論文

• Kazutaka Takeda, Tomoyuki Miyamoto, Takashi Kondo, Yasuhiro Uchiyama, Naoto Kitabayashi, Takeshi Uchida, Akihiro Matsutani, Fumio Koyama. Wavelength extension effect on lasing characteristics of highly-strained GaInAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers with cavity detuning, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 45, no. 8B, pp. 6691-6696, Aug. 2006.
• Yasuhiro Uchiyama, Takashi Kondo, Kuzutaka Takeda, Akihiro Matsutani, Takeshi Uchida, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama. 1.2μm band GaInAs/GaAs high-density multiple-wavelength vertical cavity surface emitting laser array, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 44, no. 6, pp. L214-L215, Feb. 2005.
• Yasuhiro Uchiyama, Takashi Kondo, Kazutaka Takeda, Akihiro Matsutani, Takeshi Uchida, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. Thermal cross-talk evaluation of densely integrated vertical cavity surface emitting laser array, IEICE Electronics Express, vol. 1, no. 17, pp. 545-550, Dec. 2004.
• Jong-Hwa Baek, Dae-Sung Song, In-Kag Hwang, Kum-Hee Lee, Y. H. Lee, Takashi Kondo, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. Transverse mode control by etch-depth tuning in 1120-nm GaInAs/GaAs photonic crystal vertical-cavity surface-emitting lasers, Optics Express, vol. 12, no. 5, pp. 859-867, Mar. 2004.
• Takashi Kondo, Masakazu Arai, Akihiro Matsutani, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. Isolator-free 10 Gb/s single-mode fiber data transmission using 1.1 μm GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser, Electron. Lett., vol. 40, no. 1, pp. 65-66, Jan. 2004.
• Masakazu Arai, Takashi Kondo, Akihiro Onomura, Akihiro Matsutani, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. Multiple-wavelength GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser array with extended wavelength span, IEEE J. Select. Top. Quantum Electron., vol. 9, no. 5, pp. 1367-1373, Sept. 2003.
• Akihiro Onomura, Masakazu Arai, Takashi Kondo, Akihiro Matsutani, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. Densely integrated multiple-wavelength vertical-cavity surface-emitting laser array, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 42, no. 5B, pp. L529-L531, May 2003.
• Eric Gouardes, Tomoyuki Miyamoto, Masao Kawaguchi, Takashi Kondo, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga. GaInAs/GaInNAs/GaInAs intermediate layer structure for long wavelength lasers, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 14, no. 7, pp. 896-898, July 2002.
• Masakazu Arai, Takashi Kondo, Akihiro Matsutani, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. Growth of highly strained GaInAs-GaAs quantum wells on patterned substrate and its application for multiple-wavelength vertical-cavity surface-emitting laser array, IEEE J. Select. Top. Quantum Electron., vol. 8, no. 4, pp. 811-816, July 2002.
• Takashi Kondo, Masakazu Arai, Munechika Azuchi, Takeshi Uchida, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. Effect of annealing on highly strained GaInAs/GaAs quantum wells, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 41, no. 6A, pp. L612-L614, June 2002.
• Takashi Kondo, Masakazu Arai, Munechika Azuchi, Takeshi Uchida, Akihiro Matsutani, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. Low threshold current density operation of 1.16 μm highly strained GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting lasers on (100) GaAs substrate, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 41, no. 5B, pp. L562-L564, May 2002.
• Masao Kawaguchi, Tomoyuki Miyamoto, Eric Gouardes, Takashi Kondo, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga. Photoluminescence dependence on heterointerface for metalorganic chemical vapor deposition grown GaInNAs/GaAs quantum wells, Appl. Phys. Lett., vol. 80, no. 6, pp. 962-964, Feb. 2002.
• Masao Kawaguchi, Tomoyuki Miyamoto, Eric Gouardes, Shugo Minobe, Takashi Kondo, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga. Photoluminescence and lasing characteristics of GaInNAs quantum wells using GaInAs intermediate layers, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 41, no. 2B, pp. 1034-1039, Feb. 2002.
• Masao Kawaguchi, Tomoyuki Miyamoto, Eric Gouardes, Dietmar Schlenker, Takashi Kondo, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga. Lasing characteristics of low-threshold GaInNAs lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 40, no. 7B, pp. L744-746, July 2001.
• Takashi Kondo, Dietmar Schlenker, Tomoyuki Miyamoto, Zhibiao Chen, Masao Kawaguchi, Eric Gouardes, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga. Lasing characteristics of 1.2μm highly strained GaInAs/GaAs quantum well lasers, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 40, no. 2A, pp. 467-471, Feb. 2001.
• Masao Kawaguchi, Tomoyuki Miyamoto, Eric Gouardes, Dietmar Schlenker, Takashi Kondo, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga. Optical quality dependence on growth rate for metalorganic chemical vapor deposition grown GaInNAs/GaAs, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 39, no. 12A, pp. L1219-L1220, Dec. 2000.
• Dietmar Schlenker, Tomoyuki Miyamoto, Zhibiao Chen, Masao Kawaguchi, Takashi Kondo, Eric Gouardes, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga. Critical layer thickness of 1.2-μm highly strained GaInAs/GaAs quantum wells, J. Crystal Growth, vol. 221, pp. 503-508, Dec. 2000.
• Dietmar Schlenker, Tomoyuki Miyamoto, Zhibiao Chen, Masao Kawaguchi, Takashi Kondo, Eric Gouardes, J. Gemmer, C. Gemmer, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga. Inclusion of strain effect in miscibility gap calculations for III-V semiconductors, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 39, no. 10, pp. 5751-5757, Oct. 2000.
• Masao Kawaguchi, Eric Gouardes, Dietmar Schlenker, Takashi Kondo, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga. Low threshold current density operation of GaInNAs/GaAs quantum well lasers grown by metalorganic chemical vapour deposition, Electron. Lett., vol. 36, no. 21, pp. 1776-1777, Oct. 2000.
• Zhibiao Chen, Dietmar Schlenker, Tomoyuki Miyamoto, Takashi Kondo, Masao Kawaguchi, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga. High temperature characteristics of near 1.2μm InGaAs/AlGaAs lasers, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 38, no. 10B, pp. L1178-L1179, Oct. 1999.

国際会議発表 (査読有り)

• Kazutaka Takeda, Tomoyuki Miyamoto, Takashi Kondo, Yasuhiro Uchiyama, Akihiro Matsutani, Takeshi Uchiyama, FUMIO KOYAMA. Wavelength Extension with Cavity Detuning in Vertical Cavity Surface Emitting Lasers, 11th Microoptics Conference, Oct. 2005.
• Yasuhiro Uchiyama, Takashi Kondo, Kazutaka Takeda, Akihiro Matsutani, Takeshi Uchida, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. Electro-thermal wavelength tuning of 1.2µm GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser array, The 18th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, Oct. 2005.
• FUMIO KOYAMA, Kazutaka Takeda, Tomoyuki Miyamoto, Takashi Kondo, Yasuhiro Uchiyama, Akihiro Matsutani, Fumio Koyama. Lasing characteristics of 1.26µm wavelength highly-strained GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser by cavity detuning, "8th International Symposium on Contemporary Photonics Technology, CPT2005,", Jan. 2005.
• Takashi Kondo, Yasuhiro Uchiyama, Kazutaka Takeda, Akihiro Matsutani, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. Highly strained GaInAs/GaAs 1.21µm vertical cavity surface emitting laser with single-mode output power of 3mW, The 16th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, Nov. 2004.
• Yasuhiro Uchiyama, Takashi Kondo, Kazutaka Takeda, Akihiro Matsutani, Jiro Hashizume, Uchida Takeshi, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama. 1.2 μm band high-density multiple-wavelength vertical cavity surface emitting laser array, The 17th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, LEOS2004, Nov. 2004.
• Takashi Kondo, Yasuhiro Uchiyama, Kazutaka Takeda, Akihiro Matsutani, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama. Highly strained GaInAs/GaAs 1.21 μm vertical cavity surface emitting laser with single-mode output power of 3mW, The 17th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, LEOS 2004, Nov. 2004.
• Jong-Hwa Baek, In-Kag Hwang, Kum-Hee Lee, Yong-Hee Lee, Young-Gu Ju, Takashi Kondo, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. Transverse mode control by etching depth tuning in 1120-nm GaInAs/GaAs photonic crystal vertical-cavity surface-emitting lasers, Conference on Lasers & Electro-Optics/International Quantum Electronics Conference, May 2004.
• Takashi Kondo, Masakazu Arai, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama. Isolator-free, uncooled operation of highly strained 1.1 μm GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser for 10 Gb/s single mode fiber data transmission, Conference on Optical Fiber Communications, OFC2004, Feb. 2004.
• Takashi Kondo, Masakazu Arai, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. "Isolator-free, uncooled operation of highly strained 1.1µm GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser for 10 Gb/s single mode fiber data transmission", Conference on Optical Fiber Communications, Feb. 2004.
• Takashi Kondo, Masakazu Arai, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. Highly strained GaInAs/GaAs 1.13µm vertical cavity surface emitting laser with uncooled single mode operation, The 16th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, Oct. 2003.
• FUMIO KOYAMA, Tomoyuki Miyamoto, Masakazu Arai, Takashi Kondo. 1200nm highly strained GaInAs/GaAs VCSELs, The 15th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, Nov. 2002.
• Akihiro Onomura, Masakazu Arai, Takashi Kondo, Akihiro Matsutani, Yasuyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. Densely integrated multiple wavelength vertical surface emitting laser array, The 15th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, pp. 689-690, Nov. 2002.
• Takashi Kondo, Masakazu Arai, Akihiro Onomura, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama, Takashi Kondo, Masakazu Arai, Akihiro Onomura, Tomoyuki Miyamoto. 1.23 μm long wavelength highly strained GaInAs/GaAs quantum well laser, The 15th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society(LEOS 2002), pp. 618-619, Nov. 2002.
• Masakazu Arai, Takashi Kondo, Akihiro Matsutani, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. Multiple-wavelength GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser array with wavelength span of over 100 nm, IEEE 18th Int. Semiconductor Laser Conf., pp. 9-10, Sept. 2002.
• Masakazu Arai, Takashi Kondo, Munechika Azuchi, Takeshi Uchida, Akihiro Matsutani, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. 1.2µm band multiple-wavelength GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser array on patterned substrate, 14th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials, pp. 303-304, May 2002.
• Masao Kawaguchi, Tomoyuki Miyamoto, Eric Gouardes, Takashi Kondo, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga. Low threshold current density operation (J_{<small>th</small>}=340A/cm^{<small>2</small>}) of GaInNAs/GaAs quantum well lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition, The Pacific Rim Conf. on Lasers and Electro-Optics 2001, pp. II-596-597, July 2001.
• Tomoyuki Miyamoto, Masao Kawaguchi, Eric Gouardes, Takashi Kondo, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga. Low threshold operation of MOCVD grown GaInNAs lasers with GaInAs intermediate layer inserted QWs, 6th Optoelectronics and Communication Conf., pp. 541-542, July 2001.
• Masao Kawaguchi, Tomoyuki Miyamoto, Eric Gouardes, Takashi Kondo, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga. Photoluminescence dependence on heterointerface for MOCVD grown GaInNAs/GaAs QWs, 13th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials, pp. 559-562, May 2001.
• Masao Kawaguchi, Tomoyuki Miyamoto, Eric Gouardes, Dietmar Schlenker, Takashi Kondo, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga. Improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells by optimizing growth rate in MOCVD, 27th Int. Symp. on Compound Semiconductors, pp. 69-70, Oct. 2000.
• FUMIO KOYAMA, Dietmar Schlenker, Tomoyuki Miyamoto, Zhibiao Chen, Takeshi Yamatoya, Takashi Kondo, Kenichi Iga. 1.5W operation of superluminescent diode with highly strained GaInAs/GaAs quantum well emitting at 1.2µm band, 17th Int. Semiconductor Laser Conf., Sept. 2000.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Masakazu Arai, Takashi Kondo, Akihiro Matsutani, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. Muitiple-wavelength GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser array with record wide wavelength span, 61th Annual Device Research Conference, 61th Annual Device Research Conference, pp. 153-154, June 2003.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 金澤慈, 近藤崇, 松谷晃宏, 宮本智之, 小山二三夫. 1.2µm帯高歪GaInAs/GaAs量子井戸レーザの高温動作時の動特性評価, 第66回応用物理学会学術講演会, Sept. 2005.
• 武田 一隆, 宮本智之, 近藤崇, 内山泰宏, 松谷晃宏, 小山二三夫. 面発光レーザ特性の波長オフセット量依存性に関する検討, 第66回応用物理学会学術講演会, Sept. 2005.
• 内山泰宏, 近藤崇, 武田 一隆, 松谷晃宏, 内田武志, 宮本智之, 小山二三夫. 3電源極構造による面発光レーザの高精度波長チューニング, 第66回応用物理学会学術講演会, Sept. 2005.
• 金澤慈, 近藤崇, 松谷晃宏, 宮本智之, 小山二三夫. 1.2µm帯横モード制御高歪GaInAs/GaAs量子井戸レーザの高温動作, 第52回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2005.
• 内山泰宏, 近藤崇, 武田 一隆, 松谷晃宏, 内田武志, 宮本智之, 小山二三夫. 高密度レーザアレイにおける熱のクロストーク評価, 第52回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2005.
• 近藤崇, 内山泰宏, 武田 一隆, 松谷晃宏, 宮本智之, 小山二三夫. 波長1.2µm高歪GaInAs/GaAs量子井戸面発光レーザとその高速光伝送への応用, 第52回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2005.
• 武田 一隆, 近藤崇, 内山泰宏, 松谷晃宏, 宮本智之, 小山二三夫. 波長オフセット長波長高歪GaInAs/GaAs面発光レーザの温度特性, 第52回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2005.
• 武田一隆, 近藤崇, 内山泰宏, 松谷 晃宏, 宮本智之, 小山二三夫. 波長オフセットによる高歪GaInAs/GaAs量子井戸面発光レーザの長波長化, 第65回応用物理学会学術講演会, Sept. 2004.
• 近藤崇, 内山泰宏, 武田一隆, 松谷 晃宏, 宮本智之, 小山二三夫. 波長1.2µm高歪GaInAs/GaAs量子井戸面発光レーザの特性改善, 第65回応用物理学会学術講演会, Sept. 2004.
• 内山泰宏, 近藤崇, 武田一隆, 松谷 晃宏, 宮本智之, 小山二三夫. 1.2µm帯GaInAs/GaAs 面発光レーザアレイの高密度集積化, 第65回応用物理学会学術講演会, Sept. 2004.
• 近藤崇, 荒井昌和, 有賀麻衣子, 宮本智之, 小山二三夫. 単一モードGaInAs/GaAs面発光レーザにおける反射戻り光雑音の伝送特性への影響, 第65回応用物理学会学術講演会, Sept. 2004.
• 荒井昌和, 近藤崇, 尾野村章弘, 松谷 晃宏, 宮本智之, 小山二三夫. 多波長面発光レーザアレイのための凸凹パターン基板の設計, 第51回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2004.
• 近藤崇, 荒井昌和, 松谷 晃宏, 宮本智之, 小山二三夫. 高歪GaInAs/GaAs量子井戸面発光レーザを用いた10Gb/s, 10km SMF伝送, 第51回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2004.
• 荒井昌和, 近藤崇, 有賀麻衣子, 宮本智之, 小山二三夫. 単一モードGaInAs/GaAs面発光レーザの反射戻り光雑音特性, 第51回応用物理学関連連合講演会, 第51回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2004.
• 尾野村章弘, 荒井昌和, 近藤崇, 松谷 晃宏, 宮本智之, 小山二三夫. トレンチ構造を導入した面発光レーザアレイの高密度集積化, 第51回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2004.
• 近藤崇, 荒井昌和, 尾野村章弘, 宮本智之, 小山二三夫. 高歪GaInAs/GaAsのPL強度のIn組織依存性, 第50回応用物理学関連連合講演会, 第50回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2003.
• 荒井昌和, 近藤崇, 尾野村章弘, 松谷 晃宏, 宮本智之, 小山二三夫. 成長圧力を変化させて製作したパターン基板上多波長面発光レーザアレイの広波長域化, 第50回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2003.
• 荒井昌和, 近藤崇, 尾野村章弘, 宮本智之, 小山二三夫. 凹凸パターン基板上GaInAs/GaAs量子井戸のPLシフトの成長圧力依存性, 第50回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2003.
• 荒井昌和, 近藤崇, 松谷 晃宏, 宮本智之, 小山二三夫. GaInAs/GaAs多波長面発光レーザアレーの発振波長の広帯域化, 第63回応用物理学会学術講演会, 第63回応用物理学会学術講演会, Sept. 2002.
• 近藤崇, 荒井昌和, 尾野村章弘, 宮本智之, 小山二三夫. 高歪GaInAs/GaAs量子井戸のPL強度の成長速度依存性, 第63回応用物理学会学術講演会, 第63回応用物理学会学術講演会, Sept. 2002.
• 尾野村章弘, 荒井昌和, 近藤崇, 松谷 晃宏, 宮本智之, 小山二三夫. 高密度多波長面発光レーザ, 第63回応用物理学会学術講演会, 第63回応用物理学会学術講演会, Sept. 2002.
• 荒井昌和, 近藤崇, 安土宗近, 内田武志, 松谷 晃宏, 宮本智之, 小山二三夫. 1.2 µm帯多波長面発光レーザアレーの単一モード光ファイバ伝送特性, 第49回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2002.
• 近藤崇, 荒井昌和, 安土宗近, 内田武志, 宮本智之, 小山二三夫. 歪バッファ層を用いた高歪GaInAs/GaAs量子井戸層の成長と熱アニールによる評価, 第49回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2002.
• 近藤崇, 荒井昌和, 安土宗近, 内田武志, 松谷 晃宏, 宮本智之, 小山二三夫. 波長1.1µm帯面発光レーザを用いた単一モード光ファイバ伝送, 第49回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2002.
• 近藤崇, 荒井昌和, 宮本智之, 西山伸彦, 川口真生, 小山二三夫, 伊賀健一. 1.2µm帯高歪GaInAs/GaAs量子井戸面発光レーザの発振特性, 第62回応用物理学会学術講演会, Sept. 2001.
• 川口真生, 宮本智之, 美濃部周吾, 近藤崇, 小山二三夫, 伊賀健一. 1.3µm帯GaInNAsレーザの電流注入による特性変化, 第62回応用物理学会学術講演会, Sept. 2001.
• 宮本智之, 川口真生, E. Gouardes, 近藤崇, 小山二三夫, 伊賀健一. GaInAs中間層を用いたGaInNAs量子井戸とレーザ特性, 第48回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2001.
• 川口真生, 宮本智之, E. Gouardes, 近藤崇, 小山二三夫, 伊賀健一. GaInNAs量子井戸フォトルミネッセンスのヘテロ接合界面依存性, 第48回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2001.
• 川口真生, 宮本智之, E. Gouardes, 近藤崇, 小山二三夫, 伊賀健一. MOCVD法によるGaInNAsレーザのしきい値電流密度と温度特性, 第48回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2001.
• 川口真生, 宮本智之, グアルドゥエリック, シュレンカーディトマー, 近藤崇, 小山二三夫, 伊賀健一. MOCVD法によるGaInNAs結晶品質の成長速度依存性, 第61回応用物理学会学術講演会, Sept. 2000.
• シュレンカーディトマー, 宮本智之, 近藤崇, 川口真生, グアルドゥエリック, 小山二三夫, 伊賀健一. GaInAs/GaAs量子井戸の長波長化, 第61回応用物理学会学術講演会, Sept. 2000.
• シュレンカーディトマー, 宮本智之, 陳誌標, 川口真生, 近藤崇, グアルドゥエリック, 小山二三夫, 伊賀健一. 新しい歪の効果を含む未混和領域計算, 第47回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2000.
• 近藤崇, Z.B. チェン, シュレンカーディトマー, 川口真生, グアルデゥエリック, 宮本智之, 小山二三夫, 伊賀健一. 1.2µm高歪系GaInAs/GaAs/AlGaAs量子井戸レーザの特性の評価, 第47回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2000.

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