国際会議発表 (査読有り)

• Ahmet Parhat, Wataru Hosoda, unknown unknown, Yoshihisa Ohishi, Kuniyuki KAKUSHIMA, KAZUO TSUTSUI, HIROSHI IWAI. Er Inserted Ni Silicide Metal Source/Drain for Schottky MOSFETs, IEEE IWJT 2010 Extended Abstracts 2010 International Workshop on Junction Technology, May 2010.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 細田亘, 野口浩平, パールハットアヘメト, 角嶋邦之, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋. 異種金属界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用, 第56回応用物理学関係連合講演会, 第56回応用物理学会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 868, Mar. 2009.
• 細田亘, 野口浩平, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋. Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用, 秋季第69回応用物理学会学術講演会, 秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 751, Sept. 2008.
• 野口浩平, 大石善久, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋. Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調技術, 春季第55回応用物理学会学術講演会, 春季第55回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 879, Mar. 2008.

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