論文

• Shiro Hino, Tomohiro Hatayama, Jun Kato, Naruhisa Miura, Tatsuo Oomori, Eisuke Tokumitsu. Anomalously High Channel Mobility in SiC MOSFET with Al2O3/SiOx/SiC Gate Structure, ICSCRM2007, Materials Science Forum, vol. 600-603, pp. 683-686, Feb. 2009.
• S.Hino, Tomohiro Hatayama, J.Kato, E.Tokumitsu, N.Miura, T.Oomori. High channel mobility 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with low temperature metal-organic chemical-vapor deposition grown Al2O3 gate insulator, Applied Physics Letters, Vol. 92, No. 183503, pp. 1-2, June 2008.

国際会議発表 (査読有り)

• S.Hino, Tomohiro Hatayama, J.Kato, N. Miura, T.Oomori, E.Tokumitsu. Anomalously High Channel Mobility in SiC-MOSFETs with Al2O3/SiOx/SiC Gate Structure, International Conference on Silicon Barbide and Related Materials 2007, No. We-2A-2, Oct. 2007.

国内会議発表 (査読有り)

• 加藤潤, 日野史郎, 三浦 成久, 大森 達夫, 徳光永輔. 低温堆積Al2O3を用いたSiC MOSFETのアニールによる電気的特性の変化, 第６８回 応用物理学関係連合講演会, 第６８回 応用物理学関係連合講演会, No. 6p-ZN-10/I, Sept. 2007.
• 日野史郎, 畑山 智裕, 加藤潤, 守谷仁, 三浦 成久, 大森 達夫, 徳光永輔. 極薄膜酸化膜を用いたAl2O3/SiC MOSFETのチャネル移動度の向上（Ⅱ）, 第６８回 応用物理学会学術講演会, 第６８回 応用物理学会学術講演会, No. 6p-ZN-9/Ⅰ, Sept. 2007.
• 畑山 智裕, 日野史郎, 加藤潤, 徳光永輔, 三浦 成久, 大森 達夫. 極薄酸化膜を用いたAl2O3/SiC-MOSFETのチャネル移動度の向上, 第54回応用物理学関係連合講演会, No. 29a-N-3, Mar. 2007.
• 日野史郎, 畑山 智裕, 加藤潤, 徳光永輔, 三浦 成久, 大森 達夫. Al2O3/SiC-MOSFETトランジスタ特性のAl2O3堆積温度依存性, 第54回応用物理学関係連合講演会, No. 29a-N-4, Mar. 2007.

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