国際会議発表 (査読有り)

• K. Matsuura, J. Shimizu, M. Toyama, T. Ohashi, I. Muneta, S. Ishihara, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, H. Wakabayashi. Chip-Level-Integrated nMISFETs with Sputter-Deposited-MoS2 Thin Channel Passivated by Al2O3 Film and TiN Top Gate, 2018 IEEE 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), 2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings, pp. 104-106, Mar. 2018.
• M. Toyama, T. Ohashi, K. Matsuura, J. Shimizu, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi. TiN/Ti Ohmic Contact for Sputtered-MoS2 Film using Forming-Gas Annealing, Advanced Metallization Conference 2017: 27th Asian Session, Oct. 2017.  公式リンク  
  

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 松浦賢太朗, 清水淳一, 外山真矢人, 大橋匠, 坂本拓朗, 宗田伊理也, 石原聖也, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整. 大面積集積化に向けたスパッタ二次元半導体 MoS2 薄膜のTop-gate nMISFETs チャネル応用, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第216回研究集会, Feb. 2019.
• 松浦 賢太朗, 清水 淳一, 外山 真矢人, 大橋 匠, 宗田 伊理也, 石原 聖也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 小椋 厚志, 若林 整. 大面積集積化に向けたスパッタMoS2薄膜を用いたTop-Gate nMISFETs, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2018.
• 大橋 匠, 坂本 拓朗, 松浦 賢太朗, 清水 淳一, 外山 真矢人, 石原 聖也, 日比野 祐介, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 小椋 厚志, 若林 整. Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS2成膜, 第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018.
• 外山 真矢人, 大橋 匠, 松浦 賢太朗, 清水 淳一, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整. スパッタリング法で堆積したMoS2薄膜へのコンタクト抵抗と熱処理依存性, 第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017.

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