国際会議発表 (査読有り)

• N. Morii, K. Nagatomo, K. Takemura, T. Ouchi, H. Uryu, S. Nagao, R. Kawazoe, T. Iimori, F. Komori, H. Hirayama, K. Nakatsuji. Electronic structure of Cu(001)c(4×2)-Bi surface, 13th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices (ALC’21), Oct. 2021.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 織田孝幸, 長尾俊佑, 笹川直希, 大内拓実, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Si(111)√3×√3-Ag 基板上のBi超薄膜の表面構造と電子状態, 日本物理学会2024年春季大会, Mar. 2024.
• 瓜生瞳美, 長尾俊佑, 平山博之, 中辻寛. (In,Bi)/Si(111)表面の原子構造, 日本物理学会2023年春季大会, Mar. 2023.
• 長尾俊佑, 大内拓実, 瓜生瞳美, 織田孝幸, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 中辻寛, 平山博之. Si(111)√3×√3-Ag 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態, 日本物理学会2023年春季大会, Mar. 2023.
• 森井七生, 永友慶, 竹村晃一, 大内拓実, 瓜生瞳美, 長尾俊佑, 河添理央, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Cu(001)c(4×2)-Bi表面の電子状態, 2021年日本表面真空学会学術講演会, Nov. 2021.

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