論文

• K. Matsuura, J. Shimizu, M. Toyama, T. Ohashi, I. Muneta, S. Ishihara, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, H. Wakabayashi. Sputter-Deposited-MoS2 nMISFETs with Top-Gate and Al2O3 Passivation under Low Thermal Budget for Large Area Integration, IEEE Journal of the Electron Devices Society, IEEE, Vol. 6, pp. 1251 - 1257, Nov. 2018.  公式リンク  
  
• J. Shimizu, T. Ohashi, K. Matsuura, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, N. Ikarashi, H. Wakabayashi, N. Ikarashi. Low-Temperature MoS2 Film Formation using Sputtering and H2S Annealing, Journal of the Electron Devices Society, Vol. 7, No. 1, p. 2, Oct. 2018.
• M. Toyama, T. Ohashi, K. Matsuura, J. Shimizu, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi. Ohmic Contact between Titanium and Sputtered MoS2 Films achieved by Forming-Gas Annealing, JPN J APPL PHYS, 57, 07MA04, June 2018.
• N. Hayakawa, Iriya Muneta, Takumi Ohashi, Kenntarou Matsuura, Junnichi Shimizu, Kuniyuki KAKUSHIMA, KAZUO TSUTSUI, Hitoshi Wakabayashi. Reduction of conductance mismatch in Fe/Al2O3/MoS2 system by tunneling-barrier thickness control, Japan Journal of Applied Physics, IOP Publishing, Vol. 57, 04FP13, Mar. 2018.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読有り)

• K. Matsuura, J. Shimizu, M. Toyama, T. Ohashi, I. Muneta, S. Ishihara, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, H. Wakabayashi. Chip-Level-Integrated nMISFETs with Sputter-Deposited-MoS2 Thin Channel Passivated by Al2O3 Film and TiN Top Gate, 2018 IEEE 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), 2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings, pp. 104-106, Mar. 2018.
• M. Toyama, T. Ohashi, K. Matsuura, J. Shimizu, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi. TiN/Ti Ohmic Contact for Sputtered-MoS2 Film using Forming-Gas Annealing, Advanced Metallization Conference 2017: 27th Asian Session, Oct. 2017.  公式リンク  
  
• N. Hayakawa, I. Muneta, T. Ohashi, K. Matsuura, J. Shimizu, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi. Conductance control by tunneling-barrier thickness optimizations in Fe/Al2O3/MoS2 structure, International Conference on Solid State Devices and Materials, Sept. 2017.
• S. Hirano, J. Shimizu, K. Matsuura, T. Ohashi, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi. Crystallinity improvement using migration-enhancement methods for sputtered-MoS2 films, 2017 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), 2017 IEEE Electron Device Technology and Manufacturing Conference (EDTM), pp. 234-235, June 2017.  公式リンク  
  
• J. Shimizu, T. Ohashi, K. Matsuura, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, N. Ikarashi, H. Wakabayashi. Low-carrier density sputtered-MoS2 film by H2S annealing for normally-off accumulation-mode FET, IEEE Electron Device Technology and Manufacturing Conference (EDTM), 2017 IEEE Electron Device Technology and Manufacturing Conference (EDTM), pp. 222-223, June 2017.  公式リンク  
  
• J. Shimizu, T. Ohashi, K. Matsuura, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi. High-Mobility and Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film by Low-Temperature Forming-Gas Annealing for 3D-IC, International Conference on Solid State Devices and Materials, Sept. 2016.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 松浦賢太朗, 清水淳一, 外山真矢人, 大橋匠, 坂本拓朗, 宗田伊理也, 石原聖也, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整. 大面積集積化に向けたスパッタ二次元半導体 MoS2 薄膜のTop-gate nMISFETs チャネル応用, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第216回研究集会, Feb. 2019.
• 大橋 匠, 坂本 拓朗, 松浦 賢太朗, 清水 淳一, 外山 真矢人, 石原 聖也, 日比野 祐介, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 小椋 厚志, 若林 整. Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS2成膜, 第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018.
• 外山 真矢人, 大橋 匠, 松浦 賢太朗, 清水 淳一, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整. スパッタリング法で堆積したMoS2薄膜へのコンタクト抵抗と熱処理依存性, 第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017.
• 早川直希, 宗田伊理也, 大橋匠, 松浦賢太朗, 清水淳一, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整. トンネル電極を形成したスパッタ MoS2膜における電流の障壁膜厚依存性, 第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017.

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