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金子喬研究業績一覧 (1件)

国際会議発表 (査読有り)

Y. M. Lei, T. Kaneko, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima, M. Furuhashi, S. Tomohisa, S. Yamakawa. Influence of Interface ALD-SiO2 Layer for Lanthanum Silicate Gate Dielectrics for 4H-SiC MOS Capacitors, 47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2016), Dec. 2016.

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