論文

• Takahiro Tomiyasu, Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Nagisa Nakamura, Tatsuya Uryu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. 20-Gbit/s direct modulation of GaInAsP/InP membrane distributed-reflector laser with an energy cost of less than 100 fJ/bit, Applied Physics Express, Vol. 11, No. 1, pp. 012704, Jan. 2018.
• Zhichen Gu, Tatsuya Uryu, Nagisa Nakamura, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. On-chip Membrane-based GaInAs/InP Waveguide-type p-i-n Photodiode Fabricated on Silicon Substrate, Applied Optics, Vol. 56, No. 28, pp. 7841-7848, Oct. 2017.
• Takahiro Tomiyasu, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Nagisa Nakamura, Kai Fukuda, Tatsuya Uryu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. High differential quantum efficiency operation of GaInAsP/InP membrane distributed-reflector laser on Si,, Applied Physics Express, vol. 10, no. 6, p. 062702, May 2017.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読有り)

• Nagisa Nakamura, Tatsuya Uryu, Zhichen Gu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Introduction of ridge-waveguide structure for low-power operation of GaInAsP/InP membrane distributed-reflector laser, Compound Semiconductor Week 2018, May 2018.
• Weicheng Fang, Tatsuya Uryu, Daisuke Inoue, Nagisa Nakamura, Takamasa Yoshida, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Reduction of lasing wavelength variation due to injection current into GaInAsP/InP membrane distributed-reflector laser bonded on Si, Compound Semiconductor Week 2018, May 2018.
• Tomohiro Amemiya, Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Takahiro Tomiyasu, Tatsuya Uryu, Nagisa Nakamura, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. GaInAsP/InP Membrane Lasers for On-chip Applications, European Conference on Integrated Optics 2018 (ECIO 2018), Apr. 2018.
• Tatsuya Uryu, Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. PAM-4 direct modulation of GaInAsP/InP membrane DR laser on Si substrate, 7th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC 2017), No. P-37, Dec. 2017.
• Zhichen Gu, Tatsuya Uryu, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Membrane-based GaInAs/InP waveguide-type p-i-n photodetector fabricated on Si substrate using Benzocyclobutene bonding, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), H-6-02, Sept. 2017.
• Takahiro Tomiyasu, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Nagisa Nakamura, Kai Fukuda, Tatsuya Uryu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. High Efficiency and High-speed Modulation Characteristics of Membrane Distributed-Reflector Laser on Si, The 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), No. D5.7, May 2017.
• Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tatsuya Uryu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Temperature dependence of threshold current of GaInAsP/InP membrane lasers with Bragg wavelength detuning, The 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), No. ThC7-2, May 2017.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Tatsuya Uryu, Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Bandwidth Analysis of Lateral-current-injection Membrane DFB Laser by Impedance Measurements, The 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, No. P-13, Dec. 2016.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 中村 なぎさ, 冨安 高弘, 瓜生 達也, コ シチン, 平谷 拓生, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの低消費電力動作に向けた構造検討, 第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018.
• Weicheng Fang, Tatsuya Uryu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Lasing Wavelength Dependence on Injection Current of GaInAsP/InP Membrane Distributed Reflector Laser with Thin-BCB Layer, The 65th JSAP Spring Meeting, 2018, Extended abstracts of the 65th JSAP spring meeting, The Japan Society of Applied Physics, Mar. 2018.
• 中村 なぎさ, 冨安 高弘, 平谷 拓生, 井上 大輔, 瓜生 達也, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Si上半導体薄膜DRレーザの低電流・高速動作化について, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, Jan. 2018.
• コシチン, 瓜生 達也, 中村 なぎさ, 井上 大輔, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Si上GaInAs/InP p-i-n 薄膜光検出器の感度特性の評価, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 7a-A504-12, Sept. 2017.
• 井上 大輔, 福田 快, 平谷 拓生, 冨安 高弘, 瓜生 達也, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. ブラッグ波長離調を用いた半導体薄膜DFB/DRレーザのしきい値電流温度依存性, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, IEICE Technical Report, Vol. 117, No. 195, pp. 51-54, Sept. 2017.
• 中村 なぎさ, 冨安 高弘, 平谷 拓生, 井上 大輔, 福田 快, 瓜生 達也, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Si上半導体薄膜DR レーザの高効率・高速変調特性, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 7a-A504-10, Sept. 2017.
• 瓜生 達也, 西山 伸彦, 平谷 拓生, 井上 大輔, 雨宮 智宏, 荒井 滋久. Si基板上薄膜分布反射型レーザのNRZ及びPAM-4直接変調, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 7a-A504-9, Sept. 2017.
• 福田 快, 井上 大輔, 平谷 拓生, 冨安 高弘, 瓜生 達也, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP薄膜DFBレーザのしきい値電流の温度依存性, 第63回応用物理学関係連合講演会, No. 15p-422-12, Mar. 2017.
• 冨安 高弘, 平谷 拓生, 井上 大輔, 福田 快, 瓜生 達也, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 半導体薄膜分布反射型レーザの高効率動作化に向けた検討, レーザ・量子エレクトロニクス(LQE)研究会, IEICE Technical Report, vol. 116, no. 275, pp. 1-6, Oct. 2016.
• 瓜生達也, 井上大輔, 平谷拓生, 福田快, 冨安高弘, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. インピーダンス測定による半導体薄膜DFBレーザの帯域解析, 電子情報通信学会 2016年ソサイエティ大会, Sept. 2016.
• 平谷拓生, 井上大輔, 冨安高弘, 福田快, 瓜生達也, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面回折格子を有する半導体薄膜DBR レーザの光出力特性, 第63回応用物理学会春季学術講演会, No. 20p-S321-10, Mar. 2016.
• 冨安高弘, 平谷拓生, 井上大輔, 福田快, 瓜生達也, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 半導体薄膜分布反射型レーザの高効率動作化に向けた検討, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, 2016.
• 冨安高弘, 平谷拓生, 井上大輔, 福田快, 瓜生達也, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. Si基板上半導体薄膜DBRレーザの光出力特性, 第3回IPDA研究会, P11, 2016.  公式リンク  
  

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