国際会議発表 (査読有り)

• Tomoaki Oba, Takamasa Kawanago, Shunri Oda. Gated Four-Probe Method for Evaluation of Electrical Characteristics in MoS2 Field-Effect Transistors, The 10th annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference (RPGR2018), Oct. 2018.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 松﨑貴広, 大場智昭, 川那子高暢, 小田俊理. PVAによるMoS2FETへのキャリアドーピングと電気特性への影響, 2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2019.
• 大場智昭, 川那子高暢, 小田俊理. ゲート付き4 端子法によるMoS2 FET の電気特性評価, 2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会, 第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 公益社団法人 応用物理学会, Sept. 2018.

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