論文

• 岡本昌二, 堀口剛司, 冨永真志, 西村正, 藤田英明, 赤木泰文, 木ノ内伸一, 大井健史. IGBT 物理モデルの負荷短絡保護回路への適用, 電気学会論文誌D, 電気学会, vol. 134, no. 10, pp. 853-862, Oct. 2014.
• 堀口 剛司, 塚本 剛平, 冨永 真志, 西村 正, 藤田 英明, 赤木 泰文, 木ノ内 伸一, 大井 健史, 小山 正人. 物理モデルに基づく並列接続IGBT のPWM連続動作時における接合温度解, 電気学会論文誌D, 電気学会, vol. 134, no. 5, pp. 486-495, May 2014.
• 堀口 剛司, 杉本 貴之, 冨永 真志, 漆畑 廣明, 藤田 英明, 赤木 泰文, 木ノ内 伸一, 大井 健史. 物理モデルに基づく並列接続pinダイオードのリカバリー特性解析, 電気学会論文誌D, 電気学会, vol. 132, no. 5, pp. 566-573, May 2012.
• 遠山 喬, 冨永 真志, 漆畑 廣明, 藤田 英明, 赤木 泰文, 木ノ内 伸一, 大井 健史. 静特性と動特性の統合評価に基づくパラメータ抽出手法, 電気学会論文誌D, 電気学会, vol. 131, no. 7, pp. 864-872, July 2011.

国際会議発表 (査読有り)

• Shinji Tominaga, Hiroaki Urushibata, Hideaki Fujita, Hirofumi Akagi, Takeshi Horiguchi, Shin-ichi Kinouchi, Takeshi Oi. Modeling of IGBTs with Focus on Voltage Dependency of Terminal Capacitances, European Conference on Power Electronics and Applications, Proceedings of European Conference on Power Electronics and Applications, IEEE, pp. 1-9, Aug. 2011.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 岡本昌二, 冨永真志, 西村正, 藤田英明, 赤木泰文, 堀口剛司, 木ノ内伸一, 大井健史. IGBT物理モデルによる短絡時のスイッチング動作解析, 産業応用部門大会, 電気学会 産業応用部門大会, 電気学会, Vol. 1, no. 87, pp. 363-366, Aug. 2013.
• 塚本剛平, 冨永真志, 西村 正, 藤田英明, 赤木泰文, 堀口剛司, 木ノ内伸一, 大井健史. 物理モデルを用いた並列駆動IGBT連続動作時の接合温度解析－並列素子間の配線インダクタンス差の影響－, 半導体電力変換研究会, 電気学会研究会資料, no. SPC-13-024, pp. 49-54, Jan. 2013.
• 塚本剛平, 冨永真志, 西村 正, 藤田英明, 赤木泰文. 物​理​モ​デ​ル​に​基​づ​く​I​G​B​T​並​列​駆​動​時​に​お​け​る​接​合​温​度​解​析​, 産業応用部門大会, 電気学会 産業応用部門大会, 電気学会, Vol. 1, no. 34, Aug. 2012.
• 岩田恭彰, 冨永真志, 藤田英明, 赤木泰文, 堀口剛司, 木ノ内伸一, 大井健史, 漆畑廣明. 高精度MOSFETモデルを用いた損失・ノイズ評価への基礎的検討, 産業応用部門大会, 電気学会 産業応用部門大会, 電気学会, Vol. 1, no. 1-135, pp. 615-618, Sept. 2011.
• 岩田恭彰, 冨永真志, 西村 正, 藤田英明, 赤木泰文, 堀口剛司, 木ノ内伸一, 大井健史. デバイスモデルを用いたインバータ動作時の過渡熱解析, 半導体電力変換研究会, 電気学会研究会資料, no. SPC-12-016, June 2011.
• 杉本 貴之, 冨永 真志, 漆畑 廣明, 藤田 英明, 赤木 泰文, 堀口 剛司, 木ノ内 伸一, 大井 健史. デバイスモデルを用いた並列接続pinダイオードの動作特性 ―キャリアの挙動によるリカバリー特性の解析―, 半導体電力変換研究会, 電気学会研究会資料, no. SPC-11-017, pp. 97-102, Jan. 2011.
• 杉本貴之, 冨永真志, 漆畑廣明, 藤田英明, 赤木泰文, 木ノ内伸一, 大井健史. デバイスモデルを用いた並列接続pinダイオードのリカバリー特性解析, 産業応用部門大会, 電気学会 産業応用部門大会, 電気学会, Vol. 1, pp. 375-376, Aug. 2010.
• 遠山 喬, 冨永真志, 漆畑廣明, 藤田英明, 赤木泰文, 木ノ内伸一, 大井健史. 静特性と動特性の統合評価に基づくパラメータ抽出手法 ―pinダイオードモデルへの応用―, 電気学会 半導体電力変換研究会, 電気学会 半導体電力変換研究会資料, No. SPC-10-015, pp. 89-94, Jan. 2010.
• 遠山喬, 冨永真志, 漆畑廣明, 藤田英明, 赤木泰文, 木ノ内伸一, 大井健史. pinダイオードモデルにおけるライフタイム分布の影響, 産業応用部門大会, 電気学会 産業応用部門大会, 電気学会, Vol. 1, pp. 415-418, Aug. 2009.

特許など

• 脇慶子(旧：温慶茹), ハリヨ オクタビアノ, 菅野了次, 楊　洋, 冨永真志. リチウムイオン電池用負極材およびそれを用いたリチウムイオン二次電池. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学. 2012/03/28. 特願2012-073531. 2013/02/28. 特開2013-041806. 2013.
• 赤木泰文, 藤田英明, 岩田　恭彰, 漆畑　廣明, 冨永真志, 堀口　剛司, 中武　浩. ゲート駆動装置. 特許. 登録. 国立大学法人東京工業大学, 三菱電機株式会社. 2011/08/04. 特願2011-170796. 2013/02/21. 特開2013-038843. 特許第5701176号. 2015/02/27 2015.
• 赤木泰文, 藤田英明, 地道　拓志, 漆畑　廣明, 冨永真志, 大井　健史, 木ノ内　伸一. MOSFETモデルのパラメータ抽出方法. 特許. 登録. 国立大学法人東京工業大学, 三菱電機株式会社. 2009/03/09. 特願2009-055179. 2010/09/24. 特開2010-211387. 特許第5069711号. 2012/08/24 2012.

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