論文

• Takuya Hamada, Masaya Hamada, Satoshi Igarashi, Taiga Horiguchi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi. WS2 Film by Sputtering and Sulfur-Vapor Annealing, and its pMISFET with TiN/HfO2 Top-Gate Stack, TiN Bottom Contact, and Ultra-Thin Body and Box, Journal of the Electron Devices Society (J-EDS), Vol. 9, p. 1117, Aug. 2021.
• Satoshi Igarashi, Yusuke Mochiduki, Haruki Tanigawa, Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. Self-Aligned-TiSi2 Bottom Contact with APM Cleaning and Post-annealing for Sputtered-MoS2 Film, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) （SSDM特集号）, Vol. 60, Page SBBH04, Jan. 2021.

国際会議発表 (査読有り)

• Satoshi Igarashi, Yusuke Mochiduki, Haruki Tanigawa, Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. Low Contact Resistance at Interface between Sputtered-MoS2 Film and TiSi2 Contact Treated by Higher-Temperature Forming-Gas Annealing, International Conference of Solid State Devices and Materials (SSDM) 2020, Sept. 2020.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 五十嵐 智, 望月 祐輔, 谷川 晴紀, 濱田 昌也, 松浦 賢太朗, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整. スパッタMoS2膜とTiSi2膜の界面におけるFGアニールによるコンタクト抵抗低減, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2019.
• 今井 慎也, 濱田 昌也, 五十嵐 智, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整. 硫化プロセスにおけるスパッタMoS2膜質向上の重要性, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2019.
• 五十嵐 智, 松浦 賢太朗, 濱田 昌也, 谷川 晴紀, 坂本 拓朗, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整. 保護膜を通したフォーミングガスアニールによるスパッタMoS2 膜の結晶性改善, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2018.

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