国際会議発表 (査読有り)

• Ahmet Parhat, Wataru Hosoda, unknown unknown, Yoshihisa Ohishi, Kuniyuki KAKUSHIMA, KAZUO TSUTSUI, HIROSHI IWAI. Er Inserted Ni Silicide Metal Source/Drain for Schottky MOSFETs, IEEE IWJT 2010 Extended Abstracts 2010 International Workshop on Junction Technology, May 2010.
• Wataru Hosoda, Kenji Ozawa, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Fabrication of SB-MOSFETs on SOI Substrate Using Ni Silicide Containing Er Interlayer, China Semiconductor Technology International Conference, pp. 1105-1110, Mar. 2010.
• K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A. Chandorkar, T. Hattori, H. Iwai. Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs, 214th ECS Meeting (PRiME 2008), Oct. 2008.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• Wataru Hosoda, Kenji Ozawa, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. A Study of Schottky Barrier Height Modulation of NiSi by Interlayer Insertion and Its Application to SOI SB-MOSFETs, G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices, Oct. 2009.
• 細田亘, 野口浩平, パールハットアヘメト, 角嶋邦之, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋. 異種金属界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用, 第56回応用物理学関係連合講演会, 第56回応用物理学会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 868, Mar. 2009.
• 細田亘, 野口浩平, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋. Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用, 秋季第69回応用物理学会学術講演会, 秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 751, Sept. 2008.

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