論文

• Noriaki Sato, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai. Design and Characterization of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Transistor Lasers Emitting at 1.3-µm Wavelength, IEEE J. Select. Top. Quantum Electron., Vol. 19, No. 4, pp. 1502608, July 2013.  公式リンク  
  
• Noriaki Sato, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai. Room-Temperature Continuous-Wave Operation of npn-AlGaInAs Transistor Laser Emitting at 1.3-um Wavelength, IEEE Photonics Technol. Lett., Vol. 25, No. 8, pp. 728-730, Feb. 2013.  公式リンク  
  
• Mizuki Shirao, Nobuhiko Nishiyama, Noriaki Sato, Shigehisa Arai. Theoretical analysis of the damping effect on a transistor laser, IEICE Electronics Express, Vol. 9, No. 23, pp. 1792-1798, Dec. 2012.
• Yuuta Takino, Mizuki Shirao, Noriaki Sato, takashi sato, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Improved regrowth interface of AlGaInAs/InP-buried-heterostructure lasers by in-situ thermal cleaning, IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 48, No. 8, pp. 971-979, Aug. 2012.  公式リンク  
  
• Daisuke Takahashi, SeungHun Lee, Mizuki Shirao, Takahiko Shindo, Keisuke Shinno, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Carrier-Transport-Limited Modulation Bandwidth in Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 48, No. 5, pp. 688-695, May 2012.  公式リンク  
  
• Mizuki Shirao, takashi sato, Noriaki Sato, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Room-temperature operation of npn- AlGaInAs/InP multiple quantum well transistor laser emitting at 1.3-µm wavelength, Optics Express, Vol. 20, No. 4, pp. 3983–3989, Feb. 2012.
• Yuta Takino, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai. Regrowth Interface Quality Dependence on Thermal Cleaning of AlGaInAs/InP Buried-Heterostructure Lasers, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), Vol. 50, No. 7, pp. 070203-1 - 070203-3, July 2011.  公式リンク  
  
• mizuki shirao, takashi sato, yuta takino, noriaki sato, nobuhiko nishiyama, shigehisa arai. Room-Temperature Continuous-Wave Operation of 1.3-µm Transistor Laser with AlGaInAs/InP Quantum Wells, Appl. Phys. Express, Vol. 4, No. 7, pp. 072101-1-3, June 2011.
• Mizuki Shirao, SeungHun Lee, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Large-Signal Analysis of a Transistor Laser, IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 47, No. 3, pp. 359-367, Mar. 2011.
• Mizuki Shirao, Yuki Numajiri, Ryo Yokoyama, Nobuhiko Nishiyama, Masahiro Asada, Shigehisa Arai. Preliminary Experiment for Direct Media Conversion to Sub-Terahertz Wave Signal from 1.55-μm Optical Signal Using Photon-generated Free Carriers, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 48, no. 9, pp. 090203-1-3, Sept. 2009.
• Tadashi Okumura, Munetaka Kurokawa, Mizuki Shirao, daisuke kondo, Hitomi Ito, Nobuhiko Nishiyama, Takeo Maruyama, SHIGEHISA ARAI. Lateral current injection GaInAsP/InP laser on semi-insulating substrate for membrane-based photonic circuits, Opt. Express, Vol. 17, No. 15, pp. 12564-12570, July 2009.

国際会議発表 (査読有り)

• Kei Masuyama, Mizuki Shirao, Nobuhiko Nishiyama, Nobuo Ohata. Design of Triple Taper Structure for High-Performance Hybrid EA modulator on Silicon Waveguides, 2024 International conference on solid state devices and materials, Sept. 2024.
• Noriaki Sato, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, S. Arai. Room-Temperature Continuous-Wave Operation of a 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser, 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2012), No. MA7, Oct. 2012.  公式リンク  
  
• Daisuke Take, Mizuki Shirao, Kaoru Maruyama, Nobuhiko Nishiyama, Masahiro Asada, Shigehisa Arai. Compact Optical/THz Signal Converter using Photo-generated Carrier Gate in THz Waveguide, the IEEE Photonics Conference 2012, the IEEE Photonics Conference 2012, Sept. 2012.
• Takashi Sato, Mizuki Shirao, Yuta Takino, Noriaki Sato, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Room-Temperature Lasing Operation of a 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser, the IEEE Photonics Conference 2011, Oct. 2011.
• Noriaki Sato, Yuuta Takino, Mizuki Shirao, Nobuhiko NIshiyama, Shigehisa Arai. Effect of Thermal Cleaning on Regrowth Interface Quality of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers, International Symposium on Compound Semiconductors, P5.60, July 2011.
• mizuki shirao, takashi sato, noriaki sato, nobuhiko nishiyama, shigehisa arai. Lasing Operation of Long-Wavelength Transistor Laser Using AlGaInAs/InP Quantum Well Active Region, The 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011), pp. Tu-3.2.4, May 2011.
• Mizuki Shirao, Nobuhiko Nishiyama, SeungHun Lee, Shigehisa Arai. Large Signal Analysis of AlGaInAs/InP Laser Transistor, Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC) 2010, Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC) 2010, San Jose, USA, CMY7, May 2010.
• Yuta Takino, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Investigation of Regrowth Interface Quality of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers, 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010), 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010), WeP27, May 2010.  公式リンク  
  
• Mizuki Shirao, Ryo Yokoyama, Yuki Numajiri, Nobuhiko Nishiyama, MASAHIRO ASADA, SHIGEHISA ARAI. Direct Conversion to Sub-THz Signal from 1.55-μm Optical Signal Using Photon-Generated Free-Carriers, 2008 LEOS Annual Meeting, 2008 LEOS Annual Meeting, No. TuJ 3, Nov. 2008.
• Tadashi OKUMURA, Munetaka KUROKAWA, Mizuki SHIRAO, Daisuke KONDO, Nobuhiko NISHIYAMA, SHIGEHISA ARAI. Top-Air-Cladding GaInAsP/InP Lateral Current Injection Type Lasers, IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference 2008, IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference 2008, MoC I-5, Oct. 2008.

国内会議発表 (査読有り)

• 高下裕一郎, 白尾瑞基, 矢野亜季, 井端雅一, 石原宏. 強誘電体ゲートカーボンナノチューブトランジスタの作製と評価, 2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会, 2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会, Vol. 29a-SV-9/Ⅱ, Mar. 2007.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Mizuki Shirao, Ryo Yokoyama, Yuki Numajiri, Nobuhiko Nishiyama, MASAHIRO ASADA, SHIGEHISA ARAI. Direct Modulation of Sub-Teraherz Waves by 1.55-μm Optical Signal, iNOW2008, Technical digest of iNOW 2008, 1-P28, Aug. 2008.
• Tadashi Okumura, Munetaka Kurokawa, Mizuki Shirao, daisuke kondo, Hitomi Ito, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/InP Lateral Current Injection Laser Grown on SI-InP Substrate, 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop, session3-P27, Aug. 2008.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 武 大助, 白尾 瑞基, 丸山 薫, 西山 伸彦, 浅田 雅洋, 荒井 滋久. 光励起キャリアゲート型光-テラヘルツ信号直接変換器の信号特性の検討, 第73回応用物理学会学術講演会, 第 73 回応用物理学会学術講演会 講演予稿集(2012 秋 愛媛大学・松山大学) 11p-B1-8, Sept. 2012.
• 佐藤 孝司, 白尾 瑞基, 佐藤 憲明, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの室温パルス動作, 第72回応用物理学会学術講演会, Oct. 2011.
• 佐藤憲明, 白尾瑞基, 佐藤孝司, 西山伸彦, 荒井滋久. ICP-RIEを用いたAlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造レーザ, 第72回応用物理学会学術講演会, July 2011.
• 佐藤憲明, 瀧野祐太, 白尾瑞基, 佐藤孝司, 西山伸彦, 荒井滋久. AlGaInAs/InP 埋め込みヘテロ構造レーザにおけるサーマルクリーニング中温度の再成長界面品質に対する影響, 2011春季第58回応用物理関係連合講演会, July 2011.
• 長部 亮, 福田 渓太, 白尾 瑞基, 西山 伸彦, 荒井 滋久. AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/InP-Siハイブリッドレーザの構造設計, 第72回応用物理学会学術講演, Vol. 長崎, No. 1p-ZL-1, June 2011.
• 西山 伸彦, 高橋 大佑, 李 承勲, 白尾 瑞基, 信野 圭祐, 雨宮 智宏, 荒井 滋久. 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, IEICE Technical Report, vol. 111, no. 112, pp. 1-6, June 2011.
• 佐藤孝司, 白尾瑞基, 瀧野祐太, 西山伸彦, 荒井滋久.. 1.3-μm帯pnp-AlGaInAs/InPレーザトランジスタの室温連続動作, 第58回応用物理学関係連合講演会, 第58回応用物理学関係連合講演会, 26a-P5-14, Feb. 2011.  公式リンク  
  
• 白尾瑞基, 李承勲, 西山伸彦, 荒井滋久. 3端子を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ型SOAの数値解析, 第58回応用物理学関係連合講演会 予稿集, 27a-P8-10, Jan. 2011.
• 瀧野祐太, 白尾瑞基, 佐藤孝司, 西山伸彦, 荒井滋久.. AlGaInAs/InP 埋め込みヘテロ構造レーザにおけるサーマルクリーニング中雰囲気の再成長界面品質に対する影響, 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, 16p-H-14, Aug. 2010.  公式リンク  
  
• 瀧野祐太, 白尾瑞基, 佐藤孝司, 西山伸彦, 荒井滋久. AlGaInAs/InP 埋め込みヘテロ構造レーザにおける再成長界面品質のサーマルクリーニング依存性, 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, 19p-E-4, Mar. 2010.  公式リンク  
  
• 白尾瑞基, 西山伸彦, 李承勲, 荒井滋久. AlGaInAs量子井戸活性層を有する長波長帯レーザトランジスタ変調効率の構造依存性, 第57回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 19p-E-6, Mar. 2010.
• 白尾瑞基, 瀧野祐太, 李承勲, 西山伸彦, 荒井滋久. レート方程式によるAlGaInAs長波長帯レーザトランジスタの動作解析, 第７０回応用物理学会学術講演会, 第７０回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 10p-S-10, Sept. 2009.
• 沼尻 祐貴, 横山 亮, 白尾 瑞基, 西山 伸彦, 浅田 雅洋, 荒井 滋久. 光生成キャリア変調による光信号からサブテラヘルツ信号への直接変換速度特性, 第56回春季応用物理学会学術講演会, 第56回春季応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, Apr. 2009.  公式リンク  
  
• 沼尻 祐貴, 横山 亮, 白尾 瑞基, 西山 伸彦, 浅田 雅洋, 荒井 滋久. テラヘルツ信号の光生成キャリアによる光信号からの直接変換, 電子デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, 社団法人電子情報通信学会, Vol. 108, No. 369, pp. 65-70, Dec. 2008.
• 荒井滋久, 丸山武男, 西山伸彦, 奥村忠嗣, 黒川宗高, 白尾瑞基, 米澤英徳, 近藤大介, 伊藤瞳. シリコンフォトニクス光源, シリコンフォトニクス技術分科会, シリコンフォトニクス技術分科会, JEITA（社 電子情報技術産業協会）, Dec. 2008.
• 奥村忠嗣, 黒川宗高, 白尾瑞基, 近藤大介, 伊藤瞳, 西山伸彦, 荒井滋久. 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Vol. 東京, No. LQE2008-137, pp. pp. 47-52, Dec. 2008.
• 荒井滋久, 丸山武男, 西山伸彦, 奥村忠嗣, 黒川宗高, 白尾瑞基, 米澤英徳, 近藤大介, 伊藤瞳. SOI上の半導体薄膜レーザ, 電子情報通信学会シリコンフォトニクス研究会, 電子情報通信学会, 東京, SiPH2008-15, pp. 19–24, Nov. 2008.
• 沼尻祐貴, 横山亮, 白尾瑞基, 西山伸彦, 浅田雅洋, 荒井滋久. 光生成キャリア変調による光信号のテラヘルツ・サブテラヘルツ信号への直接変換, 第69回応用物理学会学術講演会, 第69回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, Vol. Ⅲ, No. 4p-ZE-11, Sept. 2008.  公式リンク  
  
• 白尾瑞基, 今西大輔, 西山伸彦, 荒井滋久. 長波長帯レーザトランジスタ実現へ向けたベース層の構造設計, 第69回応用物理学会学術講演会, 第69回応用物理学会学術講演会予稿集, P3-7, Sept. 2008.  公式リンク  
  
• 黒川宗高, 奥村忠嗣, 白尾瑞基, 近藤大介, 伊藤 瞳, 西山伸彦, 荒井滋久. OMVPE再成長法による薄膜クラッド層を有する横方向電流注入型レーザ, 69回応用物理学会学術講演会, 2p-P3-8、p. 1020, Sept. 2008.

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