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荻野嵩大 研究業績一覧 (15件)
論文
国際会議発表 (査読有り)
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T. Ogino,
S. Yamazaki,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Suppression of Metal-Insulator Transition by Electron Doping from Substrates to Indium Atomic Wires: Si(111)4×1-In,
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14),
Oct. 2018.
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T.Ogino,
S. Yamazaki,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Electron doping induced control of Metal-Insulator transition on Si(111)4x1-In surface,
The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8),
Oct. 2017.
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Naoki Tambo,
Martin Miranda,
Izumi Shomura,
Takahiro Ogino,
Ryotaro Inoue,
Mikio Kozuma.
Quantum gas microscope for ytterbium atoms with deep potential in the excited state,
The 25th International Conference on Atomic Physics,
July 2016.
国際会議発表 (査読なし・不明)
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T. Ogino,
I. Seo,
H. Tajiri,
M. Nakatake,
S. Takakura,
Y. Sato,
Y. Hasegawa,
Y. Gohda,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Intrinsic superconductivity of two monolayer thick Indium film,
The 22nd International Vacuum Congress,
Sept. 2022.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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荻野嵩大,
田尻寛男,
中辻寛,
平山博之.
X線CTR散乱による√7×√3-In-rect/Si(111)√3×√3-Bの界面構造の測定,
日本物理学会第76回年次大会,
Mar. 2021.
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潮田亮太,
長瀬謙太郎,
荻野嵩大,
車尾ヴァレンティン基,
中辻 寛,
白澤 徹郎,
平山 博之.
Si(111)7×7 基板上における奇数層高さBi(110)島の出現,
日本物理学会第75回年次大会,
Mar. 2020.
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車尾ヴァレンティン基,
荻野嵩大,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)√3x√3-B基板上のIn吸着表面超構造,
日本表面科学会 第3回関東支部講演大会,
Apr. 2018.
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車尾ヴァレンティン基,
荻野嵩大,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)√3x√3-B表面のIn吸着構造,
日本物理学会第73回年次大会,
Mar. 2018.
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荻野嵩大,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
キャリアドーピングによるSi(111)4xi-In表面の金属―絶縁体転移の制御,
日本物理学会2017年秋季大会,
Sept. 2017.
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荻野嵩大,
平山博之,
中辻寛,
山崎詩郎.
Si(111)4x1-In表面における電子ドーピングによる金属―絶縁体転移の操作,
第37回表面科学学術講演会,
Aug. 2017.
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反保尚基,
正村泉,
ミランダマルティン,
荻野嵩大,
井上遼太郎,
上妻幹旺.
Yb量子気体顕微鏡を用いた超流動-Mott絶縁体相転移の観測,
日本物理学会 第71回年次大会(2016年),
Mar. 2016.
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正村泉,
反保尚基,
ミランダマルティン,
荻野嵩大,
井上遼太郎,
上妻幹旺.
Yb量子気体顕微鏡における3P2準安定状態の利用に向けたラビ振動の評価,
日本物理学会 第71回年次大会(2016年),
Mar. 2016.
学位論文
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