論文

• Shoichi Yoshitomi, Kentarou Yamanaka, Yusei Goto, Yuta Yokomura, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Continuous-wave operation of a 1.3 μm wavelength npn AlGaInAs/InP transistor laser up to 90 °C, Japanese Journal of Applied Physics, Japanese Applied Physics Society, Vol. 59, Number 4, p. 042003, Apr. 2020.
• Shoichi Yoshitomi, Shotaro Tadano, Kentaro Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Lasing characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs transistor-laser with narrower-bandgap p-GaInAsP base layer on semi-insulating InP substrate, Japanese Journal of Applied Physics, Volume 57, Number 1, p. 012102, Dec. 2017.

国際会議発表 (査読有り)

• Yusei Goto, Shoichi Yoshitomi, Kentarou Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Optical-Response Analysis of Voltage-Modulated 1.3 μm Wavelength AlGaInAs/InP Transistor Laser, Oct. 2018.
• Shoichi Yoshitomi, Kentarou Yamanaka, Yusei Goto, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. 90 ℃ CW operation of 1.3-µm wavelength npn-AlGaInAs/InP transistor lasers by thick and wide base-electrode, 26th International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2018), No. MC2, Sept. 2018.
• Kentarou Yamanaka, Shotaro Tadano, Shoichi Yoshitomi, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Base Layer Design for Voltage Modulation in 1.3-μm Wavelength npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers, The 24th Cogress of the International Commission for Optics(ICO-24), M1J-06, Aug. 2017.
• Shoichi Yoshitomi, Shotaro Tadano, Kentarou Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lasing Characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Reduced Base Bandgap Structure, The 12th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2017), No. 1-3G-5, July 2017.
• Kentarou Yamanaka, Shotaro Tadano, Shoichi Yoshitomi, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Effect of GaInAsP Absorption Layer Composition on Voltage Modulation in 1.3-μm Wavelength npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers, The 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), C2-2, May 2017.
• Shotaro Tadano, Takaaki Kaneko, Kentarou Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Analysis of Voltage Dependence on Lasing Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers, The 28th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), No. ThD1-6, June 2016.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Shoichi Yoshitomi, Shotaro Tadano, Kentarou Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Thermal Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Au Plating, The 24th Congress of the International Commission for Optics, Th1J-07, Aug. 2017.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• Shoichi Yoshitomi, Kentarou Yamanaka, Yusei Goto, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Continuous wave operation up to 90°C of npn-AlGaInAs/InP transistor laser, Photonic Device Workshop, 電子情報通信学会, Dec. 2018.
• 吉冨翔一, 山中健太郎, 後藤優征, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの高温連続動作, 2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会, Sept. 2018.
• 後藤優征, 吉冨翔一, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. キャリア変動による利得特性変化を考慮した電圧変調 1.3 μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの大信号解析, Sept. 2018.
• 吉冨翔一, 山中健太郎, 後藤優征, 藤本直, 西山伸彦, 荒井滋久. GRIN-SCH構造を有する1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの静特性, 電子情報通信学会 2018年総合大会, Mar. 2018.
• 後藤優征, 山中健太郎, 吉冨翔一, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザにおける 電気的応答を考慮した大信号特性の解析, 第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018.
• 吉冨翔一, 只野翔太郎, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3 µm帯トランジスタレーザにおける電流増幅率と 温度安定性の向上, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2018年度1月研究会, Jan. 2018.
• 吉冨翔一, 只野翔太郎, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける高速電圧変調動作に向けた電気的応答特性の解析, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 6p-C14-16, Mar. 2017.
• 山中健太郎, 只野翔太郎, 吉冨翔一, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの電圧変調動作に向けたGaInAsP吸収層組成の検討, 電子情報通信学会 2017年総合大会, No. C4-8, Mar. 2017.
• 吉冨翔一, 只野翔太郎, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. p-GaInAsPベース層バンドギャップ低減による1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの電流増幅率の向上, 第64回応用物理学会春季学術講演会, No. 15p-422-14, Mar. 2017.
• 吉冨翔一, 只野翔太郎, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける熱特性の向上, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2017年度4月研究会, 2017.
• 山中健太郎, 金子貴晃, 只野翔太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3 μm 帯 npn-AlGaInAs/InP トラン ジスタレーザにおける 発振波長のコレクタ－ベース電圧依存性, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2016年度4月研究会, Apr. 2016.
• 只野翔太郎, 金子貴晃, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける 光出力特性と電気特性の評価, 電子情報通信学会 2016年総合大会, No. C4-4, Mar. 2016.
• 只野翔太郎, 金子貴晃, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの特性評価, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2016年度1月研究会, LQE-5, Jan. 2016.

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