分布評価および低抵抗コンタクト形成の可能性, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.

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