国際会議発表 (査読有り)

• D. Nakajun, N. Kanai, R. F. T. Fathulah, H. Fujita, E. Yagyu, Y. Miyamoto. Multi-level inverter toward GaN HEMT monolithic integrated circuit, Les Eastman Conference 2018, IIIB-5, Aug. 2018.
• Nanae Kanai, Kenichi Okada, Yasuyuki Miyamoto. Investigation of Active Load Matching Using GaN HEMT as Digital Switch, Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), July 2018.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 早坂 明泰, 青沼 遼介, 堀田 航史, 金井 七重, 眞壁 勇夫, 吉田 成輝, 宮本 恭幸. N極性GaN HEMT作製プロセスにおけるプラズマダメージの低減, 第80回 応用物理学会 秋季学術講演会, 18p-N302-11, Sept. 2019.

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