国際会議発表 (査読有り)

• Ahmet Parhat, Wataru Hosoda, unknown unknown, Yoshihisa Ohishi, Kuniyuki KAKUSHIMA, KAZUO TSUTSUI, HIROSHI IWAI. Er Inserted Ni Silicide Metal Source/Drain for Schottky MOSFETs, IEEE IWJT 2010 Extended Abstracts 2010 International Workshop on Junction Technology, May 2010.
• K. Tsutsui, T. Shiozawa, K. Nagahiro, Y. Ohishi, K. Kakushima, P. Ahmet, N. Urushihara, M. Suzuki, H. Iwai. Effects of B or Al Interface Layers on Thermal Stability of Ni Silicide on Si, 213th ECS Meeting, May 2008.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 野口浩平, 大石善久, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋. Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調技術, 春季第55回応用物理学会学術講演会, 春季第55回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 879, Mar. 2008.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]