論文

• H.D. Trinh, Yueh-Chin Lin, H.C. Wang, C.H. Chang, Kuniyuki KAKUSHIMA, HIROSHI IWAI, Takamasa Kawanago, Y.G. Lin, C.M. Chen, Y.Y.Wong, G.N. Huang, M. Hudait, E.Y. Chang. Effect of Postdeposition, Annealing Temperatures on Electrical Characteristics of Molecular-Beam-Deposited HfO2 on n-InAs/InGaAs Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors, Applied Physics Express, Vol. 5, No. 2, pp. .021104-1-3, Feb. 2012.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 船水清永, Yueh-Chin Lin, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, Edward Yi Chang, 服部健雄, 岩井洋. High-k ゲート絶縁膜を用いたInxGa1-xAs MOS構造の研究, 第56回応用物理学関係連合講演会, 第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 837, July 2009.

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