論文

• ダリューシュザデ, Takashi Kanda, 山下晃司, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hiroshi Nohira, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Capacitance-Voltage Characterization of La2O3 Metal-Oxide-Semiconductor Structures on Ino.53Ga.0.47As Substrate with Different Surface Treatment Methods, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 50, No. 10, pp. 10PD03-1-4, Oct. 2011.
• 山下晃司, 沼尻 侑也, M. Watanabe, Kuniyuki KAKUSHIMA, HIROSHI IWAI, Hiroshi Nohira. Study of High-k/Ino.53Ga.0.47As interface by Hard X-ray Photoemission Spectroscopy, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 50, No. 10, pp. 10PD02-1-5, Oct. 2011.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Hiroshi Nohira, 小松新, 山下晃司, Kuniyuki KAKUSHIMA, HIROSHI IWAI, Y. Hioshi, K. Sawano, Y. Shiraki. XPS Study on Chemical Bonding States of high-k/high-μ Gate Stacks for Advanced CMOS, ECS 220th Meeting, ECS Transactions, Vol. 41, No. 7, pp. 137-146, 2011.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 沢尻 侑也, 山下晃司, 小松 新, ダリューシュザデ, 角嶋邦之, 岩井洋, 野平博司. AR-XPSによる(NH４) ２S処理したIn0.53Ga0.47As表面の化学結合状態の評価, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011.
• 山下 晃司, 角嶋邦之, 岩井洋. HfO2/La2O３/In0.53Ga0.47As構造の熱安定性, 第７１回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]