論文

• 来山大祐, 久保田透, Tomotsune Koyanagi, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. [ 183] D. Kitayama, T. Kubota, T. Koyonagi, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Silicate Reaction Control at Lanthanum Oxide and Silicon Interface for Equivalent Oxide Thickness of 0.5nm* Adjustment of Amount of Residual Oxygen Atoms in Metal Layer”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.50, No.10, pp.10PA05-1-5, October, 2011, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 50, No. 10, pp. 10PA05-1-5, Oct. 2011.
• 来山大祐, Tomotsune Koyanagi, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Effect of thin Si insertion at metal gate/high-k interface on electrical characteristics of MOS device with La2 O3, Microelectronic Engineering, Vol. 88, No. 7, pp. 1330-1333, July 2011.

国際会議発表 (査読有り)

• Ahmet Parhat, 来山大祐, 金田翼, 鈴木 拓也, Tomotsune Koyanagi, Miyuki Kouda, マイマイティ マイマイティレャアティ, Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. TiN/W/La2O3 /Si High-k Gate Stack for EOT below o.5nm, CSTIC2011, 2011.
• Ahmet Parhat, 来山大祐, 金田 翼, 鈴木 拓也, Tomotsune Koyanagi, Miyuki Kouda, M. Mamatrishat, Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, HIROSHI IWAI. Scaling of EOT Beyond 0.5nm, ICSICT(International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology)2010, Nov. 2010.
• 来山大祐, Tomotsune Koyanagi, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. TiN Capping Effect on High Temperature Annealed RE-Oxide MOS Capacitors for Scaled EOT, ECS 218th Meeting, Oct. 2010.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• 来山大祐, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, Akira Nishiyama, 杉井信之, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. [Effect of Silicate Formation at Metal Gate/High-k Interface on Electrical Characteristics of La2O3 gated MOS Devices, G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, 2013.
• 来山大祐, 久保田 透, Tomotsune Koyanagi, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Precise Control of Silicate Reaction with La2O3 Gate Dielectrics towards Equivalent Oxide Thickness of 0.5 nm, Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”, 2011.
• Ahmet Parhat, 来山大祐, 金田翼, 鈴木 拓也, Tomotsune Koyanagi, Miyuki Kouda, マイマイティ マイマイティレャアティ, Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Effects of Metal Layer Insertion on EOT scaling in TiN/Metal/ La2O3 Si High –k Gate Stacks, ,219th ECS Meeting, 2011.
• Kuniyuki KAKUSHIMA, Tomotsune Koyanagi, 来山大祐, Miyuki Kouda, Jaeyeol Song, Takamasa Kawanago, M. Mamatrishat, Kiichi Tachi, M. K. Bera, Ahmet Parhat, Hiroshi Nohira, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI. Direct Contact of High-k/Si Gate Stack for EOT below 0.7 nm using LaCe-silicate Layer with Vfb controllability, 2010 Symposium on VLSI Technology, June 2010.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 関 拓也, 来山大祐, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. High-k/Si 直接接合構造における界面準位の定量評価について, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011.
• 常石佳奈, 来山大祐, 幸田みゆき, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. W/Tm2O３/n-Si構造キャパシタの電気特性におけるTm2O３膜厚依存性, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011.
• 来山大祐, 小柳友常, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. 高温短時間熱処理を用いた希土類MOSキャパシタへのTiNキャップ効果, 第７１回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 角嶋邦之, 小柳友常, 来山大祐, 幸田みゆき, 宋在烈, 佐藤創志, 川那子高暢, M. マイマイティ, 舘喜一, M.K. Bera, パールハットアヘメト, 野平博司, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 山田啓作, 岩井洋. LaCe シリケート膜を用いたEOT<0.7nm の直接接合 high-k/Si の実現とフラットバンド電圧制御, 応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー, ，野平博司，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，山田啓作，岩井洋“LaCe シリケート膜を用いたEOT<0.7nm の直接接合 high-k/Si の実現とフラットバンド電圧制御” 応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー No.127 pp.4-8（2010年7月22日 ）, No. 127, pp. 4-8, July 2010.
• 来山大祐, 小柳友常, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討, 電子情報通信学会技術研究報告 pp.43-48, June 2010.
• 来山 大祐, 小柳友常, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. 来山大祐，小柳友常，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋“EOT=0.5nm に向けたTaSi2/La2O3/CeOxゲートスタック構造の検討, 第57回応用物理学関係連合講演会, 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, pp. 13-094, Mar. 2010.
• 来山大祐, 小柳友常, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. Process Optimization of Rare-Earth Oxides Gated MOS Devices for Future EOT Scaling, 複合創造領域シンポジウム, 2010.

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