論文

• Teruyuki Ohashi, Shunri Oda, Ken Uchida. Impact of Deformation Potential Increase at Si/SiO$_{2}$ Interfaces on Stress-Induced Electron Mobility Enhancement in Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 52, pp. 04CC12 (6 pages), Mar. 2013.
• N. Kadotani, T. Ohashi, T. Takahashi, S. Oda, K. Uchida. Experimental Study on Electron Mobility in Accumulation-Mode Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 50, pp. 094101 (7 pages), Sept. 2011.
• N. Kadotani, T. Takahashi, T. Ohashi, S. Oda, K. Uchida. Electron mobility enhancement in nanoscale silicon-on-insulator diffusion layers with high doping concentration of greater than 1E18 cm-3 and silicon-on-insulator thickness of less than 10 nm, Journal of Applied Physics, Vol. 110, pp. 034502. (7 pages), 2011.

国際会議発表 (査読有り)

• Teruyuki Ohashi, Shunri Oda, Ken Uchida. Impact of Deformation Potential Increase at Si/SiO2 Interfaces on Stress-Induced Electron Mobility Enhancement in MOSFET, IEEE EDS WIMNACT-37, P-15, 2013.
• T. Ohashi, T. Takahashi, T. Kodera, S. Oda, K. Uchida. Experimental Observation of Record-high Electron Mobility of Greater than 1100 cm2V-1s-1 in Unstressed Si MOSFETs and Its Physical Mechanisms, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Sept. 2012.
• Teruyuki Ohashi, Shunri Oda, Ken Uchida. Physical Mechanism of Enhanced Uniaxial Stress Effect on Carrier Mobility in ETSOI MOSFETs, ECS Transactions, Vol. 50 (9), pp. 171-174, 2012.
• T. Ohashi, T. Takahashi, N. Beppu, S. Oda, K. Uchida. Experimental Evidence of Increased Deformation Potential at MOS Interface and its Impact on Characteristics of ETSOI FETs, IEDM2011, No. 16.4, Dec. 2011.
• Teruyuki Ohashi, Naotoshi Kadotani, Tsunaki Takahashi, Shunri Oda, Ken Uchida. Mechanisms of electron mobility enhancement in junctionless SOI MOSFETs, G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, P-15, Oct. 2011.
• T. Ohashi, T. Takahashi, N. Beppu, S. Oda, K. Uchida. Experimental Evidence of Increased Deformation Potential at MOS Interface and Its Impact on Characteristic of ETSOI FETs, IEDM 2011, pp. 390-393, 2011.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 黒澤裕也, 角谷直哉, 高橋綱己, 大橋輝之, 小田俊理, 内田建. 不純物のイオン化エネルギー増大によるナノワイヤトランジスタの電気的特性に与える影響, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2013.
• 大橋輝之, 小田俊理, 内田建. 歪みによる電子移動度向上へMOS界面における変形ポテンシャル上昇が与える影響, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013.
• 大橋輝之, 高橋綱己, 内田 建, 小田俊理. MOS 界面における変形ポテンシャルの上昇, 第59回応用物理学関係連合講演会, 17a-A1-3, Mar. 2012.
• 黒澤裕也, 角谷直哉, 高橋綱己, 大橋輝之, 小田俊理, 内田 建. ナノ薄膜SOI における不純物のイオン化エネルギー増大, 第59回応用物理学関係連合講演会, 17a-A1-4, Mar. 2012.
• 大橋輝之, 高橋綱己, 小寺哲夫, 小田俊理, 内田 建. ユニバーサル曲線を超えるMOSFET移動度の観測とその物理的起源の解明, 秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 2012.
• 大橋輝之, 高橋綱己, 小寺哲夫, 小田俊理, 内田 建. 低温・強磁場環境を利用した極薄膜SOI中の変形ポテンシャルの評価, 第72回応用物理学会学術講演会, pp. 2a-J-11, Aug. 2011.

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