論文

• Y. Kuroiwa, Y. Matsushita, K. Harada, F. Oba. Theoretical prediction of strain-induced carrier effective mass modulation in 4H-SiC and GaN, Applied Physics Letters, vol. 115, pp. 112102, Aug. 2019.  公式リンク  
  
• Y. Wang, T. Ohsawa, Y. Kumagai, K. Harada, F. Oba, N. Ohashi. Achieving non-degenerate Zn3N2 thin films by near room temperature sputtering deposition, Applied Physics Letters, vol. 115, pp. 092104, Aug. 2019.  公式リンク  
  
• T. Kobayashi, K. Harada, Y. Kumagai, F. Oba, Y. Matsushita. Native point defects and carbon clusters in 4H-SiC: A hybrid functional study, Journal of Applied Physics, vol. 125, pp. 125701, Mar. 2019.  公式リンク  
  
• Kosuke Matsuzaki, Kou Harada, Yu Kumagai, Shogo Koshiya, Shigenori Ueda, Masato Sasase, Akihiro Maeda, Tomofumi Susaki, Masaaki Kitano, Fumiyasu Oba, Hideo Hosono. High-Mobility p-Type and n-Type Copper Nitride Semiconductors by Direct Nitriding Synthesis and In Silico Doping Design, Adv. Mater., Vol. 30, pp. 1801968, June 2018.
• Yu Kumagai, Kou Harada, Hirofumi Akamatsu, Kosuke Matsuzaki, Fumiyasu Oba. Carrier-induced band-gap variation and point defects in Zn3N2 from first principles, Physical Review Applied, vol. 8, pp. 014015-1-12, July 2017.  公式リンク  
  

国内会議発表 (査読有り)

• 松崎功佑, 片瀬貴義, 熊谷悠, 角田直樹, 原田航, 大場史康, 細野秀雄. Pd0価ドーピングによる窒化銅半導体のバンド構造制御と熱電特性, 日本セラミックス協会第36回秋季シンポジウム, Sept. 2023.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Yuichiro Kuroiwa, Yu-ichiro Matsushita, Kou Harada, Fumiyasu Oba. Strain-induced carrier effective mass modulation in 4H-SiC and GaN: A first-principles study, The 11th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-11), July 2019.
• N. Nishiya, K. Harada, Y. Kumagai, H. Akamatsu, F. Oba. Theoretical study of doping limits in semiconductors, The Tenth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-10), Aug. 2017.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 早川 周作, 原田 航, 望月 泰英, 高橋 亮, 熊谷 悠, 大場 史康. 窒化イットリウムの点欠陥に関する第一原理計算, 日本金属学会2020年春期講演大会, Mar. 2020.
• 西谷宣彦, 原田航, 熊谷悠, 赤松寛文, 大場史康. 化合物半導体における点欠陥形成とドーピング限界の理論的検討, 日本金属学会2017年春期講演大会, Mar. 2017.
• 西谷 宣彦, 原田 航, 熊谷 悠, 赤松寛文, 大場 史康. 半導体におけるドーピング限界の理論的研究, 第26回日本MRS年次大会, Dec. 2016.
• 原田 航, 熊谷 悠, 松崎 功佑, 須崎（須﨑） 友文, 大場 史康. 第一原理計算による窒化銅中の固有点欠陥及び不純物点欠陥の解析, 第26回日本MRS年次大会, Dec. 2016.
• 西谷宣彦, 原田航, 熊谷悠, 赤松寛文, 大場史康. 第一原理計算による化合物半導体のドーピング限界の検討, 日本金属学会2016年（第159回）秋期講演大会, Sept. 2016.
• 原田航, 熊谷悠, 西谷宣彦, 松崎功佑, 須崎友文, 大場史康. 窒化銅中の点欠陥の第一原理計算, 日本金属学会2016年（第159回）秋期講演大会, Sept. 2016.

特許など

• 松崎功佑, 細野秀雄, 大場史康, 熊谷悠, 原田航, 雲見日出也. 窒化銅半導体およびその製造方法. 特許. 登録. 国立大学法人東京工業大学. 2017/03/06. 特願2017-041774. 2018/09/20. 特開2018-148031. 特許第6951734号. 2021/09/29 2021.

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