論文

• Nobukazu Kise, Haruki Kinoshita, Atsushi Yukimachi, Toru Kanazawa, Yasuyuki Miyamoto. Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain, Solid-State Electronics, Vol. 126, pp. 92-95, Sept. 2016.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読有り)

• Y.Miyamoto, T. Kanazawa, N. Kise, H. Kinoshita, Kazuto Ohsawa. Regrown Source / Drain in InGaAs Multi-Gate MOSFET, 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), P2-32, June 2018.
• Haruki Kinoshita, Nobukazu Kise, Atsushi Yukimachi, Toru Kanazawa, Yasuyuki Miyamoto. Operation of 16-nm InGaAs channel multi-gate MOSFETs with regrown source/drain, Compound Semiconductor Week (CSW2016), TuD4-2, June 2016.
• H.Kinoshita, S.Netsu, Y.mishima, T.Kanazawa, Y.Miyamoto. Fabrication of InGaAs channel multi-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain, 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015), Aug. 2015.
• Y. Mishima, T. Kanazawa, H. Kinoshita, E. Uehara, Y. Miyamoto. InGaAs tri-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain, 72nd Device Research Conference (DRC), June 2014.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 木下 治紀, 木瀬 信和, 祢津 誠晃, 金澤 徹, 宮本 恭幸. 再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 22p-W541-5, Mar. 2016.
• 木下 治紀, 木瀬 信和, 祢津 誠晃, 金澤 徹, 宮本 恭幸. [22p-W541-5] 再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作, 第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016.
• 木下 治紀, 金澤 徹, 祢津 誠晃, 三嶋 裕一, 宮本 恭幸. 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセス, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 16a-1C-9, Sept. 2015.
• 木下 治紀, 金澤 徹, 祢津 誠晃, 三嶋 裕一, 宮本 恭幸. 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセスに関する研究, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.
• 三嶋裕一, 金澤徹, 木下治紀, 上原英治, 宮本恭幸. 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsチャネルトライゲートMOSFET, 第61回春季応用 物理学会学術講演会, Mar. 2014.
• 金澤徹, 三嶋裕一, 木下治紀, 上原英治, 宮本恭幸. MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET, 電子情報通信学 会 電子デバイス研究会, IEICE technical report, Jan. 2014.

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