論文

• K. Ohashi, M. Fujimatsu, S. Iwata, Y. Miyamoto. Body width dependence of subthreshold slope and on-current in GaAsSb/InGaAs double-gate vertical tunnel FETs, Jpn. J. Appl.Phys., Vol. 54, Number 4S, Apr. 2015.
• M. Kashiwano, J. Hirai, S. Ikeda, M. Fujimatsu, Y. Miyamoto. High Open-Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistor Using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa, JPN. J. APPL. PHYS., vol. 54, no. 4, issue 2, 2013.

国際会議発表 (査読有り)

• K. Ohashi, M. Fujimatsu, Y. Miyamoto. Body width dependence of subthreshold slope and on-current in GaAsSb/InGaAs Double Gate Vertical Tunnel FETs, 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sept. 2014.
• M. Kashiwano, J. Hirai, S. Ikeda, M. Fujimatsu, Y. Miyamoto. High Open Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa, 2012 International Conference on. Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Sept. 2012.
• M. Fujimatsu, H. Saito, Y. Miyamoto. 71 mV/dec of Sub-Threshold Slope in Vertical Tunnel Field-Effect Transistors with GaAsSb/InGaAs Heterostructure, 24th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012), Aug. 2012.
• Motohiko Fujimatsu, Hisashi Saito, YASUYUKI MIYAMOTO. GaAsSb/InGaAs vertical tunnel FET with a 25 nm-wide channel mesa structure, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2011), 2011.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, A. Kato, M. Fujimatsu, M. Kashiwano, K. Ohsawa, K. Ohashi. (Invited) InGaAs MOSFET Source Structures Toward High Speed/low Power Applications, 26th International Conference on InP and Related Materials (IPRM 2014), May 2014.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 大橋一水, 藤松基彦, 宮本恭幸. GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける SSとON電流のボディ幅依存性, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2014.
• 大橋一水, 藤松基彦, 宮本恭幸. GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証, 電子情報通信学会 電子デバイス研究会, IEICE Technical Report, Aug. 2014.
• 宮本恭幸, 金澤 徹, 米内義晴, 加藤 淳, 藤松基彦, 柏野壮志, 大澤一斗, 大橋一水. 低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造, 電子情報通信学会 電子デバイス研究会, IEICE Technical Report, Aug. 2014.
• 宮本 恭幸, 藤松 基彦. GaAsSb/InGaAs 縦型トンネル FET, 電気学会電子デバイス研究会, Mar. 2013.
• 柏野壮志, 平井準, 池田俊介, 藤松基彦, 宮本恭幸. 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型 InGaAs チャネル MISFET の高電圧利得化, 第 73 回応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.
• 藤松基彦, 宮本恭幸. GaAsSb/InGaAs ヘテロ接合を用いた縦型トンネル FET における サブスレッショルドスロープの改善, 第 73 回応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.
• 柏野壮志, 平井準, 池田俊介, 藤松基彦, 宮本恭幸. 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化, 電子情報通信学会技術研究報告, May 2012.
• 柏野壮志, 平井準, 池田俊介, 藤松基彦, 宮本恭幸. GaN HEMT のソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析, 電子情報通信学会2011年総合大会, Mar. 2012.
• 藤松基彦, 齋藤尚史, 宮本恭幸. GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いた縦型トンネルFETの作製・評価, 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会, Sept. 2011.
• 藤松基彦, 齋藤尚史, 楠崎智樹, 松本 豊, 平井 準, 宮本恭幸. GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いた縦型トンネルFETに関する研究, 第58回応用物理学会関係連合講演会, Mar. 2011.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]