国際会議発表 (査読有り)

• H.Moriya, S.Hino, N.Miura, T.Oomori, E.Tokumitsu. Effect of Oxidant in MOCVD-growth of Al2O3 Gate Insurator on 4H-SiC MOSFET Properties, 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2008), Sept. 2008.
• H. Sauddin, Y. Sasaki, H. Ito, B. Mizuno, P. Ahmet, K. Kakushima, N. Sugii, K. Tsutsui, H. Iwai. Leakage Current Characteristics of Ultra-Shallow Junctions formed by B2H6 Plasma Doping, 2006 Joint International Meeting of ECS, Oct. 2006.

国内会議発表 (査読有り)

• 日野史郎, 畑山 智裕, 加藤潤, 守谷仁, 三浦 成久, 大森 達夫, 徳光永輔. 極薄膜酸化膜を用いたAl2O3/SiC MOSFETのチャネル移動度の向上（Ⅱ）, 第６８回 応用物理学会学術講演会, 第６８回 応用物理学会学術講演会, No. 6p-ZN-9/Ⅰ, Sept. 2007.

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