論文

• T. Oshima, M. Niwa, A. Mukai, T. Nagami, T. Suyama, A. Ohtomo. Epitaxial growth of wide-band-gap ZnGa₂O₄ films by mist chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Elsevier, Volume 386, Page 190-193, Jan. 2014.  公式リンク  
  
• T. Oshima, K. Kaminaga, H. Mashiko, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Ohtomo. β-Ga₂O₃ single crystal as a photoelectrode for water splitting, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 52, 111102-1-4, Nov. 2013.  公式リンク  
  
• T. Oshima, K. Kaminaga, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, S. Fujita, A. Ohtomo. Formation of semi-insulating layers on semiconducting β-Ga₂O₃ single crystals by thermal oxidation, Japanese Journal of Applied Physics, The Japan Society of Applied Physics, Volume 52, Number 5, 051101-1-5, Apr. 2013.  公式リンク  
  
• T. Oshima, T. Nakazono, A. Mukai, A. Ohtomo. Epitaxial growth of γ-Ga₂O₃ films by mist chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Elsevier, Volume 359, Page 60-63, Sept. 2012.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読有り)

• T. Oshima, K. Kaminaga, H. Mashiko, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Ohtomo. β-Ga₂O₃ photoeledtrode for water splitting, The 41th International Symposium on Compound Semiconductor, May 2014.  公式リンク  
  
• T. Oshima, M. Niwa, A. Mukai, T. Nagami, T. Suyama, A. Ohtomo. Epitaxial growth of wide-band-gap ZnGa₂O₄ films, The 41th International Symposium on Compound Semiconductor, May 2014.  公式リンク  
  
• A. Mukai, T. Oshima, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Ohtomo. Doping control in device-grade β-Ga₂O₃ homoepitaxial films grown by pulsed-laser deposition, 2013 Materials Research Society Fall Meeting, Dec. 2013.  公式リンク  
  

国内会議発表 (査読有り)

• T. Oshima, K. Kaminaga, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, S. Fujita, A. Ohtomo. Semi-insulation behavior in conducting β-Ga₂O₃ single crytal surfaces by thermal oxidation, 32nd Electronic materials Symposium, July 2013.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読なし・不明)

• M. Niwa, A. Mukai, T. Oshima, T. Nagami, T. Suyama, A. Ohtomo. Epitaxial growth of ZnGa₂O₄ films by mist chemical vapor deposition, The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics, June 2014.  公式リンク  
  
• T. Oshima, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Ohtomo. β-Al_2XGa_2-2XO₃ thin films for β-Ga₂O₃ hetero-device applications, 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Sept. 2013.  公式リンク  
  
• A. Mukai, T. Oshima, T. Nagami, K. Fukuda, T. Suyama, A. Ohtomo. Cathodoluminescence properties of β-Al_2xGa_2-2xO₃, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, May 2013.  公式リンク  
  
• T. Oshima, T. Nakazono, A. Mukai, A. Ohtomo. Mist chemical vapor deposition of γ-phase Ga₂O₃ thin films, 39th International Symposium on Compound Semiconductors, Aug. 2012.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• R. Wakabayashi, M. Hattori, T. Oshima, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Oxygen-radical-assisted pulsed-laser deposition of β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ alloy films, The 1st E-MRS/MRS-J Bilateral Symposia -Materials Frontier for Transparent Advanced Electronic, Dec. 2014.  公式リンク  
  
• 向井 章, 大島 孝仁, 吉松 公平, 藤井 俊輔, 須山 敏尚, 大友 明. LaGaO₃エピタキシャル薄膜の成長と深紫外カソードルミネッセンス特性評価, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2014.  公式リンク  
  
• 大島 孝仁, 中園 敦巳, 丹羽 三冬, 向井 章, 大友 明. ワイドギャップガリウム系酸化物薄膜のエピタキシャル成長と物性, TIESテクニカルミーティング, Oct. 2013.
• 丹羽 三冬, 向井 章, 大島 孝仁, 長見 知史, 須山 敏尚, 大友 明. ミストCVD法によるZnGa₂O₄薄膜のエピタキシャル成長, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2013.  公式リンク  
  
• 向井 章, 大島 孝仁, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 大友 明. PLD法による(201)面β-Ga₂O₃ホモエピタキシャル成長の温度依存性, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2013.  公式リンク  
  
• 大島 孝仁, 神永 健一, 増子 尚徳, 向井 章, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 大友 明. β-Ga₂O₃単結晶光電極の特性評価, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2013.  公式リンク  
  
• T. Oshima, K. Kaminaga, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, S. Fujita, A. Ohtomo. Semi-insulation of conducting β-Ga₂O₃ single crystal surfaces by thermal oxidation, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, May 2013.  公式リンク  
  
• 大島 孝仁, 神永 健一, 向井 章, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 藤田 静雄, 大友 明. 熱酸化によるβ-Ga₂O₃単結晶表面の半絶縁層形成, 第60回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013.  公式リンク  
  
• 向井 章, 大島 孝仁, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 大友 明. β-Ga₂O₃ (201)基板上のAl_2xGa_2-2xO₃薄膜の成長制御, 第60回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013.  公式リンク  
  
• 向井 章, 大島 孝仁, 大友 明. カソードルミネッセンス法によるAl_2xGa_2-2xO₃薄膜の発光特性評価, 第73回応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.  公式リンク  
  
• 大島 孝仁, 中園 敦巳, 向井 章, 大友 明. ミストCVD法によるγ型Ga₂O₃のエピタキシャル安定化, 第31回電子材料シンポジウム, July 2012.  公式リンク  
  
• 向井 章, 中園 敦巳, 大島 孝仁, 大友明. Ga₂O₃の結晶多形とヘテロエピ構造：β-Ga₂O₃/(0001)α-Al₂O₃, 春季第59回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2012.  公式リンク  
  
• 向井 章, 大島 孝仁, 大友 明. PLD 法によるAl_2xGa_2-2xO₃薄膜の作製と光学的特性, 第30回電子材料シンポジウム, July 2011.  公式リンク  
  
• 向井 章, 大島孝仁, 大友明. Al_2XGa_2-2XO₃コンポジションスプレッド薄膜のPLD成長と光学特性評価, 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011.  公式リンク  
  

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