国際会議発表 (査読なし・不明)

• 雷 一鳴, Shu Munekiyo, Kuniyuki KAKUSHIMA, Takamasa Kawanago, Yoshinori Kataoka, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, HIROSHI IWAI, M. Furuhashi, N. Miura, S. Yamakawa. Interface reaction analysis of La2O3/SiC upon annealing by ATR-FTIR, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan, 2014.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 宗清修, 岩井洋. La-silicate界面層を用いたSiC-MOSキャパシタの容量電圧特性の評価, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 雷 一鳴, 宗清修, 角嶋邦之, 川那子高暢, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋, 古橋 壮之, 三浦 成久, 山川 聡. ATR-FTIR法を用いた熱処理によるLa2O3/SiC界面反応の解析, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 宗清修, 川那子高暢, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋. ショットキーゲート材料によるAlGaN/GaNの容量電圧特性への影響, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.

特許など

• 角嶋邦之, 川那子高暢, 宗清修, LEIYIMING, 古橋　壮之, 三浦　成久. 半導体装置及びその製造方法. 特許. 登録. 国立大学法人東京工業大学, 三菱電機株式会社. 2014/08/28. 特願2014-173714. 2016/04/07. 特開2016-048758. 特許第6270667号. 2018/01/12 2018.

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