国際会議発表 (査読有り)

• Eisuke Tokumitsu, Akio Ishiguro, Hiroyuki Yamada, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Masayuki Imaizumi, Hiroaki Sumitani, Tatsuo Oomori. Al2O3/4H-SiC MOSFETs Fabricated with High-Temperature Nitridation Process, 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), pp. 320, Sept. 2011.

国内会議発表 (査読有り)

• 山田泰之, 石黒暁夫, 日野史郎, 三浦 成久, 今泉昌之, 岸谷博昭, 徳光永輔. Al2O3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第１37回研究集会、電子情報通信学会シリコン材料デバイス研究会, 信学技報, pp. 11-15, July 2011.
• 石黒暁夫, 山田泰之, 日野史郎, 三浦 成久, 大森 達夫, 徳光永輔. 高温窒化処理とAl2O3堆積膜を用いた4H-SiC MOSFETの作製と評価, 第58回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011.
• 石黒暁夫, 山田泰之, 日野史郎, 三浦 成久, 大森 達夫, 徳光永輔. 高温窒化処理とAl2O3堆積膜を用いた４H-SiC MOSFETの作製と評価, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第１９回講演会, Oct. 2010.

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