論文

• Ryo Wakabayashi, Kohei Yoshimatsu, Mai Hattori, Jung-Soo Lee, Osami Sakata, Akira Ohtomo. Epitaxial Stabilization of Complete Solid-solution β-(AlxGa1–x)2O3 (100) Films by Pulsed-laser Deposition, Cryst. Growth Des., Vol. 21, No. 5, Page 2844-2849, Apr. 2021.
• Ryo Wakabayashi, Mai Hattori, Kohei Yoshimatsu, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, Akira Ohtomo. Band alignment at β-(AlxGa1-x)2O3/β-Ga2O3 (100) interface fabricated, Applied Physics Letters, Vol. 112, June 2018.
• Ryo Wakabayashi, K. Yoshimatsu, Mai Hattori, A. Ohtomo. Epitaxial structure and electronic property of β-Ga₂O₃ films grown on MgO (100) substrates by pulsed-laser deposition, Applied Physics Letters, AIP Publishing, Vol. 111, 162101, Oct. 2017.  公式リンク  
  
• T. Oshima, R. Wakabayashi, M. Hattori, Akihiro Hashiguchi, Naoto Kawano, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu. Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga₂O₃, Japanese Journal of Applied Physics, The Japan Society of Applied Physics, Vol. 55, No. 1202B7, Oct. 2016.  公式リンク  
  
• Mai Hattori, Takayoshi OSHIMA, Ryo Wakabayashi, K. Yoshimatsu, Kohei Sasaki, Takekazu Masui, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, A. Ohtomo. Epitaxial growth and electric properties of γ-Al₂O₃ (110) films on β- Ga₂O₃ (010) substrates, Japanese Journal of Applied Physics, IOP publishing, Vol. 55, No. 12, 1202B6, Oct. 2016.  公式リンク  
  
• R. Wakabayashi, T. Oshima, M. Hattori, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Oxygen-radical-assisted pulsed-laser deposition of β-Ga₂O₃ and β-(Al_xGa_1−x)₂O₃ films, Journal of Crystal Growth, Elsevier, Vol. 424, pp. 77-79, May 2015.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• R. Wakabayashi, M. Hattori, K. Yoshimatsu, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, A. Ohtomo. Growth of β-Ga₂O₃ -based heterostructures by pulsed-laser deposition, 2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Sept. 2017.  公式リンク  
  
• T. Oshima, R. Wakabayashi, M. Hattori, Akihiro Hashiguchi, Naoto Kawano, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu. ITO ohmic contacts for β-Ga₂O₃, German-Japanese Gallium Oxide Technical Meeting 2016, Sept. 2016.  公式リンク  
  
• R. Wakabayashi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Low-temperature growth of β-Ga₂O₃:Si (100) films on MgO (100) substrates, German-Japanese Gallium Oxide Technology Meeting 2016, Sept. 2016.  公式リンク  
  
• R. Wakabayashi, T. Oshima, M. Hattori, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Strong Fermi-Level Pinning at Metal/β-Ga₂O₃ (̅201) Interface, The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nov. 2015.  公式リンク  
  
• M. Hattori, R. Wakabayashi, T. Oshima, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Evaluation of Band Offset at β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/β-Ga₂O₃ Heterointerface, The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nov. 2015.  公式リンク  
  
• M. Hattori, T. Oshima, R. Wakabayashi, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Epitaxial Relationship and Capacitance-Voltage Characteristicsof γ-Al₂O₃ Films Grown on (010) β-Ga₂O₃ Substrates, The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nov. 2015.  公式リンク  
  
• R. Wakabayashi, T. Oshima, M. Hattori, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Growth and Electric Properties of Conductive β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ Films, The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nov. 2015.  公式リンク  
  

国内会議発表 (査読なし・不明)

• Takumi Saito, Ryo Wakabayashi, Jung-Soo Lee, Kaisei Kamei, Kohei Yoshimatsu, Motohisa Kado, Akira Ohtomo. Suppression of Parallel Conduction at the Interface in β-Ga2O3 Homoepitaxial Layer Using Semi-Insulating Intermediate Layer, CSW2019, May 2019.
• Jung-Soo Lee, Ryo Wakabayashi, Takumi Saito, Kohei Yoshimatsu, Motohisa Kado, Akira Ohtomo. High Concentration N-Doping into Ga2O3 Films by Using Pulsed-Laser Deposition with NO Plasma, CSW2019, May 2019.
• 斉藤 拓海, 若林 諒, 李 政洙, 亀井 海聖, 吉松 公平, 加渡Kado, 大友 明. 半絶縁性中間層によるβ-Ga2O3ホモエピタキシャル層の界面伝導の抑制, 第66回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2019.
• 李 政洙, 若林 諒, 斉藤 拓海, 吉松 公平, 加渡Kado, 大友 明. PLD法による窒素ドープ酸化ガリウム薄膜の成長と電気特性評価, 第66回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2019.
• 若林 諒, 吉松 公平, 大友 明. PLD法によるβ-(Ga1-yScy)2O3薄膜成長とバンドギャップ変調, 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2018.
• 李政洙, 若林諒, 吉松 公平, 大友 明. ウェットエチングを用いたβ-Ga₂O₃(100)基板表面のSi不純物除去, 第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018.  公式リンク  
  
• 服部真依, 若林諒, 佐々木公平, 増井建和, 倉又朗人, 山腰茂伸, 堀場弘司, 組頭広志, 吉松公平, 大友明. β-Ga203(100)上に成長したβ-(AlxGal-x)203薄膜のバンドギャップ評価, 第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018.
• 若林 諒, 吉松 公平, 大友 明. 新規ワイドギャップ混晶半導体β-(Ga_1-ySc_y)2O₃, 第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018.  公式リンク  
  
• 若林諒, 服部真依, 吉松 公平, 大友 明. 全Al組成β -(Al_x Ga_1-x )₂O₃ (0 ≤ x ≤ 1)薄膜のエピタキシャル成⻑, 第78回応用物理学会春季学術講演会, Sept. 2017.  公式リンク  
  
• 若林諒, 吉松公平, 大友明. MgO(100)基板上のβ-Ga203:Si(100)薄膜の低温成長, 第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017.
• 大島孝仁, 若林諒, 服部真依, 橋口 明広, 河野 直士, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明. β-Ga₂O₃用ITOオーミック電極, 第77回応用物理学会春季学術講演会, Sept. 2016.  公式リンク  
  
• 服部 真依, 大島 孝仁, 若林 諒, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明. β-Ga₂O₃上γ-Al₂O₃膜のエピタキシャル構造と容量電圧特性評価, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• 若林 諒, 大島 孝仁, 服部 真依, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明. 金属/β-Ga₂O₃ (̅201)界面における強いフェルミ準位ピンニング効果, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• 大島 孝仁, 服部 真依, 若林 諒, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 堀場 弘司, 組頭 広志, 吉松 公平, 大友 明. β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/β-Ga₂O₃ヘテロ接合におけるタイプI型バンドラインナップ, 第34回電子材料シンポジウム, July 2015.  公式リンク  
  
• 若林 諒, 大島 孝仁, 服部 真依, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明. 酸素ラジカル支援パルスレーザ堆積法による酸化ガリウム系混晶薄膜の成長, 第34回電子材料シンポジウム, July 2015.  公式リンク  
  
• 若林 諒, 服部 真依, 大島 孝仁, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明. 酸素ラジカル支援PLD法による酸化ガリウム系混晶薄膜の成長, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.  公式リンク  
  
• 服部 真依, 若林 諒, 大島 孝仁, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 堀場 弘司, 組頭 広志, 吉松 公平, 大友 明. β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/β-Ga₂O₃/ヘテロ接合のバンドオフセット評価, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.  公式リンク  
  
• R. Wakabayashi, M. Hattori, T. Oshima, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Oxygen-radical-assisted pulsed-laser deposition of β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ alloy films, The 1st E-MRS/MRS-J Bilateral Symposia -Materials Frontier for Transparent Advanced Electronic, Dec. 2014.  公式リンク  
  

特許など

• 大友明, 若林諒, 李政洙, 加渡　幹尚　. 酸化ガリウムの製造方法. 特許. 登録. 国立大学法人東京工業大学, トヨタ自動車株式会社. 2019/02/22. 特願2019-030421. 2020/08/06. 特開2020-117430. 特許第7176977号. 2022/11/14 2022.

学位論文

• 酸化ガリウム系混晶の薄膜成長とヘテロ接合界面の物性評価に関する研究,  要約,  博士(工学),  東京工業大学,  2019/03/26,   
• 酸化ガリウム系混晶の薄膜成長とヘテロ接合界面の物性評価に関する研究,  審査の要旨,  博士(工学),  東京工業大学,  2019/03/26,   
• 酸化ガリウム系混晶の薄膜成長とヘテロ接合界面の物性評価に関する研究,  本文,  博士(工学),  東京工業大学,  2019/03/26, 
• 酸化ガリウム系混晶の薄膜成長とヘテロ接合界面の物性評価に関する研究,  論文要旨,  博士(工学),  東京工業大学,  2019/03/26,   

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