国際会議発表 (査読有り)

• K. Nakatsuji, Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, K. Mase, K. Takahashi, H. Hirayama. Electronic Structure of Bi(110) Islands Grown on a Si(111)Root3×Root3-B Substrate, 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14), Oct. 2018.
• Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, M. Nakatake, K. Mase, K. Takahashi, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on Si(111)Root3×Root3-B surfaces, The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8), Oct. 2017.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• K. Nakatsuji, Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, K. Mase, K. Takahashi, H. Hirayama. Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on a Si(111)√3 x √3-B substrate, 21st International Vacuum Congress, July 2019.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 勝俣錬, 中村玲雄, 金野達, 木村彰博, 大内拓実, 永友慶, 田中和也, 下川裕理, 小澤健一, 間瀬一彦, 小森文夫, 飯盛拓嗣, 平山博之, 中辻寛. Si(111)√3×√3-(Bi,In)表面の電子状態, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2021.
• 田中和也, 金野達, 下川裕理, 佐藤圭介, 山崎詩郎, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 間瀬一彦, 平山博之, 中辻寛. Si(111)基板上におけるBi-In表面合金の構造と電子状態, 日本物理学会第74回年次大会, Mar. 2019.
• 下川裕理, 田中和也, 佐藤圭介, 渡邊瞳, 山崎詩郎, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 間瀬一彦, 平山博之, 中辻寛. Bi/Si(111)4×1-In表面の構造と電子状態, 日本物理学会第73回年次大会, Mar. 2018.
• 下川裕理, 藤原翼, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 渡辺義夫, 仲武昌史, 間瀬一彦, 高橋和敏, 中辻寛, 平山博之. Si(111)√3x√3-B表面上に成長した数層Bi(110)薄膜の電子状態, 日本物理学会2017年秋季大会, Sept. 2017.
• 藤原翼, 下川裕理, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 間瀬一彦, 渡辺義夫, 仲武昌史, 中辻寛, 平山博之. Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の成長と電子状態, 日本物理学会第72回年次大会, Mar. 2017.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]