論文

• 林 一夫, 大石 敏之, 加茂 宣卓, 山口 裕太郎, 大塚 浩志, 山中 宏治, 中山 正敏, 宮本 恭幸. AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析, 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス, Vol. J96-C, No. 8, pp. 200-208, 2013.
• K. Hayashi, Y. Yamaguchi, T. Oishi, H. Ostuka, K. Yamanaka, M. Nakayama, Y. Miyamoto. Mechanism Study of Gate Leakage Current for AlGaN/GaN HEMT Structure Under High Reverse Bias by TSB Model and TCAD Simulation, JPN. J. APPL. PHYS., vol. 54, no. 4, issue 2, 2013.

国際会議発表 (査読有り)

• Y. Yamaguchi, K. Hayashi, T. Oishi, H. Otsuka, K. Yamanaka, Y. Miyamoto. Analysis on trade-off between drain resistance and drain-source capacitance of source field plate GaN HEMT, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sept. 2013.
• Y. Yamaguchi, K. Hayashi, T. Oishi, H. Otsuka, T. Nanjo, K. Yamanaka, M. Nakayama, Y. Miyamoto. Simulation study and reduction of reverse gate leakage current for GaN HEMTs, Oct. 2012.
• Y. Yamaguchi, K. Hayashi, T. Oishi, H. Otsuka, K. Yamanaka, M. Nakayama, Y. Miyamoto. Analysis on trade-off between electric field and gate-drain capacitance for GaN HEMT by T-CAD simulation, 2012 International Conference on. Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Sept. 2012.
• T. Oishi, K. Hayashi, Y. Yamaguchi, H. Otsuka, K. Yamanaka, M. Nakayama, Y. Miyamoto. Mechanism study of gate leakage current for AlGaN/GaN HEMT structure under high reverse bias by TSB model and TCAD simulation, 2012 International Conference on. Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Sept. 2012.
• Y. Yamaguchi, T. Sagai, Y. Miyamoto. Fabrication of InP/InGaAs SHBT on Si Substrate by Using Transferred Substrate Process, 9th Topical Workshop on Heterostructure Materials, Sept. 2011.  公式リンク  
  
• Toru Kanazawa, Ryousuke Terao, Yuutarou Yamaguchi, Shunsuke Ikeda, Yosiharu Yonai, YASUYUKI MIYAMOTO. InP/InGaAs MOSFET with Back-Electrode Structure Bonded on Si Substrate Using a BCB Adhesive Layer, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 129-130, Sept. 2010.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 大石敏之, 山口裕太郎, 大塚浩志, 山中宏治, 野上洋一, 福本宏, 宮本恭幸. GaNショットキーバリアダイオードの温度依存性モデル, 第61回春季応用物理学会学術講演会, Mar. 2014.
• 山口裕太郎, 大石敏之, 大塚浩志, 山中宏治, TeoKoonHoo, 宮本恭幸. GaN HEMTの過渡応答バイアス依存性によるトラップ解析, 第61回春季応用物理学会学術講演会, Mar. 2014.
• 大石敏之, 林一夫, 佐々木肇, 山口裕太郎, 大塚浩志, 山中宏治, 中山正敏, 宮本恭幸. トランジスタ動作時における GaN HEMT ゲートリークのデバイスシミュレーションによる解析, 電子情報通信学会2012年ソサエティ大会, Sept. 2012.
• 山口裕太郎, 大石敏之, 大塚浩志, 山中宏治, 南條拓真, 中山正敏, 平野嘉仁, 宮本恭幸. デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析, 電子情報通信学会2011年総合大会, Mar. 2012.
• 山口裕太郎, 佐賀井健, 宮本恭幸. 基板転写プロセスを用いたSi基板上InP/InGaAs SHBTの作製, 第58回応用物理学会関係連合講演会, Apr. 2011.
• 金澤 徹, 寺尾 良輔, 山口 裕太郎, 池田 俊介, 米内 義晴, 加藤 淳, 宮本 恭幸. 裏面電極を有するⅢ－Ⅴ族量子井戸型チャネルMOSFET, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, Jan. 2011.
• 金澤徹, 寺尾良輔, 山口裕太郎, 池田俊介, 米内義晴, 加藤淳, 宮本恭幸. Si基板上貼付された裏面電極付InP/InGaAs MOSFET, 第71回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 磯谷優治, 小林 嵩, 山口裕太郎, 宮本恭幸, 古屋一仁. Si基板上へ転写したInP系HBTの動作, 第57回応用物理学関係連合研究会, Mar. 2010.

学位論文

• GaN-HEMTにおけるモデリング及び高周波増幅器に関する研究,  論文要旨,  東京工業大学, 
• GaN-HEMTにおけるモデリング及び高周波増幅器に関する研究,  本文,  東京科学大学, 

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