論文

• Yuusuke Hayashi, Ryou Osabe, Keita Fukuda, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Low Threshold Current Density Operation of a GaInAsP/Si Hybrid Laser Prepared by Low-Temperature N2 Plasma Activated Bonding, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 52, No. 6, p. 060202, June 2013.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読有り)

• Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Kei Fukuda, Nagisa Nakamura, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. High Efficiency Operation of Membrane Distributed-Reflector Laser with Redeced Index Coupling Coefficient Structure, The 12th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2017), No. Oral 2-3G-4, July 2017.
• Yuusuke Hayashi, Keita Fukuda, Ryo Osabe, Jun-ichi Suzuki, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Design of Multi-Functional GaInAsP/Si Hybrid Semiconductor Optical Amplifier Array with AlInAs-Oxide Current Confinement Layer, IPRM-2013, May 2013.  公式リンク  
  
• Yuusuke Hayashi, Ryou Osabe, Keita Fukuda, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/SOI Hybrid Laser by N2 Plasma Activated Low Temperature Bonding, The 2nd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence -Advanced Nanophotonics and Silicon Device Systems- (ISPEC2012), Dec. 2012.  公式リンク  
  
• Yuusuke HAYASHI, Ryo OSABE, Keita FUKUDA, Nobuhiko NISHIYAMA, Shigehisa ARAI.. GaInAsP/Si Hybrid Fabry-Perot Laser using N2 Plasma Activated Low Temperature Bonding, 2012 IEEE Photonics Conference, No. ThO 4, Sept. 2012.
• Yusuke HAYASHI, Ryo OSABE, Keita FUKUDA, Nobuhiko NISHIYAMA, Shigehisa ARAI.. AlInAs Selective Oxidation for GaInAsP/Si Hybrid Semiconductor Laserusing Surface Activated Bonding, 2012 3rd IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, pp. 93-94, May 2012.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Keita Fukuda, Ryo Osabe, Yuki Atsumi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Design of Multi-functional GaInAsP/Si Hybrid Semiconductor Opti, ISPEC2011, Nov. 2011.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 鈴木純一, 福田渓太, 林侑介, 姜晙炫, 渥美裕樹, 西山伸彦, 荒井滋久. InP/Siハイブリッド光デバイスにおける複数機能一括貼り付け形成のための構造検討, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, IEICE Technical Report, Vol. 東京, No. LQE2013-129, pp. 21-26, Dec. 2013.
• 福田渓太, 林侑介, 鈴木純一, 渥美裕樹, 西山伸彦, 荒井滋久. GaInAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のためのテーパー構造設計, 電子情報通信学会 2013年総合大会, 電子情報通信学会, C, 3, 40, 2013.
• 林侑介, 長部亮, 福田渓太, 鈴木純一, 渥美裕樹, 姜晙炫, 西山伸彦, 荒井滋久. 窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼付とそのハイブリッドレーザへの応用, レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Dec. 2012.
• 林 侑介, 長部 亮, 福田 渓太, 渥美 裕樹, 姜 晙炫, 西山 伸彦, 荒井 滋久.. 表面活性化接合を用いたGaInAsP/Siハイブリッドファブリペローレーザ, 第73回応用物理学会学術講演, No. 12a-C6-8, Sept. 2012.
• 福田渓太, 長部亮, 林侑介, 渥美裕樹, 西山伸彦, 荒井滋久. AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のための構造設計, 電子情報通信学会 2012年ソサイエティ大会, 電子情報通信学会 2012年ソサイエティ大会, 富山 C-3-62, Sept. 2012.
• 林侑介, 長部亮, 福田渓太, 西山伸彦, 荒井滋久.. Si導波路を用いた波長フィルタを有するAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討, 光エレクトロニクス研究会(OPE), 電子情報通信学会, Apr. 2012.
• 長部亮, 福田渓太, 林侑介, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化接合によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討, レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Dec. 2011.
• 長部亮, 福田渓太, 林侑介, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化接合法によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/SOIハイブリッドレーザの検討, シリコン・フォトニクス研究会, Nov. 2011.
• 福田 渓太, 渥美 裕樹, 長部 亮, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Si導波路幅の制御によるGaInAsP/SiハイブリッドSOA 多機能集積のための設計, 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会, July 2011.
• 長部 亮, 福田 渓太, 白尾 瑞基, 西山 伸彦, 荒井 滋久. AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/InP-Siハイブリッドレーザの構造設計, 第72回応用物理学会学術講演, Vol. 長崎, No. 1p-ZL-1, June 2011.

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