論文

• T. Aota, A. Hayasaka, I. Makabe, S. Yoshida, T. Gotow, Y. Miyamoto. Wet etching for isolation of N-polar GaN HEMT structure by electrodeless photo-assisted electrochemical reaction, Japanese Journal of Applied Physics, 60, SCCF06, Mar. 2021.

国際会議発表 (査読有り)

• T. Gotow, T. Arai, T. Aota, Y. Miyamoto. Evaluation of TMAH treatment for isolation process of N-polar GaN HEMTs, Compound Semiconductor Week, June 2022.
• Tomoya Aota, Akihiro Hayasaka, isao makabe, Shigeki Yoshida, Takahiro Gotow, YASUYUKI MIYAMOTO. Wet Etching for Isolation of N-polar GaN HEMT Structure by Electrodeless Photo-Assisted Electrochemical Reaction, 33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2020), Nov. 2020.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 新井貴大, 青田智也, 眞壁勇夫, 中田健, 後藤高寛, 宮本恭幸. N極性GaN HEMTのTMAHによる素子分離, 第69回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2022.
• 青田 智也, 早坂 明泰, 眞壁 勇夫, 吉田 成輝, 後藤 高寛, 宮本 恭幸. N極性GaN HEMT構造での無電極PECエッチング, 第81回 応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2020.

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