論文

• K. Ohsawa, S. Netsu, N. Kise, S. Noguchi, Y. Miyamoto. Dependence of electron mobility on gate voltage sweeping width and deposition temperature in MOSFETs with HfO2/Al2O3/InGaAs gate stacks, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 56, no. 4S, 04CG05 2017, Mar. 2017.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 大澤 一斗, 野口 真司, 祢津 誠晃, 木瀬 信和, 宮本 恭幸. [16p-413-11] HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造をもつMOSFETの移動度のH2アニール後における成膜温度およびAl2O3膜厚依存性, 第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017.
• 大澤一斗, 野口真司, 祢津誠晃, 木瀬信和, 宮本恭幸. HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, 信学技報, vol. 116, no. 431, pp. 35-40, Jan. 2017.

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