論文

• Ryo Osabe, Tadashi Okumura, Simon Kondo, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Bonding and Photoluminescence Characteristics of GaInAsP/InP Membrane Structure on Silicon-on-Insulator Waveguides by Surface Activated Bonding, Japanase Journal of Applied Physics, Vol. 50, No. 8, p. 088005, Aug. 2011.

国際会議発表 (査読有り)

• Ryo Osabe, Tadashi Okumura, Simon Kondo, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Stabilization on Fabrication of GaInAsP/InP Membrane Structure on SOI waveguide by Surface Activated Bonding, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)., Vol. Kagawa, Japan, No. FrP23, May 2010.
• Shimon Kondo, Tadashi Okumura, Ryo Osabe, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Investigation of Bonding Strength and Photoluminescence Properties of InP/Si Surface Activated Bonding, International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, The 22th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010), No. WeP28, May 2010.
• Haruki ENOMOTO, Keita INOUE, Tadashi OKUMURA, Hanh DUC NGUYEN, Nobuhiko NISHIYAMA, Yuki ATSUMI, Simon KONDO, Shigehisa ARAI. Properties of High index-Contrast Wired GaInAsP Waveguides with Benzocyclobutene on Si Substrate, The 21th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009), Vol. Newport Beach, California, No. ThA1. 4, May 2009.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Haruki Enomoto, Hai Duc Nguyen, Keita Inoue, Shinichi Sakamoto, Tadashi Okumura, Nobuhiko Nishiyama, Shimon Kondo, Shigehisa Arai. Comparison of Wafer Bonding Methods of Membrane GaInAsP WiredWaveguides on Si Substrate, 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop, 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop, session3-P27, Aug. 2008.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 長部亮, 奥村忠嗣, 近藤志文, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化接合法によるSOI導波路上GaInAsP薄膜構造の形成, 第71回応用物理学会学術講演, Vol. 長崎, No. 14p-G-15, Sept. 2010.
• 西山伸彦, 荒井滋久, 奥村忠嗣, 伊藤 瞳, 榎本晴基, 近藤志文, 前田泰奈, 長部 亮, 雨宮智宏. Si/III-Vハイブリッド光デバイスと関連技術, 日本学術振興会半導体界面制御技術第１５４委員会研究会, 日本学術振興会半導体界面制御技術第１５４委員会, 日本学術振興会, Vol. 68, May 2010.
• 近藤志文, 奥村忠嗣, 長部亮, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化貼付法を用いたInP/Si接合とフォトルミネッセンス特性, 第57回春季応用物理学会学術講演会, 第57回春季応用物理学会学術講演会, Vol. 神奈川, No. 17p-P3-13, Mar. 2010.
• 近藤志文, 奥村忠嗣, 長部 亮, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化接合によるInP/Si接合とフォトルミネセンス特性評価, 第１２回シリコンフォトニクス研究会, Vol. 東京大学本郷キャンパス, No. SIPH2009-P11, Dec. 2009.
• 榎本晴基, 井上敬太, 奥村忠嗣, ｸﾞｪﾝ・ﾄﾞｩｯｸ・ﾊﾝ, 西山伸彦, 渥美裕樹, 近藤志文, 荒井滋久. Si上BCB貼付型強光閉じ込めGaInAsP細線導波路の特性, 第56回春季応用物理学会学術講演会, 第56回春季応用物理学会学術講演会予稿集, Vol. 3, No. 2P-A-8, p. 1242, Mar. 2009.

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