国際会議発表 (査読有り)

• N. Morii, K. Nagatomo, K. Takemura, T. Ouchi, H. Uryu, S. Nagao, R. Kawazoe, T. Iimori, F. Komori, H. Hirayama, K. Nakatsuji. Electronic structure of Cu(001)c(4×2)-Bi surface, 13th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices (ALC’21), Oct. 2021.
• T. Ouchi, L. Nakamura, K. Takemura, M. Shimura, R. Ushioda, T. Iimori, F. Komori, H. Hirayama, K. Nakatsuji. Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on n-type Si(111)√3×√3-B substrates, 13th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices (ALC’21), Oct. 2021.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 織田孝幸, 長尾俊佑, 笹川直希, 大内拓実, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Si(111)√3×√3-Ag 基板上のBi超薄膜の表面構造と電子状態, 日本物理学会2024年春季大会, Mar. 2024.
• 長尾俊佑, 大内拓実, 瓜生瞳美, 織田孝幸, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 中辻寛, 平山博之. Si(111)√3×√3-Ag 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態, 日本物理学会2023年春季大会, Mar. 2023.
• 大内拓実, 長尾俊祐, 中村玲雄, 竹村晃一, 志村舞望, 潮田亮太, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態における基板依存性, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2022.
• 森井七生, 永友慶, 竹村晃一, 大内拓実, 瓜生瞳美, 長尾俊佑, 河添理央, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Cu(001)c(4×2)-Bi表面の電子状態, 2021年日本表面真空学会学術講演会, Nov. 2021.
• 大内拓実, 中村玲雄, 竹村晃一, 志村舞望, 潮田亮太, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Si(111)√3×√3-B表面上のBi(110)超薄膜の電子状態, 2021年日本表面真空学会学術講演会, Nov. 2021.
• 勝俣錬, 中村玲雄, 金野達, 木村彰博, 大内拓実, 永友慶, 田中和也, 下川裕理, 小澤健一, 間瀬一彦, 小森文夫, 飯盛拓嗣, 平山博之, 中辻寛. Si(111)√3×√3-(Bi,In)表面の電子状態, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2021.
• 諸貫 亮太, 大内 拓実, 永友 慶, 森井 七生, 金野 達, 白澤 徹郎, 平山 博之, 中辻 寛. Si(110)3×2-Bi表面の構造解析, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2021.
• 中村玲雄, 勝俣錬, 潮田亮太, 大内拓実, 小森文夫, 飯盛拓嗣, 平山博 之, 中辻寛. n-type Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2021.

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