論文

• Eisuke Anju, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. Relaxation of Self-Heating-Effect for Stacked-Nanowire FET and p/n-Stacked 6T-SRAM Layout, Journal of the Electron Devices Society (J-EDS), vol. 8, pp. 1244-1250, Nov. 2018.

国際会議発表 (査読有り)

• Eisuke Anju, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. Self-Heating-Effect-Free p/n-Stacked-NW on Bulk-FinFETs and 6T-SRAM Layout, The 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM2018), Mar. 2018.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 安重 英祐, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整. ソース/ドレイン逆凹型コンタクト構造による横型積層シリコンナノワイヤFETにおける自己発熱効果の緩和, 第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018.
• 安重 英祐, 大橋 匠, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整. Accumulation-Mode積層型ナノワイヤCMOSデバイスのチャネル不純物濃度およびゲート電極仕事関数の依存性, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2016.

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