論文

• Y. Shiotsu, S. Yamamoto, Y. Shuto, H. Funakubo, M. K. Kurosawa, S. Sugahara. Modeling and Design of a New Piezoelectronic Transistor for Ultralow-Voltage High-Speed Integrated Circuits, IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 67, no. 9, pp. 3852-3860, Aug. 2020.
• Y. Takamura, Y. Shuto, S. Yamamoto, H. Funakubo, M. Kurosawa, S. Nakagawa, S. Sugahara. Inverse-magnetostriction-induced switching current reduction of STT-MTJs and its application for low-voltage MRAM, Solid-State Electron., vol. 128, no. Supplement C, pp. 194-199, Oct. 2016.  公式リンク  
  
• T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, S. Sugahara. Spin accumulation in Si channels using CoFe/MgO/Si and CoFe/AlOx/Si tunnel contacts with high quality tunnel barriers prepared by radical-oxygen annealing, J. Appl. Phys., AIP Publishing LLC, Vol. 117, No. 17, pp. 17B531/1-4, May 2015.
• Y. Takamura, T. Akushichi, Y. Shuto, S. Sugahara. Analysis and design of nonlocal spin devices with electric-field-induced spin-transport acceleration, J. Appl. Phys., AIP Publishing LLC, Vol. 117, No. 17, pp. 17D919/1-4, Apr. 2015.
• Y. Kawame, T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, S. Sugahara. Fabrication and characterization of spin injector using a high-quality B2-ordered-Co2FeSi0.5Al0.5/MgO/Si(100) tunnel contact, J. Appl. Phys., AIP Publishing LLC, Vol. 117, No. 17, pp. 17D151/1-3, Apr. 2015.
• R. Nakane, Y. Shuto, H. Sukegawa, Z.C. Wen, S. Yamamoto, S. Mitani, M. Tanaka, K. Inomata, S. Sugahara. Fabrication of pseudo-spin-MOSFETs using a multi-project wafer CMOS chip, Solid-State Electronics, Elsevier, Vol. 102, pp. 52-58, Dec. 2014.
• Y. Takamura, T. Akushichi, A. Sadono, T. Okishio, Y. Shuto, S. Sugahara. Analysis of Hanle-effect signals observed in Si-channel spin accumulation devices, J. Appl. Phys., AIP Publishing LLC., vol. 115, no. 17, pp. 17C307/1-3, Apr. 2014.
• Y. Takamura, K. Hayashi, Y. Shuto, R. Nakane, S. Sugahara. Fabrication of High-Quality Co2FeSi/SiOxNy/Si(100) Tunnel Contacts Using Radical-Oxynitridation-Formed SiOxNy Barrier for Si-Based Spin Transistors, J. Electron. Mater., Springer, vol. 41, no. 5, pp. 954-958, Apr. 2012.
• Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. Evaluation and control of break-even time of nonvolatile SRAM based on spin-transistor architecture with spin-transfer-torque MTJs, J. Appl. Phys., vol. 51, no. 4, pp. 040212/1-3, 2012.
• S. Yamamoto, Y. Shuto, S. Sugahara. Nonvolatile delay flip-flop using spin-transistor architecture with spin transfer torque MTJs for power-gating systems, IET Electronics Letters, vol. 47, no. 18, pp. 1027-1029, Sept. 2011.
• Y. Takamura, T. Sakurai, R. Nakane, Y. Shuto, S. Sugahara. Epitaxial germanidation of full-Heusler Co2FeGe alloy thin films formed by rapid thermal annealing, J. Appl. Phys., American Institute of Physics, Vol. 109, no. 7, pp. 07B768/1-3, Apr. 2011.
• Y. Shuto, R. Nakane, W. H. Wang, H. Sukegawa, S. Yamamoto, M. Tanaka, K. Inomata, S. Sugahara. A New Spin-Functional Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Based on Magnetic Tunnel Junction Technology: Pseudo-Spin-MOSFET, Appl. Phys. Exp., vol. 3, no. 1, pp. 013003/1-3, 2010.
• Shuu'ichirou Yamamoto, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara. Nonvolatile SRAM (NV-SRAM) Using Resistive Switching Devices: Variable-Transconductance MOSFET Approach, Jpn. J. Appl. Phys, vol. 49, no. 4, pp. 040209/1-3, 2010.
• A. M. Nazmul, Tomohiro Amemiya, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara, Masaaki Tanaka. High temperature ferromagnetism in GaAs-Based heterostructures with Mn δ doping, Phys. Rev. Lett., Vol. 95, No. 017201, 2005.  公式リンク  
  

著書

• Satoshi Sugahara, Yota Takamura, Yusuke Shuto, Shuu’ichirou Yamamoto. Field-Effect Spin-Transistors, Handbook of Spintronics, Springer Netherlands, pp. 1-31, Oct. 2014.

国際会議発表 (査読有り)

• Y. Shiotsu, S. Yamamoto, Y. Shuto, H. Funakubo, M. K. Kurosawa, S. Sugahara. Design and circuit performance of a new piezoelectronic transistor, 2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW 2018), P2-5, June 2018.
• Sugahara, Y. Shuto, S. Yamamoto, H. Funakubo, M. K. Kurosawa. Piezoelectronic Transistor for Low-Voltage High-Speed Integrated Electronics, 2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S Conference 2017), Oct. 2017.
• T. Akushichi, D. Kitagata, Y. Shuto, S. Sugahara. Analysis of Spin Accumulation in a Si Channel Using CoFe/MgO/Si Spin Injectors, Electron Device Technology and Manufacturing Conference, P-15, Feb. 2017.
• D. Kitagata, Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. Analysis of Break-Even Time for Nonvolatile SRAM with SOTB Technology, Electron Device Technology and Manufacturing Conference, 4B-5, Feb. 2017.
• Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. Energy Performance of Nonvolatile Power-Gating SRAM Using SOTB Technology, 46th European Solid-State Device Conference, Sept. 2016.
• Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. Design and Implementation of Nonvolatile Power-Gating SRAM Using SOTB Technology, International Symposium on Low Power Electronics and Design, San Francisco, Aug. 2016.
• Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. Nonvolatile Power-gating Architecture for SRAM using SOTB Technology, 016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW 2016), June 2016.
• T. Akushichi, D. Kitagata, Y. Takamura, Y. Shuto, S. Sugahara. Spin Accumulation in a Si Channel using High-Quality CoFe/MgO/Si Spin Injectors, 2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW 2016), P1-27, June 2016.
• D. Kitagata, T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, S. Sugahara. Robust Design of Electric-field-assisted Nonlocal Si-MOS Spin-devices, 2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW 2016), P2-23, pp. 200-201, June 2016.
• Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. New power-gating architectures using nonvolatile retention: Comparative study of nonvolatile power-gating (NVPG) and normally-off architectures for SRAM, 29th IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), 8-1, Mar. 2016.
• Y. Takamura, Y. Shuto, S. Yamamoto, H. Funakubo, M.K. Kurosawa, S. Nakagawa, S. Sugahara. Inverse-magnetostriction-induced switching current reduction of STT-MTJs and its application for low-voltage MRAMs, 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), pp. 72-75, Jan. 2016.  公式リンク  
  
• T. Kondo, Y. Kawame, Y. Takamura, Y. Shuto, S. Sugahara. Fabrication of high-quality Co2FeSi0.5Al0.5/CoFe/MgO/Si spin injectors for Si-channel spin devices, 2015 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2015), June 2015.  公式リンク  
  
• D. Kitagata, T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, S. Sugahara. Design and analysis of electric-field-assisted nonlocal silicon-channel spin devices, 2015 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2015), June 2015.  公式リンク  
  
• Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara. Comparative study of power-gating architectures for nonvolatile FinFET-SRAM using spintronics-based retention technology, 18th Design, Automation and Test in Europe (DATE15), Mar. 2015.
• Y. Kawame, T. Akushichi, Y. Shuto, Y. Takamura, S. Sugahara. Fabrication and characterization of spin injector using a high-quality B2-ordered-Co2FeSi0.5Al0.5 /MgO/Si tunnel contact, 59th Annual Magnetism & Magnetic Materials Conference, AH-09, Nov. 2014.
• Y. Kawame, Y. Shuto, K. Takahashi, T. Akushichi, Y. Takamura, S. Sugahara. Fabrication of a CoFe/TiO2/Si tunnel contact and its spin-injector application, 59th Annual Magnetism & Magnetic Materials Conference, FW-15, Nov. 2014.
• Y. Takamura, T. Akushichi, Y. Shuto, S. Sugahara. Analysis and design of nonlocal spin devices with bias-induced spin-transport acceleration, 59th Annual Magnetism & Magnetic Materials Conference, GS-07, Nov. 2014.
• T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, S. Sugahara. Spin accumulation in Si channels using CoFe/MgO/Si and CoFe/AlOx/Si tunnel contacts with the high quality tunnel barriers prepared by radical-oxygen annealing, 59th Annual Magnetism & Magnetic Materials Conference, FW-11, Nov. 2014.
• Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara. Comparative Study of Power-Gating Architectures for Nonvolatile SRAM Cells Based on Spintronics Technology, 2014 IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems (APCCAS2014), Nov. 2014.
• Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara. Near-threshold voltage operation of nonvolatile SRAM cell based on pseudo-spin-FinFET architecture, 2014 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S Conference 2014), Oct. 2014.
• Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara. 0.5V operation and performance of nonvolatile SRAM cell based on pseudo-spin-FinFET architecture, 2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 2014), Sept. 2014.
• Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. Design and performance of nonvolatile SRAM cells based on pseudo-spin-FinFET architecture, 2014 IEEE Silicon Nanotechnology Workshop (SNW2014), June 2014.
• Y. Takamura, A. Sadono, T. Akushichi, T. Okishio, Y. Shuto, S. Sugahara. Analysis of Hanle-effect signals observed in Si-channel spin accumulation devices, The 58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference, AX-05, Nov. 2013.
• Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. Analysis of static noise margin and power-gating efficiency of a new nonvolatile SRAM cell using pseudo-spin-MOSFETs, 2012 IEEE Silicon Nanotechnology Workshop (SNW2012), June 2012.
• Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. Static noise margin and power-gating efficiency of a new nonvolatile SRAM cell based on pseudo-spin-transistor architecture, 4th IEEE Int. Memory Technology Workshop (IMW2012), May 2012.
• Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. Nonvolatile SRAM based on spin-transistor architecture for nonvolatile power-gating systems, International Symposium on Advanced Hybrid Nano Devices (IS-AHND): Prospects by World’s Leading Scientists, Oct. 2011.
• S. Yamamoto, Y. Shuto, S. Sugahara. Nonvolatile power-gating FPGAs based on spin-transistor architecture, International Symposium on Advanced Hybrid Nano Devices (IS-AHND): Prospects by World’s Leading Scientists, Oct. 2011.
• Y. Takamura, K. Hayashi, Y. Shuto, S. Sugahara. Formation and structural analysis of half-metallic Co2FeSi/SiOxNy/Si contacts with radical-oxynitridation-SiOxNy tunnel barrier, International Symposium on Advanced Hybrid Nano Devices (IS-AHND) : Prospects by World’s Leading Scientists, paper P-40, pp. 127-128, Oct. 2011.
• Y. Takamura, K. Hayashi, Y. Shuto, S. Sugahara. Formation of half-metallic tunnel junctions of Co2FeSi/SiOxNy/Si using radical oxynitridation technique, Electronic Materials Conf. (EMC) 2011, DD-9, p. 96, June 2011.
• S. Yamamoto, Y. Shuto, S. Sugahara. Application of NV-DFF and NV-SRAM using spin-transistor Architecture with spin transfer torque MTJs to nonvolatile power-gating FPGA, IEEE International Magnetics Conference 2011 (INTERMAG), Apr. 2011.
• Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. Evaluation and control of break-even time for nonvolatile SRAM using pseudo-spin-MOSFETs wit spin-transfer-torque MTJs, IEEE International Magnetics Conference 2011 (INTERMAG), Apr. 2011.
• S. Yamamoto, Y. Shuto, S. Sugahara. Power-gating ability and power aware design of nonvolatile delay flip-flop using spin-transistor architecture with spin transfer torque MTJs, IEEE International Magnetics Conference 2011 (INTERMAG), Apr. 2011.
• Y. Takamura, T. Sakurai, R. Nakane, Y. Shuto, S. Sugahara. Comparative study of full-Heusler Co2FeSi and Co2FeGe alloy thin films formed by rapid thermal annealing, 55th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2010), paper CV-02, p. 114 (program), Nov. 2010.
• Y. Shuto, Y. Takamura, S. Sugahara. Numerical simulation analysis of nonlocal multi-terminal devices for spin current detection in semiconductors, 55th Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials, paper DD-04, p. 124, Nov. 2010.
• Y. Shuto, R. Nakane, W. H. Wang, H. Sukegawa, S. Yamamoto, M. Tanaka, K. Inomata, S. Sugahara. A new spin-functional MOSFET based on MTJ technology: Pseudo-spin-MOSFET, The 6th International Conference on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors, Aug. 2010.
• T. Sakurai, Y. Takamura, R. Nakane, Y. Shuto, S. Sugahara. Epitaxial germanidation of full-Heusler Co2FeGe alloy thin films by rapid thermal annealing, The 6th International Conf. on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-VI), paper P2-22, Aug. 2010.
• Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. Operating analysis of nonvolatile SRAM using pseudo-spin-MOSFETs, The 6th International Conference on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors, Aug. 2010.
• Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. Operating analysis of nonvolatile SRAM using pseudo-spin-MOSFETs, 11th Joint MMM-Intermag Conference, Jan. 2010.
• Y. Shuto, R. Nakane, H. Sukegawa, S. Yamamoto, M. Tanaka, K. Inomata, S. Sugahara. Fabrication and characterization of pseudo-spin-MOSFETs, Intl. Conf. Silicon Nano Devices in 2030, paper P-49, pp. 148-149, Oct. 2009.
• Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. Analysis and design of nonvolatile SRAM using spintronics technology, Non-volatile Memory Technology Symposium 2009 (NVMTS09), paper P7, Oct. 2009.
• S. Yamamoto, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara. Nonvolatile power-gating microprocessor concepts using nonvolatile SRAM and flip-flop, International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030, P-50, Oct. 2009.
• Shuu’ichirou.Yamamoto, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara. Nonvolatile SRAM(NV-SRAM) Using Functional MOSFET Merged with Resistive Switching Devices, Proceedings of IEEE 2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC), pp. 531-534, Sept. 2009.
• Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. Analysis and Design of Nonvolatile SRAM Using MOSFET-Based Spin-Transistors, Intermag 2009, paper CT-02, p. 195, May 2009.
• Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. Variability-Tolerant CMOS Gates Using Functional MOSFETs with Resistive Switching Devices, Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 810-811, 2009.
• A. M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Tanaka. Mn delta-doped GaAs/p-AlGaAs Heterostructures with High Curie Temperature and Its Control, The 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-2004), 2004.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• S. Sugahara, Y. Shuto, S. Yamamoto. Energy-efficient nonvolatile logic systems based on CMOS/spintronics hybrid technology, the 222nd Meeting of the Electrochemical Society / the 2012 Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-Sate Science (PRIME), Oct. 2012.
• Y. Shuto, Y. Takamura, S. Sugahara. Spin-functional MOSFETs based on half-metallic ferromagnet technology, Workshop on Heusler Alloys and Their Spintronics Applications, Jan. 2011.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 塩津勇作, 山本修一郎, 周藤悠介, 舟窪浩, 黒澤実, 菅原聡. 新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの設計とそのデバイス・回路性能, 第65回応用物理学会春期学術講演会, 18p-G203-7, Mar. 2018.
• 北形大樹, 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡. 不揮発性SRAMのアーキテクチャとエネルギー性能, 電子情報通信学会集積回路研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, Vol. 117, No. 9, pp. 51-56, Apr. 2017.
• 北形大樹, 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡. 不揮発性SRAMの設計とエネルギー性能の解析, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-412-7, Mar. 2017.
• 悪七泰樹, 髙村陽太, 周藤悠介, 菅原聡. スピン蓄積デバイスにおける Hanle 効果の解析, 第 19 回半導体スピン工学の基礎と応用 PASPS-19, P-19, Dec. 2014.
• 周藤悠介, 高橋克典, 悪七泰樹, 髙村陽太, 菅原聡. CoFe/TIO2/Siスピン注入源の作製と評価, 第 19 回半導体スピン工学の基礎と応用 PASPS-19, P-18, Dec. 2014.
• 川目悠, 悪七泰樹, 髙村陽太, 周藤悠介, 菅原聡. (100)配向したCo2FeSi0.5Al0.5/MgO/Siトンネル接合の作製とそのスピン注入源応用, 第 19 回半導体スピン工学の基礎と応用 PASPS-19, P-20, Dec. 2014.
• 悪七泰樹, 髙村陽太, 周藤悠介, 菅原聡. 高品質CoFe/MgO/SiおよびCoFe/AlOx/Siトンネルコンタクトを用いた Siチャネルへのスピン注入, 第 19 回半導体スピン工学の基礎と応用 PASPS-19, O-5, Dec. 2014.
• 髙村陽太, 悪七泰樹, 周藤悠介, 菅原聡. 電界誘起によるスピン伝導の加速を用いた非局所スピンデバイス, 第 19 回半導体スピン工学の基礎と応用 PASPS-19, O-6, Dec. 2014.
• 高橋克典, 悪七泰樹, 周藤悠介, 高村陽太, 菅原聡. CoFe/TiO2/Siトンネルコンタクトの作製とそのスピン注入源への応用, 第38回 日本磁気学会学術講演会, 4aD-4, Sept. 2014.
• 川目悠, 悪七泰樹, 周藤悠介, 高村陽太, 菅原聡. B2型Co2FeSi0.5Al0.5/MgO/Siスピン注入源の作製と評価, 第38回 日本磁気学会学術講演会, 4aD-3, Sept. 2014.
• 悪七泰樹, 高村陽太, 周藤悠介, 菅原聡. ラジカル酸素アニールによる高品質トンネル障壁を有するCoFe/MgO/SiおよびCoFe/AlOx/Siコンタクトを用いたスピン蓄積の評価, 第38回 日本磁気学会学術講演会, 4aD-2, Sept. 2014.
• 高村陽太, 悪七泰樹, 周藤悠介, 菅原聡. 3端子スピン蓄積デバイスにおけるHanle効果信号の解析, 第38回 日本磁気学会学術講演会, 第38回 日本磁気学会学術講演会, 4aD-1, Sept. 2014.
• Y. Takamura, A. Sadono, T. Akushichi, T. Okishio, Y. Shuto, S. Sugahara. Analysis of Hanle-effect signals observed in a Si-channel spin accumulation device with a high-quality CoFe/MgO/Si spin injector, The 61st JSAP Spring Meeting, 2014, Mar. 2014.
• 山本修一郎, 周藤悠介, 菅原聡. 擬似スピンMOSFET技術を用いたFPGAの不揮発性パワーゲーティング, 平成24年秋季 第73回応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.
• 菅原聡, 周藤悠介, 山本修一郎. スピントロニクス/CMOS融合技術:スピントランジスタ・アーキテクチャ, 平成24年秋季 第73回応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.
• 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡. 擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM:スリープモード動作とその応用, 平成24年秋季 第73回応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.
• 山本修一郎, 周藤悠介, 菅原聡. 擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性DFF：BETにおける静的リーク電流の影響, 平成24年秋季 第73回応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.
• 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡. 擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMのスタティックノイズマージンとエネルギー性能の解析, 電子通信学会集積回路研究会(ICD)シリコン材料・デバイス研究会(SDM)共催研究会, Aug. 2012.
• 菅原 聡, 周藤 悠介, 山本 修一郎. スピントロニクス/CMOS融合技術: スピン機能MOSFETとその低消費電力ロジック応用, 半導体・集積回路技術シンポジウム, July 2012.
• 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡. 擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM:スタティックノイズマージン評価, 第59回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2012.
• 高村陽太, 林建吾, 影井泰次郎, 周藤悠介, 菅原聡. ラジカル酸窒化膜を用いたCFS/SiOxNy/Siトンネル接合の形成と構造評価, 第16回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-16), p. 41, Nov. 2011.
• 菅原聡, 周藤悠介, 山本修一郎. CMOS/スピントロニクス融合技術による不揮発性ロジックシステムの展望, 電子情報通信学会技術研究報告「磁気記録・情報ストレージ」, pp. 63-70, Oct. 2011.
• 髙村 陽太, 林 建吾, 周藤 悠介, 菅原 聡. ラジカル酸窒化法を用いたCo2FeSi/SiOxNy/Siトンネル接合の形成, 第72回応用物理学会学術講演会, 31p-ZS-12, Sept. 2011.  公式リンク  
  
• 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡. 擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM：スリープ時リーク電流削減効果, 第72回秋季応用物理学会学術講演会, Aug. 2011.
• 林建吾, 高村陽太, 周藤悠介, 菅原聡. RTA法を用いたCo2FeSiの形成における初期多層膜構造の影響, 第58回応用物理学関係連合講演会, 25a-KM-10, Mar. 2011.  公式リンク  
  
• 菅原聡, 周藤悠介, 山本修一郎. 不揮発性メモリ素子を用いた不揮発性/ばらつき補償SRAM技術, 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 周藤悠介, 高村陽太, 菅原聡. 非局所配置マルチターミナルデバイスの数値解析シミュレーション, 第71回応用物理学会学術講演会, paper 16a-A-10, p.73, 10-044(DVD), Sept. 2010.  公式リンク  
  
• 櫻井 卓也, 高村 陽太, 中根 了昌, 周藤 悠介, 菅原 聡. RTAによるフルホイスラー合金Co2FeGe薄膜のエピタキシャル形成, 第71回応用物理学会学術講演会, paper 14p-F-7, p.73, 10-018(DVD), Sept. 2010.  公式リンク  
  
• 山本修一郎, 周藤悠介, 菅原聡. 擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMと不揮発性DFFのFPGA応用, 2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡. 擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM：セルリーク電流とBETの削減, 2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡. 擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM：ストア時の書き込み電流制御, 2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 山本修一郎, 周藤悠介, 菅原聡. 擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性DFF：静的リーク電流とBETの削減, 2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 周藤悠介, 中根了昌, Wenhong Wang, 介川裕章, 山本修一郎, 田中雅明, 猪俣浩一郎, 菅原 聡. 擬似スピンMOSFETの作製と評価, 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2010.
• Sanjeewa Dissanayake, 富山健太郎, 周藤悠介, 菅原聡, 竹中充, 高木信一. 超薄膜(110)面GOI p型MOSFETの電気的特性, 平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会, paper 11p-TH-3, Sept. 2009.
• 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡. 擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM：電源遮断動作消費電力の評価, 平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会, paper 10a-TA-5, Sept. 2009.
• 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡. Spin-RAM/ReRAM技術を用いた機能MOSFETとその不揮発性SRAM/フリップフロップへの応用, 平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会, paper 9p-TA-8, Sept. 2009.
• 高村陽太, 中根了昌, 周藤悠介, 菅原聡. 不純物偏析技術を用いたCo2FeSiソース/ドレインMOSFETの作製と評価, 第56回応用物理学関連連合講演会, 1p-TB-9, Mar. 2009.  公式リンク  
  
• 菅原 聡, 高村 陽太, 中根 了昌, 周藤悠介, 山本 修一郎. スピンMOSFET を用いたスピントランジスタ・エレクトロニクス, 第69回応用物理学会学術講演会, paper 3p-E-3, Sept. 2008.
• 田中 雅明, 周藤 悠介, 矢田 慎介, 杉浦 邦晃, ファム ナム ハイ, 横山 正史, 大矢 忍, 中根 了昌, 菅原 聡. 半導体スピントロニクス・ヘテロ構造電子デバイスの研究, 文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「半導体ナノスピントロニクス」平成17年度成果報告会, Jan. 2006.
• 田中 雅明, ファム ナム ハイ, 横山 正史, 周藤 悠介, アーサンナズムル, 大矢 忍, 菅原 聡. 半導体スピントロニクス・ヘテロ構造電子デバイスの研究, 文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「半導体ナノスピントロニクス」平成17年度 「夏の研究会」, June 2005.
• A. M. Nazmul, 雨宮智宏, 周藤悠介, 菅原 聡, 田中雅明. Mn デルタドープGaAsをベースとした半導体へテロ構造における高温強磁性とその制御, 第51回春季応用物理学関係連合講演会, 31p-ZK-7, 2004.

その他の論文・著書など

• M. Tanaka, S. Ohya, Y. Shuto, S. Yada, S. Sugahara. III-V and Group-IV Based Ferromagnetic Semiconductors for Spintronics, Comprehensive Nanoscience and Technology,Academic Press (Oxford), Vol. 4, pp. 447-462, Feb. 2011.
• 菅原聡, 周藤悠介, 山本修一郎. CMOS/スピントロニクス融合技術による不揮発性ロジックシステムの展望, まぐね, vol. 6, no. 1, pp. 5-15, 2011.
• 菅原聡, 周藤悠介, 山本修一郎. スピン機能MOSFETによる不揮発性ロック 不揮発性パワーゲーティング・ロジックへの応用 不揮発性SRAM/フリップフロップの可能性を検証, Semiconductor FPD World, pp. 46-49, Sept. 2009.
• 山本修一郎, 周藤悠介, 菅原聡. スピン機能CMOSによる不揮発性高機能・高性能ロジック, スピントロニクスの基礎と材料・応用技術の最前線, シーエムシー出版, 27章, pp. 319-330, 2009.

特許など

• 菅原聡, 山本修一郎, 周藤悠介. 電子回路. 特許. 登録. 国立大学法人東京工業大学. 2009/03/27. 特願2009-078082. 2010/10/14. 特開2010-232959. 特許第5234547号. 2013/04/05 2013.

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